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[发明专利]一种陶瓷靶材的绑定模具及绑定方法-CN202111529596.0有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷靶材的绑定模具及绑定方法，所述模具包括：模具本体，所述模具本体设有第一槽以及在所述第一槽的底部开设的第二槽，所述第二槽用于放置靶坯，所述第一槽用于在焊料加入到所述靶坯上时形成焊料阻碍区；以及至少两个定位卡件，所述定位卡件可移动地设在所述模具本体上，且可移动到所述第二槽内，以定位所述靶坯。
一种陶瓷绑定模具方法

[发明专利]一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法-CN202310661181.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

[发明专利]一种复合氧化镍镁靶材及其制备方法-CN202310661199.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种复合氧化镍镁靶材的制备方法，主要包括以下步骤，先将NiO粉和MgO粉进行混合、球磨、过筛，得到NiO、MgO的混合粉体；且在球磨过程中，所述磨球的大小为φ2、φ5和φ10，且□2、φ5、φ10的磨球的数量比为3：2：1，且磨球与物料的质量比为2～4：1；再将制得的NiO、MgO的混合粉体以此进行装模、预压、真空热压、脱模处理，得到氧化镍镁毛坯；最后对制得的氧化镍镁毛坯机械加工，得到氧化镍镁靶材，通过此设计使得该方法的操作简单，无需同传统制备方法一样进行分段烧结或分段脱脂，即可制造出相对密度超过98％的氧化镍镁靶材。
一种复合氧化镍镁靶材及其制备方法

[发明专利]一种高纯锑棒的制备方法-CN202111609765.1有效
发明人：乐卫华;白平平;何志达;谢小林;朱刘 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯锑棒的制备方法，包括：S1、准备石英管和玻璃管，并进行洁净处理；对石英管进行镀碳处理；S2、将锑粒装入石英管中，再将装好料的石英管放入玻璃管内，进行真空封管；S3、将封管后的玻璃管竖直放入竖式加热炉中进行熔料，冷却后取出；S4、将玻璃管竖直放入竖式区域熔炼炉中进行区域熔炼，熔炼结束后停止加热，冷却后取出；S5、将所得锑棒取出进行后处理，即得。该制备方法工艺简单、容易操作，且生产成本低，且能稳定地制备出外观美观、内部无空腔、外表面无缩孔、气孔和其他缺陷的高纯锑棒，且制备的锑棒容易脱模。
一种高纯制备方法

[发明专利]一种磷化铟多晶料的清洗方法-CN202210403210.X有效
发明人：陈伟杰;白平平;周铁军;齐正阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磷化铟多晶料的清洗方法，包括以下步骤：将磷化铟多晶料依次浸入溴甲醇、氢氟酸溶液和盐酸溶液中，进行清洗，然后在水中进行超声清洗，最后脱水、干燥，完成清洗。本发明先使用溴甲醇把一些砂纸打磨不到的缝隙、孔洞腐蚀清洗干净，方便后续的清洗步骤；第二步用HF酸清洗，把晶棒外表的SiO2清洗干净。第三步用HCl清洗，在表面SiO2清洗干净后，HCl可以迅速与其他杂质元素反应，使其他杂质在短时间内清洗干净，相对于原清洗工艺过程需要15小时，清洗时间大大缩短，提高了工作效率。
一种磷化多晶清洗方法

[发明专利]一种半导体α-GeTe靶材及其制备方法-CN202210965275.3有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体α‑GeTe靶材及其制备方法，在惰性气体环境下将Ge和Te加热熔炼成合金；然后从合金一端开始分段进行降温冷却；经过真空均匀化淬火处理，再经真空热压烧结后，得到半导体α‑GeTe靶材。熔炼过程无需进行真空封管，优化了工艺，降低了成本；采用定向凝固技术，对GeTe锭进行提纯；进一步真空均匀化淬火处理和真空热压烧结技术使得合成的GeTe靶材成份均匀，具有较高的致密度，相对密度≥98.1％；含氧量≤0.0489％；Te含量为63.32～64.12wt％。保证靶材使用性能的优异性的同时也适合产业化生产。
一种半导体 gete 及其制备方法

[发明专利]一种高纯硫化铟粉体的制备方法-CN202211583257.5在审
发明人： 白平平;童培云;谢小豪 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明属于精细化工领域，公开了一种高纯硫化铟粉体的制备方法，其技术方案为：以氢氧化铟粉体为原料，加热至600～800℃并保温，煅烧为蓬松的氧化铟粉体，然后在硫化氢气体氛围下加热氧化铟粉体至400～600℃并保温，反应生成硫化铟粉体。该方法过程不产生废水，对环境影响小；工艺流程短，原料氢氧化铟经分解、硫化两步即可得到硫化铟粉体；制备过程中物料不接触溶液、阴离子、有机物等，粉体中的非金属杂质元素C、N、O易控制，这是湿化学法无法达到的，并且制备得到的硫化铟粉体粒径小且纯度高。
一种高纯硫化铟粉体制备方法

[发明专利]一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法-CN202210573235.4有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域，该方法包括以下步骤：S1：将硒化铟粉、银粉和有机溶剂置于球磨罐中进行真空球磨，所得球磨物料进行烘干，得掺杂硒化铟粉体；S2：将S1所得掺杂硒化铟粉体置于模具中，将粉体夯实；S3：将S2装好粉体的模具置于真空热压炉中，进行真空热压烧结，其中真空热压烧结的升温速率为5～10℃/min，温度为650～750℃，压力为35～40MPa，时间为120～150min；S4：将真空热压炉内压力降至10MPa以下，再将真空热压炉内温度降至室温，将模具从真空热压炉内取出，撤除模具，即得掺杂硒化铟靶材。采用上述方法制备的掺杂硒化铟靶材，相对密度较高，靶材表面距离1cm间的电阻率小于1.5MΩ/cm，氧含量低，组分均匀。
一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法

[实用新型]一种石英反应器-CN202222874576.3有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英反应器，旨在将反应管体分隔成两个腔体，可以对锑和硒原料单独加热，实现硒液与锑液混合，提高组分均匀性，其技术方案：一种石英反应器，包括管体，所述管体内设有一隔板，所述隔板将管体分隔成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体内设有石英管道，所述石英管道用于连通第一腔体和第二腔体，属于合金材料制备技术领域。
一种石英反应器

[发明专利]一种旋转靶材的制备方法-CN202110646193.8有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开一种旋转靶材的制备方法，涉及靶材制备领域。本发明所述一种旋转靶材的制备方法，包括如下步骤：(1)将背管放入涂有脱模剂的模具中，密封后将模具放入到炉膛中，排除空气后对炉膛进行加热保温；(2)将金属锭子加热熔化后，沿着模具上的浇注口管道注入到模具中，保温一段时间后，关闭加热电源，冷却至金属熔点以下20‑30℃，依次自下而上冷却，直至完全冷却至室温；(3)打开模具，将靶材取出后进行加工，得到所述旋转靶材。
一种旋转制备方法

[发明专利]一种从贵金属合金中回收贵金属的方法-CN202211185398.1在审
发明人：陈辉;白平平;杨阳;陈创武;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明属于金属回收技术领域，一种从贵金属合金中回收贵金属的方法，包括如下步骤：步骤1：将含贵金属的合金、碎化剂金属混合熔炼、碎化处理得到碎性合金颗粒；步骤2：将碎性合金颗粒和酸溶液混合反应，得到溶液和酸浸渣；所述碎性合金颗粒中的碎化剂金属与酸的反应活性高于碎性合金颗粒中的贵金属与酸的反应活性；所述酸浸渣中至少含有部分碎化剂金属以单质形式存在；步骤3：使酸浸渣中的碎化剂金属完全氧化得到混合物料；步骤4：将混合物料进行精炼处理，提取得到贵金属化合物或贵金属单质。该方法能够有效去除活泼碎化剂金属的同时减少废水的产生，并且减少贵金属的流失，提高了贵金属的直收率。
一种贵金属合金回收方法

[发明专利]一种高纯锑溅射靶材及其制备方法-CN202310115498.5在审
发明人：沈文兴;肖翀;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯锑溅射靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。本发明所述高纯锑溅射靶材的制备方法以水淬后的锑颗粒为原料，经过粒度调节后纯化，以颗粒形式直接入模成坯并最终制备溅射靶材；所述方法有效解决了锑金属加工难度大的缺陷，同时制备的产品相对密度高，平均晶粒尺寸小，含氧量低。
一种高纯溅射及其制备方法

[发明专利]一种Sb2-CN202211329829.7在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于合金材料制备技术领域，公开了一种Sb2Se3合金的制备方法。所述制备方法为：分别将Sb块和Se块放入石英反应器的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体通过隔板隔开并通过一石英管道连通，惰性气体保护下，将第一腔体升温至660～700℃使Sb熔化，然后将第二腔体升温至250～300℃使Se熔化，再将石英管道部分升温至250～300℃，通过倾斜石英反应器使第二腔体内的Se液通过石英管道流入第一腔体中与Sb液进行保温反应；待Se液全部流入第一腔体后，将管式炉立起来后进行摇摆均匀化处理，得到Sb2Se3合金。本发明方法可有效避免Se在高温下的挥发，提高产率和组分均匀性。
一种 sb base sub

[发明专利]一种半导体用GaSb靶材的制备方法-CN202210192561.0有效
发明人：沈文兴;白平平;谢小豪;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种半导体用GaSb靶材的制备方法。本发明提供锑化镓靶材的制备方法，包括：以高纯Ga和Sb颗粒为原料，于手套箱中装入石英管内，石英管抽真空后进行焊接密封；将石英管放入摇摆炉进行熔炼，在合金熔点以上将石英管取出急冷得锑化镓合金锭；将锑化镓合金锭破碎成合金颗粒，将合金颗粒和锆球装入充有保护气体的球磨罐中，向球磨罐中充入保护气体、密封后，进行球磨制粉得到锑化镓合金粉；将锑化镓合金粉进行预压得到锑化镓合金坯体，再经真空热压烧结得到合金毛坯，经加工后得到锑化镓合金靶材。所制备的靶材致密度高、纯度高、成分均匀性好、氧含量低，能很好地满足需求，克服了现有方法制备锑化镓靶材存在的难以破碎所需粉体、制备的材料中容易产生杂相、出现游离物等问题。
一种半导体 gasb 制备方法

[发明专利]一种从氧化铝砂子中回收氯铂酸铵的方法-CN202211194597.9在审
发明人：陈辉;杨阳;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从氧化铝砂子中回收氯铂酸铵的方法，涉及贵金属回收技术领域；本发明提供的从氧化铝砂子中回收氯铂酸铵的方法包括以下步骤：(1)将氧化铝砂子和水混合均匀后过超声波水筛，得到筛上物和筛下物，所述筛上物为氧化铝粗砂，所述筛下物为铂富集物浆料；(2)将所述铂富集物浆料和盐酸混合后第一次加热，加入双氧水后进行第二次加热，保温后离心，得到浸出渣和浸出液；(3)将所述浸出液通过三级串联的硫脲树脂，硫脲树脂吸附饱和后进行解吸，得到铂液；(4)将所述铂液和氯化铵混合均匀，反应后得到所述氯铂酸铵；本发明提供的方法能够实现贵金属铂的短流程、无毒害、高收率的回收利用，并且操作简单，有利于实际生产。
一种氧化铝砂子回收氯铂酸铵方法

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