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[实用新型]基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置-CN201922459336.5有效
发明人：赵有文;沈桂英;段满龙;杨俊;卢伟;刘鹏 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、晶体生长装置以及加热工艺的配合改进，能够比较容易的对自由空间的蒸气压进行控制；让自由空间的蒸气压始终处于稳定的状态，从而得到均匀掺杂的单晶体。
基于 vgf 晶体生长石英以及装置

[发明专利]一种节能型蓝宝石晶体生长炉-CN201510043615.7有效
发明人：周森安;王可;郭进武;李建国;张国豪 -专利权人：洛阳西格马炉业股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种节能型蓝宝石晶体生长炉，生长炉的炉腔内设置有坩埚和夹持籽晶棒的夹持杆，所述坩埚和籽晶棒分别由坩埚升降装置和籽晶棒升降装置控制其上下移动，以保证在晶体生长过程中坩埚内氧化铝熔体的液面始终保持在一个相同的位置；炉体内设置分隔板将其分隔成冷气室和热气室两部分，再加上籽晶棒和氧化铝熔体四部分形成四个温度场，通过热电偶监测四个温度场的温度并进行调节，以使其具有最佳的温度梯度，从而准确控制固液界面温度，提高晶体生长的最佳热场方式，进而找到晶体生长最佳途径，以利于提高晶体生长速度和晶体生长质量。
一种节能型蓝宝石晶体生长

[实用新型]一种节能型蓝宝石晶体生长炉-CN201520060395.4有效
发明人：周森安;王可;郭进武;李建国;张国豪 -专利权人：洛阳市西格马炉业有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种节能型蓝宝石晶体生长炉，生长炉的炉腔内设置有坩埚和夹持籽晶棒的夹持杆，所述坩埚和籽晶棒分别由坩埚升降装置和籽晶棒升降装置控制其上下移动，以保证在晶体生长过程中坩埚内氧化铝熔体的液面始终保持在一个相同的位置；炉体内设置分隔板将其分隔成冷气室和热气室两部分，再加上籽晶棒和氧化铝熔体四部分形成四个温度场，通过热电偶监测四个温度场的温度并进行调节，以使其具有最佳的温度梯度，从而准确控制固液界面温度，提高晶体生长的最佳热场方式，进而找到晶体生长最佳途径，以利于提高晶体生长速度和晶体生长质量。
一种节能型蓝宝石晶体生长

[发明专利]一种晶体生长的装置及方法-CN200510132405.1有效
发明人：黎建明;苏小平;杨海;霍承松;李楠;那木;杨鹏 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：一种晶体生长的装置及方法，坩埚熔体上方有一根可以升降的管状的热交换器，管状的热交换器的下端带有一个夹头，其上装有籽晶，在管状的热交换器内设置有向管状的热交换器内底部输送氦气的输气管。所述装置的晶体生长的方法，主要包括下列步骤：(1)电阻加热器升温，使坩埚内原料熔化；(2)籽晶的熔接，通过控制电阻加热器的功率和热交换器内氦气的流量；(3)增加氦气量，冷却籽晶，控制晶体生长速度；(4)向上提拉热交换器，降低电阻加热器的功率，使晶体生长界面往下推进；(5)晶体生长完成后，晶体与坩埚内的熔体脱开分离，逐步降温至室温，晶体生长完成；由于晶体不与熔体、坩埚壁接触，缩短了晶体的降温时间和生产周期
一种晶体生长装置方法

[发明专利]SiC锭的制造方法-CN201780078707.6有效
发明人：藤川阳平;上东秀幸 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在该SiC锭的制造方法中，包括使晶体在相对于{0001}面具有偏离角的主面上生长的晶体生长工序，至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长7mm以上后的后半生长工序中，使倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°，该倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。
sic 制造方法

[发明专利]一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法-CN202110790896.8在审
发明人：陈政委;胡开朋;吕进;辛泽文;邓德辉;赵德刚;吴忠亮 -专利权人：陈政委
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法。其中，一种用于氧化镓晶体生长的模具包括：两个模具板，两个模具板间隔设置并在两个模具板之间形成间隙，并且每个模具板上端的横截面为非直角的平行四边形结构。该模具所设计的平行四边形结构与晶体生长的形貌完全贴合，减小了应力的产生，从而保障了（001）面氧化镓晶体的稳定生长，有效避免了氧化镓晶体生长失败以及提高了生长出的（001）面氧化镓晶体的质量，并且，所设计的向外突出的圆弧形结构又实现了较大的径向温度梯度，使得晶体放肩速度得到有效控制，使晶体内部原子有充足的时间规则排列，从而解决了（001）面氧化镓晶体生长容易产生多晶的问题。
一种用于氧化晶体生长模具晶体生长方法

[发明专利]一种制备高成品率晶体的生长方法-CN201811532438.9有效
发明人：孙聂枫;王书杰;孙同年;刘惠生;邵会民;史艳磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备高成品率晶体的生长方法，属于单晶生长技术领域，通过根据不同晶体类型、依据主坩埚中晶体生长的晶向、晶体生长方向与孪晶晶向的关系，在坩埚上设置辅助坩埚，控制辅助坩埚与主坩埚之间的角度、辅助坩埚与辅助坩埚之间的相对位置来实现以辅助坩埚矫正主坩埚晶体生长过程中产生的孪晶晶向有益效果是本发明提供的制备高成品率晶体的生长方法，通过主坩埚上增加的辅助坩埚来改变孪晶带来的晶向改变，对于大概率位错晶体生长过程，该方法实现了总体成品率的提高；可以依据孪晶对晶体生长方向的影响定制设计坩埚位置，适用于多种晶体制备工艺，显著提高成品率，减少了晶体加工难度，提高了材料的利用率。
一种制备成品率晶体生长方法

[发明专利]LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法-CN201410035607.3有效
发明人：胡章贵;杨蕾;岳银超 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100℃去离子水中加入Li₂MoO₄和H₃BO₃，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10℃，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1℃/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。
lbo 晶体生长原料合成方法制备晶体

[发明专利]一种棒状蓝宝石晶体生长设备及其生长方法-CN201410329589.X有效
发明人：薛卫明;维塔利-塔塔琴科;吴勇;周健杰;牛沈军;马远 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种棒状蓝宝石晶体生长设备，还涉及一种采用该棒状蓝宝石晶体生长设备的实现棒状蓝宝石晶体生长的生长方法，包括模具、坩埚、晶体生长炉、主加热器及抽真空装置，所述模具置于坩埚中，坩埚置于晶体生长炉中，主加热器用以对晶体生长炉加热；所述模具为旋转对称表面模具，其侧表面为旋转几何表面，顶部端面为凹形表面，该凹形表面由三个相互交叉的斜平面组成，且所述三个斜平面的交点位于旋转几何表面的旋转对称轴上；所述模具内部设有与旋转几何表面的旋转对称轴相平行的一条或以上的贯通的毛细通道本发明的优点在于：提出的棒状蓝宝石晶体的生长方法及设备，可制得棒状的蓝宝石晶体，有效提高蓝宝石晶体制备效率，利用该方法生长的晶体，经过定型加工，可作为衬底用于LED器件制造。
一种蓝宝石晶体生长设备及其生长方法

[发明专利]一种无色刚玉单晶的制备方法-CN201210286279.5有效
发明人：张博;赵东 -专利权人：登封市蓝天石化光伏电力装备有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无色刚玉单晶的制备方法，及刚玉晶体生长专用生长炉结构，其中制备方法包括如下步骤：原料预处理、清洗及种晶、提拉生长、自由生长、原位退火、降温处理，最终得到无色刚玉单晶。本发明创造性的采用传统提拉法与泡生法结合的新工艺，并通过所述刚玉晶体生长炉提供稳定、符合晶体生长所需的温度梯度环境，制备的晶体单晶品质高，晶体生长成功率超过90%，适合工业化生产，且工艺步骤简单，方便节能
一种无色刚玉制备方法

[发明专利]晶体生长设备的控制方法和系统-CN202310378544.0在审
发明人：王宇;雷沛 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体生长设备的控制方法和系统，该方法包括：获取至少一个晶体生长设备的历史生长数据，历史生长数据至少包括历史生长控制数据和历史生长结果数据；基于历史生长数据和目标生长结果，确定目标晶体生长设备的控制模式
晶体生长设备控制方法系统

[发明专利]一种蓝宝石晶体生长工艺-CN202111030051.5有效
发明人：余剑云;吴锋波;郑家金;王进学 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种蓝宝石晶体生长工艺，通过在加热阶段功率约20~30kw时进行恒温，排除晶体生长炉内的水汽，减少炉内氧气含量，减少炉内热场氧化，降低杂质的生成，降低浮岛形成概率；通过在加热阶段恒温后通入惰性气体至1.0个大气压以上，更能将通过恒温后未能排除干净的水汽及氧气排除干净；通过在原料融化后降温处理使原料表面重新凝结产生结晶后，再通过升温处理重新融化原料，使浮岛沉入晶体生长炉的底部，提高引晶及晶体质量。本发明所提供的蓝宝石晶体生长工艺适用范围较广，适用于任何尺寸任何方法的蓝宝石晶体的生长，特别是大尺寸的蓝宝石晶体生长。
一种蓝宝石晶体生长工艺

[发明专利]碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体-CN202310779794.5在审
发明人：刘曦 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括坩埚、籽晶及加热结构，坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚盖水平设置于坩埚体的顶部，坩埚体的轴线相对于坩埚盖倾斜设置，籽晶设置于坩埚盖的内壁，籽晶的生长面具有生长阶梯，生长阶梯包括多个相对于坩埚盖倾斜设置的倾斜壁本发明提供的碳化硅晶体生长装置及配套的方法能够提升碳化硅晶体的生长速率，同时减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。
碳化硅晶体生长装置方法晶体

[发明专利]AlN籽晶精确扩径的装置及方法-CN202010218338.X有效
发明人：赵丽丽;范国峰;张胜涛;袁文博;刘德超 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlN籽晶精确扩径的装置及方法，属于晶体生长领域。操作简单，效率高，根据需要制作相应尺寸的AlN晶体。AlN籽晶精确扩径的装置包括石墨加热器、坩埚和生长组合，坩埚位于石墨加热器的内部，生长组合位于坩埚的内部，碳化硅籽晶垫圈与坩埚垫圈和坩埚体可拆卸连接，可通过更换不同尺寸的碳化硅籽晶垫圈来获得相应尺寸的AlN籽晶，操作简单，从根本上解决了氮化铝晶体生长过程中，扩径困难的问题，相比于现有技术，AlN籽晶精确扩径的装置及方法加快氮化铝晶体生长扩径速率和节省氮化铝晶体生长扩径的费用和时间，加快氮化铝晶体生长行业的发展进程
aln 籽晶精确装置方法

[发明专利]一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置-CN201610581744.6有效
发明人：尹长浩;熊震;刘超 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种强制对流生长晶体硅的方法及装置，通过在多晶硅铸锭过程中，在硅熔体中通过机械搅拌直接引入强制对流，降低硅熔体水平温度梯度，提供分凝作用的排杂效果，使用氮化硅作为制作搅拌硅熔体的叶轮和支撑轴；同时，在晶体生长过程中通过氮化硅叶轮的降低来测量晶体生长速率，在不污染及硅熔体的基础上实现对晶体生长速率的测量，从而改善后续晶体生长条件；随着晶体不断生长，调节叶轮的转速和距离晶体的高度，从而维持晶体上方硅熔体的稳定对流
一种强制对流生长晶体方法及其装置