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[发明专利]一种基于深度学习的蓝宝石生长缺陷视觉检测方法-CN201910451732.5在审
发明人：乔铁柱;张伟;杨毅;张海涛 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明一种基于深度学习的蓝宝石生长缺陷视觉检测方法，属于蓝宝石制备检测领域；人工合成蓝宝石过程中检测蓝宝石的生长缺陷主要依靠人工检测，费时费力，生长炉的炉内环境造成人工检测生长缺陷的困难，且人工凭借经验观测容易出现错误，本发明基于深度学习理论提供一种蓝宝石生长缺陷的视觉检测方法，使用相机采集不少于200万张蓝宝石晶体生长阶段图像进行处理，生成训练集，搭建深度学习网络，调整参数训练深度学习网络生成训练模型，利用训练模型检测待测图像，对晶体生长状态实时判断，操作籽晶杆使存在生长缺陷的晶体正常生长。
蓝宝石生长缺陷视觉检测人工检测训练模型学习蓝宝石晶体生长晶体生长状态待测图像调整参数检测领域阶段图像炉内环境实时判断网络生成生长炉训练集籽晶杆检测制备费力观测相机采集生长网络

[发明专利]SiC单晶制造装置-CN201910972545.1有效
发明人：歌代智也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本公开提供一种晶体生长用容器内的温度分布的均匀性高的SiC单晶制造装置。SiC单晶制造装置具备：容纳SiC原料的晶体生长用容器、覆盖上述晶体生长用容器的周围的绝热件、对上述晶体生长用容器进行加热的加热器、以及以悬空状态保持上述晶体生长用容器的保持构件。
sic 制造装置

[发明专利]一种晶体生长方法和晶体生长装置-CN202310938720.1在审
发明人：赵衡煜;陈泽邦;蔡杰毅 -专利权人：厦门钨业股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长方法和晶体生长装置，所述晶体生长方法包括依次进行装料、引燃、扩熔池、晶体生长和降温等过程，得到晶体；其中，引燃的过程中使光源的焦点于晶体原料表面运动从而使其表面熔化形成熔池，直至熔池的表面积扩大至目标尺寸，扩熔池的过程中启动设置于坩埚外侧的感应线圈，且同步向坩埚内加入晶体原料，熔池持续向下扩张直至接触到坩埚底部的籽晶，晶体生长的过程中下调感应线圈的功率，使自籽晶顶部由下向上不断结晶，直至晶体达到熔池的顶部本发明提供的晶体生长方法和晶体生长装置能够得到有效熔池，并且能够形成径向的温度梯度，改善晶体的解理程度。
一种晶体生长方法装置

[发明专利]一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置-CN202211553254.7有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长领域，公开了一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置，包括隔热层、坩埚部件和加热线圈，所述坩埚部件装置在隔热层的收纳空间中；所述坩埚部件具有晶体生长空间，在晶体生长空间顶部设置籽晶，在坩埚部件的侧壁上设置附加热源部件，所述附加热源部件包括靠近籽晶的第一附加热源部件和远离籽晶的第二附加热源部，且第二附加热源部件的一侧装置有伸入到晶体生长空间内的导热部件，导热部件将晶体生长空间分隔为相互连通的靠近籽晶的第一热空间和远离籽晶的第二热空间本发明提出的晶体生长装置，能够保证较高晶体生长速率的前提下提高晶体生长的均匀性。
一种用于升华生长氮化晶体生长装置

[发明专利]基于人工智能的晶体生长分析方法及系统-CN202010502352.2在审
发明人：程章勇;张云伟;陈颖超;杨丽雯;何丽娟;李百泉;靳丽婕;李天运;韦玉平;王丽君 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G16C20/70 文献下载
摘要：本发明公开了基于人工智能的晶体生长分析方法及系统。具体涉及到晶体生长领域，尤其是碳化硅晶体生长领域。该发明主要分为试验、仿真、人工智能三部分。试验是数据最可靠的来源，也是验证人工智能分析、仿真分析的有效方法；仿真是对试验数据的补充，也是分析晶体生长的重要辅助方法；人工智能主要用于提取参数中的特征数据并分析、评估，界定晶体生长范围的方法。这样有利于构建一个分析、评价、评估、验证晶体生长状况，也可以界定晶体生长边界条件。
基于人工智能晶体生长分析方法系统

[发明专利]一种用于AlN晶体生长的籽晶-CN201310006222.X有效
发明人：韩杰才;宋波;金雷;张化宇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
一种用于 aln 晶体生长籽晶

[发明专利]锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉-CN202111656465.9有效
发明人：程鹏;程波;陈元瑞 -专利权人：无锡晶名光电科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热
锑化铟晶体生长方法

[实用新型]一种晶体生长设备及晶体-CN202123056897.4有效
发明人：韩永飞;王欣;刘鹏涛 -专利权人：北京滨松光子技术股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现缺陷的问题。该晶体生长设备包括：生长炉，生长炉内具有生长炉腔；坩埚，设置于生长炉腔内，坩埚内可盛放晶体原料；感应线圈，设置于生长炉腔内，且围绕在坩埚外部；感应线圈驱动机构，与感应线圈连接，可在晶体生长的过程中，驱动感应线圈相对坩埚按照不同的速度向下移动本申请方案能平稳调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内液面上方的温度变化，使晶体生长界面的温度梯度与初始状态保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免晶体生长产生缺陷，极大提高了毛坯良品率和材料利用率
一种晶体生长设备晶体

[实用新型]μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉-CN201320733349.7有效
发明人：殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了µ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射µ-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。
xafs 技术原位测量熔融晶体生长结构微型

[实用新型]一种GaN晶体生长装置-CN201520345573.8有效
发明人：陈蛟;李成明;刘南柳;巫永鹏;罗睿宏;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。
一种 gan 晶体生长装置

[实用新型]一种晶体生长炉加热装置-CN202222706083.9有效
发明人：曹国峰;李勇;李思华 -专利权人：宁夏晶创智能装备有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长装置技术领域，且公开了一种晶体生长炉加热装置，包括晶体生长炉和底座，所述底座设置于晶体生长炉的底部，所述晶体生长炉包括炉室、进料口、电子观测口、出气口、副炉管、阀门、炉体、加热器和传动装置该晶体生长炉加热装置，通过在炉体的周围设置有不同的加热装置使得能精准对炉体加热的温度进行把控，底部采用电阻加热块进行热传导，保证加热的稳定性，炉体上方采用电磁加热，减少热量的衰减，同时能对炉体内的晶体生长进行阶梯加热，提高晶体生长效率底部设置的传动装置，将炉体在炉室内进行旋转，使得炉体受热均衡，保证晶体生长稳定。
一种晶体生长加热装置

[发明专利]一种晶体生长装置和一种Er;Yb双掺LuAG晶体及其制备方法-CN201810797964.1在审
发明人：王彪;权纪亮;朱允中;马德才;杨名鸣;龙思卫;杨鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法，涉及光电子材料技术领域。本发明提供的晶体生长装置包括下保温系、上保温系统和提拉控制系统，本发明提供的晶体生长装置适合高温晶体的生长，可以有效避免高温晶体生长的温场稳定性差和晶体生长过程中容易产生开裂的问题。使用本发明的装置进行晶体生长，整个生长过程可实现全自动化控制；使用该装置制备的Er,Yb双掺LuAG晶体热导率高，光学性能良好，适用于高功率激光器的工作物质。
晶体生长装置双掺制备高功率激光器高温晶体生长晶体生长过程全自动化控制光电子材料保温系统高温晶体工作物质光学性能晶体生长控制系统生长过程装置制备热导率提拉温场保温生长

[发明专利]全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法-CN202011157556.3在审
发明人：姜军;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;蔡春江;赵增林;刘永传;唐清云;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的内腔放置供晶体生长的生长坩埚，该生长坩埚放置于支撑装置上并能够随支撑装置一起沿竖直方向运动；在不锈钢炉内腔壁位于晶体结晶位置处设置有呈水平环状的多段全向加热装置，多段全向加热装置实现碲锌镉晶体生长过程中固液界面全向温度均匀的精确控制，使得晶体生长单晶率得到提升。本发明采用分段全向加热装置，能够提供均匀的全向温场，提高了晶体生长过程中的温度稳定性，为制备大单晶提供了技术保障。
全向加热控制碲锌镉晶体生长方法

[实用新型]一种晶体生长装置-CN201922114666.0有效
发明人：赵有文;段满龙;卢伟;杨俊;刘京明 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域；包括晶体生长炉；其特征在于，还包括底座以及角度调整装置；所述晶体生长炉具有转轴，所述晶体生长炉通过所述转轴安装在所述底座上，与所述底座可活动连接；所述角度调整装置的驱动端连接所述晶体生长炉的所述转轴；所述角度调整装置驱动所述转轴转动以调整所述晶体生长炉的倾斜角度。本实用新型的晶体生长装置结合相应的晶体制备工艺，除了满足晶体生长的需求，同时还能满足晶体退火的需求以及脱埚前的准备，保证了工序的连贯性，减少了部分人工作业；并且能够减少脱埚过程中对坩埚的损伤，使得长晶过程中出现栾晶及花晶的比例明显降低，进一步提高了晶体的质量。
一种晶体生长装置

[实用新型]一种晶体生长炉冷却装置-CN202222627946.3有效
发明人：曹国峰;李勇;李思华 -专利权人：宁夏晶创智能装备有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，且公开了一种晶体生长炉冷却装置，包括生长炉体和炉体盖板，炉体盖板的边缘螺纹连接有螺纹螺栓，生长炉体内部的底端表面焊接有转动装置，转动装置的顶端表面连接有晶体生长反应釜，生长炉体的后端螺纹连接有冷却机构，冷却机构的正面焊接有连接机构，生长炉体的后端安装有推动装置，生长炉体螺纹连接于炉体盖板的底端表面。该晶体生长炉冷却装置，注射装置将冷却液向冷凝管内部注射，让冷却液可以在冷凝管内部进行流动，同时转动装置带动晶体生长反应釜旋转，让冷凝管对晶体生长反应釜均匀快速降温，使得人们取拿晶体生长反应釜时，避免工作人员的皮肤被烫伤，可以花费少量时间等候，可以增加晶体产量。
一种晶体生长冷却装置