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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置-CN202023086251.6有效
发明人：徐良;蓝文安;刘建哲;余雅俊;李京波;夏建白;陈素春 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长用坩埚包括：坩埚本体，包括具有开口的容纳腔；所述坩埚本体呈上大下小的圆台状，并且所述坩埚本体的外侧壁与所述坩埚本体底部所在水平面的夹角该碳化硅晶体生长用坩埚外形呈上大下小的圆台状，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料。
碳化硅晶体生长坩埚装置

[发明专利]晶体生长缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211163855.7在审
发明人：傅林坚;刘华;汪崇智;曹晓明;胡建荣 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶体生长缺陷检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：从晶体生长炉的不同侧获取炉中晶体的生长图像；将不同侧的生长图像分别输入预先训练的位置识别模型和缺陷识别模型，得到晶体生长炉中每片晶体的缺陷检测结果，缺陷检测结果至少包括每片晶体的位置信息和缺陷信息；根据位置信息和缺陷信息，确定晶体生长炉中每片晶体当前的生长状态。采用本方法能够可以全面、准确地得到每片晶体的生长状态，有效避免检测遗漏或误检，保障了产品质量。
晶体生长缺陷检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法-CN201210047053.X有效
发明人：胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法，本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系；其中，Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性，获得大尺寸晶体。
一种 yab 晶体生长熔剂方法

[发明专利]一种晶体生长预测方法及装置-CN201911033270.1有效
发明人：舒天宇;王雅儒;赵爱梅;刘圆圆;潘亚妮 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长预测方法及装置，用以解决现有的预测方法计算量大、耗费时间长、无法进行在线预测的问题。该方法获取若干待预测的晶体生长的热场图；根据预先训练好的卷积神经网络模型，提取待预测的热场图的图片特征；根据提取出的图片特征以及预先训练好的长短期记忆网络模型，预测预设时间后晶体生长的热场图的图片特征；根据所述预设时间段后晶体生长的热场图的图片特征，得到以下一项或多项：晶体生长的热场分布数据、晶体形状变化数据、晶体的应力分布数据。这种方法能够以较短的时间实现对晶体生长的预测，实现在线预测。
一种晶体生长预测方法装置

[发明专利]坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法-CN202211468313.0在审
发明人：陈红荣;汪晨;赵玉兵;张华利;孙庚昕 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法，坩埚包括：坩埚本体和第一过滤件。坩埚本体内限定出相互隔开的化料缓冲区和晶体生长区，化料缓冲区和晶体生长区之间设有隔断部，隔断部形成有用于连通化料缓冲区和晶体生长区的第一连通孔，第一过滤件设于第一连通孔，化料缓冲区内的熔汤适于通过第一过滤件过滤后进入晶体生长区根据本发明实施例的坩埚，通过在隔断部的第一连通孔设置第一过滤件，可以过滤化料缓冲区内熔汤中的杂质和未完全熔化的硅颗粒，降低晶体生长区内的熔汤中的杂质含量以及未充分熔化的原料颗粒，减少生长出的晶体存在的缺陷，从而使晶体生长过程更稳定，提高了晶体的成晶率和生长质量。
坩埚晶体生长设备制备方法

[发明专利]一种铊掺杂碘化铯闪烁晶体制备方法和辐射探测面板-CN202210299780.9有效
发明人：任国浩;史坚;李焕英;吴云涛 -专利权人：江苏先进无机材料研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铊掺杂碘化铯闪烁晶体制备方法和辐射探测面板。本发明的制备方法是将形成铊掺杂碘化铯闪烁晶体的原料和用于引导原料结晶的籽晶置于晶体生长容器中，将晶体生长容器置于非均温温场中；控制温场上部温度大于结晶温度下部温度小于结晶温度，从而在晶体生长容器中形成上部液态下部固态的固液混合状态；晶体生长容器相对温场向下运动，固液交界面相对晶体生长容器逐渐上移，从而使晶体生长容器底部的固体不断长大，形成所述的铊掺杂碘化铯闪烁晶体。该方法能够制得直径330毫米的大尺寸铊掺杂碘化铯闪烁晶体，有利于促进大尺寸铊掺杂碘化铯闪烁晶体的低成本批量化生产。
一种掺杂碘化闪烁晶体制备方法辐射探测面板

[发明专利]蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法-CN202311209635.8在审
发明人：石刚;宋建军;王立军;冯当朝 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏鑫晶盛电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，包括炉盖和炉壁，炉盖和炉壁围设形成炉室；保温结构，位于炉室内，具有保温盖和保温腔；坩埚，位于保温腔内，具有用于生长蓝宝石晶体的长晶区本发明的优点在于：在使用本发明提供的蓝宝石晶体生长炉时，可以在蓝宝石晶体生长过程中通过投料通道向坩埚内补充氧化铝原料，从而生长出更大尺寸的蓝宝石晶体。
蓝宝石晶体生长方法

[发明专利]提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法-CN200510017278.0无效
发明人：杜国同;姜文海;王旭;常玉春;马春雨;于书坤 -专利权人：吉林大学
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法，属于有机材料的单晶生长方法技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动的可移动底座(5)上，推杆(6)连接在微动台(8)上，由计算机晶体生长方法是，使用蒽作为溶剂，将密封好的晶体生长管(1)放入加热的生长炉(2)中，蒽熔化，溶解酞菁类化合物粉末，形成饱和溶液；匀速提升晶体生长管(1)，直到蒽溶液蒸发干，进行晶体生长。本发明的效果和益处是单晶生长时间短，成功率高，成本低。
提升蒸发生长酞菁类化合物设备方法

[实用新型]一种晶体生长状态观察设备-CN202120747601.4有效
发明人：张春林 -专利权人：天津物科光电技术有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种晶体生长状态观察设备，包括固定架、角度调节机构和观察支架；固定架一端设有能够与晶体生长炉固定连接的固定结构、另一端设有转动连接部；角度调节机构包括第一连杆和第二连杆，本实用新型中的晶体生长状态观察设备在使用过能够通过固定架的固定结构安装在晶体生长炉的观察窗位置；通过角度调节机构实现对观察角度的调节；通过人工观察和自动录像的方式观察晶体便于技术人员借助计算机等设备分析；使操作人员根据观察数据控制和调整晶体生长参数，从而可以生长出完整不开裂、透明的高品质晶体，对晶体生产提供保障。
一种晶体生长状态观察设备

[发明专利]一种β-BaB2-CN202310541344.2在审
发明人：朱显超;席天卉;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种β‑BaB2O4晶体生长助熔剂及晶体生长方法，采用NaF‑LiF体系作为助熔剂。通过本发明可以大幅降低晶体生长温度，其温度范围在800～860℃之间，可以极大降低体系的挥发度，防止自发结晶的形成，提高生长体系的稳定性；可以明显降低溶液的粘度，利于传质传热的进行，提高了晶体生长速度和晶体品质，可稳定生长出一系列大尺寸、高光学质量BBO晶体。
一种 bab base sub

[发明专利]用于晶体生长的基于激光式后加热-CN202180045569.8在审
发明人：罗伯特·肖恩杜布 -专利权人：德累斯顿科学仪器有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：提供一种用于从熔融进料(23)生长为晶体(21)的晶体生长装置(10，10’，10”)和晶体生长方法，其中除了熔融区加热器之外，还设置了至少一个后加热激光器(5)以加热延伸式的后加热区(50)，后加热区晶体生长设备(10，10’，10”)和晶体生长方法可用于热处理，以减少生长的晶体(21)中的裂纹形成或热应力。
用于晶体生长基于激光加热

[发明专利]一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法-CN201410510474.0无效
发明人：袁泽锐;康彬;邓建国;唐明静;张羽;窦云巍;方攀 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法。该晶体生长炉系统包括套管、提拉装置和哑铃式生长安瓿；在加热元件的作用下使该晶体生长炉系统从上到下分低温区、梯度区和高温区三个温区。本发明的晶体生长方向与重力方向一致，对晶体中密度较大的杂质具有很好的排出效果，减少了杂质的聚集和沉淀，所生长晶体均匀性好，无杂质条纹。
一种用于晶体生长垂直管式炉设备及其使用方法

[发明专利]一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法-CN01143234.9无效
发明人：苏根博;庄欣欣;贺友平;李征东;马锦波;李国辉 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2001-12-14 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法，属于晶体生长领域。它采用NH4H2PO4和重水为原料，用溶液降温法进行晶体生长，其生长条件为：溶液的pH＝4～5，生长温度为60℃～室温，籽晶使用Z切方向，生长速度控制在1～3mm/天(z方向)，控温精度为±0.01℃，晶体正反向转速为50～60转/分。本发明所采用的DADP晶体生长方法具有设备简单，操作方便，晶体生长速度快，获得高光学品质晶体的成功率高的优点。
一种氘化磷酸二氘铵 dadp 电光晶体生长方法

[发明专利]遥控晶体生长装置及其控制方法-CN01144139.9无效
发明人：葛培文;翟永亮;李超荣;庞玉璋;朱振和;霍崇儒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2001-12-12 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明属于单晶生长，涉及遥控半导体单晶区熔生长装置及其控制方法。本发明装置包括装有温度传感器的可变温场空间晶体生长炉，数据采集器、加热功率分配器，用于远程监控和显示的中央监控台和作为远程遥测遥控通道的无线电通讯设备。本发明控制方法是根据本发明建立的晶体区熔生长数学模型，保证晶体生长的遥测遥控精度和控温精度，由控制程序接受来自远程监控的中央监控台的控制和数据指令，操作晶体生长炉，由计算显示程序计算炉内晶体生长参数，模拟显示晶体生长过程，由数据通讯程序完成数据采集器和晶体生长炉、数据采集器和中央监控台之间的通讯控制。
遥控晶体生长装置及其控制方法

[发明专利]第III族氮化物单晶及其生长方法-CN200680055009.6有效
发明人：宫永伦正;水原奈保;藤原伸介;中畑成二;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。
iii 氮化物及其生长方法

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