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[发明专利]高效合成高质量碳化硅的装置及方法-CN202310666666.X在审
发明人：余雅俊;陈素春;林骞;占俊杰;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法，该高效合成高质量碳化硅的装置包括装置本体和石墨盖板，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。采用该高效合成高质量碳化硅的装置能够合成高质量纯度的碳化硅晶体，同时能够提高合成效率，降低生产成本。
高效合成质量碳化硅装置方法

[发明专利]一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法-CN202111482401.1有效
发明人： 陈素春;徐良;余雅俊;占俊杰;孟秀清;阳明益 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。
一种 sic 衬底形成 inn 薄膜方法

[发明专利]一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机-CN202310027334.7在审
发明人：余雅俊;陈素春;徐良;刘建哲;占俊杰;林骞;夏建白;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶片加工技术领域的一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机，蓝宝石衬底表面加工方法包括：用切割线将晶棒切割分成晶圆；对所述晶圆进行双面研磨处理；对所述晶圆进行双面抛光处理，并在抛光时对抛光液PH值、抛头压力和抛光作业温度进行实时监测和调控。本申请在抛光工艺中精确控制抛光过程中的PH值等工艺数据，提高在该过程中的物理化学反应，在整个去划痕抛光工艺中各方面数据保持动态平衡，增强了对蓝宝石衬底表面划痕和坑洞等缺陷的处理，大大提升了蓝宝石衬底的品质。
一种蓝宝石衬底表面加工方法抛光机

[发明专利]晶片研磨装置-CN202211234362.8在审
发明人： 陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请涉及蓝宝石新材料技术领域的一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。本申请的晶片研磨装置在保证晶片减薄效率的同时，减少了工艺步骤，降低了崩边碎片发生的可能性，并能满足面型曲圆化晶片的加工。
晶片研磨装置

[发明专利]提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机-CN202111058165.0有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机，该提升晶片研磨后平整度的方法包括以下步骤：(1)对晶片表面损伤进行加深处理，形成损伤层；(2)对损伤加深处理后的所述晶片进行退火处理；(3)对退火处理后的所述晶片进行双面研磨，以去除所述损伤层；(4)对双面研磨后的所述晶片进行减薄处理。本发明中的方法能够提升晶片平整度，改善因切割能力不足导致的晶片不平整，同时提升抛光后晶片面型的一致性。
提升晶片研磨平整方法研磨机

[实用新型]一种利用电磁脉冲清除加工屑的装置-CN202123044640.7有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用电磁脉冲清除加工屑的装置，包括：电磁脉冲发射器，所述电磁脉冲发射器包括支撑结构和设置在所述支撑结构一端的感应线圈；以及电磁脉冲控制系统，所述电磁脉冲控制系统与所述感应线圈电性连接，用于控制脉冲宽度和脉冲间隔。该装置通过在金刚石线锯的一侧设置电磁脉冲发射器，利用电磁脉冲对加工屑进行充分消电离，从而降低加工屑的粘附性，之后利用工作液将加工屑带走，从而确保相邻金刚石线的间隙不被堵塞，避免金刚石线因张力增大而断裂。
一种利用电磁脉冲清除加工装置

[发明专利]籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法-CN202211020292.6在审
发明人： 陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种籽晶粘接平整装置及籽晶粘接方法，籽晶粘接平整装置包括：籽晶碗，所述籽晶碗为中部镂空的环状结构，其内周与籽晶片相适配；支撑部，安设于所述籽晶碗内周；籽晶盖，可拆卸的连接于所述籽晶碗的其中一个开口上；所述籽晶片平放于所述籽晶盖与所述支撑部之间，所述籽晶片承托在支撑部上，所述籽晶片朝向所述籽晶盖的一侧用于涂抹胶体以与所述籽晶盖相连。本申请通过先固定籽晶片使其平整再注入胶体与籽晶盖相固定的方法，使得得到高平整度的籽晶，提升了籽晶的粘结品质，在后期长晶过程中提高其长晶质量。
籽晶平整装置方法

[发明专利]一种面型曲圆化元件加工装置及加工方法-CN202210720083.6在审
发明人： 陈素春;余雅俊;徐良;刘建哲;占俊杰;林骞 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B13/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种面型曲圆化元件加工装置及加工方法，包括：载料盘，所述载料盘一侧形成载料区，所述载料区包括载料平面；驱动轴，所述驱动轴设于载料平面中心点正上方，且驱动轴垂直于载料平面；第一研磨头，第一研磨头一端连接于驱动轴上，第一研磨头包括研磨面，研磨面与载料平面之间的夹角为0‑30，且研磨面靠近载料平面中心一端与载料平面的间距大于研磨面靠近载料平面边缘一端与载料平面的间距。本申请的加工装置，由于第一研磨头的研磨面与载料平面水平方向整体呈倾斜的状态，使得蓝宝石圆片上表面在第一研磨头的不断打磨下，可以有效形成规格要求坡度的面型曲圆化蓝宝石衬底，提高了面型曲圆化蓝宝石衬底加工的品质。
一种面型曲圆化元件加工装置方法

[发明专利]一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法-CN202210133526.1在审
发明人： 陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;李京波;潘安练 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法，该方通过法将磺酸微腐蚀、强碱腐蚀和电解清洗相结合，有效清除了碳化硅衬底上的黏附颗粒、有机物和金属污染物，特别是公认的难以清除的顽强氧化物，从而提高了碳化硅衬底的稳定性，为碳化硅衬底下一步工艺奠定了基础。
一种碳化硅衬底化学抛光清洗方法

[发明专利]用于涂覆粘合剂的丝网结构以及使用其固定SiC籽晶的方法-CN202210134816.8在审
发明人：占俊杰;余雅俊;陈素春;徐良;刘建哲;夏建白;李京波;潘安练;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于涂覆粘合剂的丝网结构，该丝网结构通过环形涂胶挡板和丝网来限定粘合剂层的厚度，使得粘合剂层厚度均匀，从而使得籽晶和坩埚盖之间存在均匀间隙，保证籽晶各个区域温度受热均匀，使碳化硅能够均匀生长，同时能够抑制籽晶背面多晶生长升华，避免带来微管缺陷。另外，均匀间隙的存在还能够满足籽晶在加热生长过程中释放内应力的需求，避免随着籽晶上的单晶生长，表面机械应力和热应力增加而造成籽晶变形甚至破裂。此外，本发明还涉及使用上述丝网结构固定SiC籽晶的方法，该方法通过丝网将粘合剂均匀涂刷于坩埚盖上并且在所得粘合剂层的上表面高度大于或等于丝网的下表面高度时停止涂刷，去除丝网结构后得到厚度均匀的粘合剂层。
用于粘合剂丝网结构以及使用固定 sic 籽晶方法

[发明专利]一种从蓝宝石切割固废中回收氧化铝的方法-CN202111482409.8在审
发明人：占俊杰;徐良;余雅俊;陈素春;孟秀清;阳明益;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种从蓝宝石切割固废中回收氧化铝的方法，包括：使用油污去除剂去除蓝宝石切割固废表面的油污，再使用清洗剂清洗并烘干；烘干后，使蓝宝石切割固废中的镍与CO气体反应生成四羰基镍，利用有机溶剂去除四羰基镍，再使用清洗剂清洗并烘干；以及在含氧环境下使蓝宝石切割固废中的金刚石燃烧，从而去除金刚石。该方法通过使用有机溶剂去除油污、利用CO去除镍以及通过燃烧去除金刚石，实现了高纯度氧化铝的回收，减少了环境污染，降低了企业成本。
一种蓝宝石切割固废中回收氧化铝方法

[发明专利]碳化硅晶片及其加工方法-CN202110055105.7有效
发明人：徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘建哲;余雅俊;夏建白;陈素春 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片及其加工方法，碳化硅晶片的加工方法包括：将清洗分类后的碳化硅晶片进行双面粗磨；将经过双面粗磨后的碳化硅晶片进行双面精磨；将经过双面精磨后的碳化硅晶片进行催化剂辅助化学机械抛光；其中，抛光液为采用第一研磨颗粒、第一分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水形成的酸性胶体；所述研磨颗粒、分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水的质量占比为5～15：2～5：10～20：3～5：5～10：45～75。该加工方法大大缩短了化学机械抛光工艺过程所需要的时间，并获得表面符合平整度要求的碳化硅单晶外延片。
碳化硅晶片及其加工方法

[发明专利]一种在蓝宝石衬底铜抛后清洗的方法-CN202111518270.8在审
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;阳明益;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种在蓝宝石衬底铜抛后清洗的方法，该方法采用磺酸微腐蚀、纳米除油乳化剂乳化和超声波清洗相结合，有效清除了蓝宝石衬底上的黏附颗粒、有机物、金属污染物，以及特别是公认的难以清除的顽强氧化物，从而提高了蓝宝石衬底的稳定性，为蓝宝石衬底下一步工艺奠定了基础。
一种蓝宝石衬底铜抛后清洗方法

[发明专利]一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底-CN202111554696.9在审
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;阳明益;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底，该复合衬底通过在碳化硅衬底表面设置上表面平整的氮化硅层，很好地整平了碳化硅衬底凹凸不平的表面，使得衬底表面变得光滑平整，有利于后期外延生长出高质量的氮化单晶薄膜。此外，本发明的碳化硅衬底无需减薄，厚度较大，有利于后期工艺的加工，从而进一步提升整个成品的质量，提高整个生产过程的良率，减少废品率，节约生产成本。
一种用于制备氮化物薄膜碳化硅复合衬底

[实用新型]一种控制蓝宝石衬底抛光过程中pH值的装置-CN202121950803.5有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;支俊华 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本实用新型的控制蓝宝石衬底抛光过程中pH值的装置包括：研磨液桶，其内部安装有pH测量计；碱液桶，其与所述研磨液桶通过输送管连通，并且所述输送管中间设有加液泵，所述加液泵通过pH控制器与所述pH测量计连接，所述pH控制器用于根据所述pH测量计的测量结果开启或关闭所述加液泵。本实用新型的目的是至少解决蓝宝石抛光中腐蚀液pH值不稳定的问题。
一种控制蓝宝石衬底抛光过程 ph 装置

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