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[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN202210311915.9在审
发明人：具元泰;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：半导体器件包括：衬底，在垂直方向设置在衬底上的铁电层，设置在铁电层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的栅极绝缘层，以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。电荷俘获层包括金属有机骨架层和嵌入金属有机骨架层中的金属颗粒。
半导体器件制造方法

[发明专利]层叠型电子零件-CN202010583657.0有效
发明人：桥本英之;上野健之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠型电子零件，其具备包含经层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，多个电介质层具有多个晶粒，多个晶粒的至少一部分在晶粒内具有俘获部，具有俘获部的晶粒包含选自Ni、Cu、Pt、Sn、Pd和Ag中的至少一种元素，该元素偏在于俘获部。
层叠电子零件

[发明专利]采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法-CN200510106780.9无效
发明人：姜东勋;朴鲁政;朴玩浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管
采用载流子俘获材料极性纳米晶体管及其制造方法

[发明专利]一种非弹性散射和俘获伽马能谱联合解析方法-CN201410562681.0在审
发明人：袁超;周灿灿;程相志;宋连腾;李潮流;孔强夫 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G01V5/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种非弹性散射和俘获伽马能谱联合解析方法，该方法包括以下步骤：获取目标地层的非弹性散射伽马能谱和俘获伽马能谱，并从所述目标地层中选择参考元素；根据所述俘获伽马能谱获取所述参考元素的元素含量；本发明实现了可从非弹性散射伽马能谱中获取那些俘获辐射反应截面比较低而不能从俘获伽马能谱中获取元素含量的元素的含量。
一种非弹性散射俘获伽马能谱联合解析方法

[发明专利]一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法-CN202110205069.8在审
发明人：黎明;李小康;涂坤;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：所述无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管采用氮化硅和氧化铪双俘获层的设计，使得该电荷俘获型突触器件既可以模拟长时程的突触可塑性，又可以模拟短时程的突触可塑性，从而极大地丰富了突触晶体管的功能。此外通过改变编程方式，即通过一次编程，而后改变电荷俘获位置而不是电荷俘获量的方式，以及无隧穿氧化层和高k/金属栅组合，降低突触器件的操作电压。这种具备低压操作优势和可以模拟多功能突触可塑性的基于电荷俘获机制的突触晶体管有望应用到未来大规模人工神经网络中。
一种无隧穿氧化纳米线型突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种风电并网系统及其控制方法-CN202111376241.2在审
发明人：窦培林;李秀;赵世发;徐瑞;刘明琛;陈慧敏;张慧中;施琦 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： F03D9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种风电并网系统及其控制方法，包括风力俘获机群、气压传输线路和恒压发电及控制系统，其中，风力俘获机群包括若干风力俘获机，若干风力俘获机并联后通过气压传输线路与恒压发电及控制系统连接，恒压发电及控制系统包括多个储压舱；结构、原理简单，大大降低了风电并网的成本；控制流程简单，不易出错，可以有效保证系统的安全平稳运行；从传统风机进行改进，技术难度低，解决了传统风机难并网的难点问题；将空气发电技术与传统风机相结合，风能俘获效率高
一种并网系统及其控制方法

[发明专利]一种降低随机电报信号的像素结构-CN202211625259.6在审
发明人：陈多金;旷章曲;刘志碧;陈杰;龚雨琛;张富生 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：源跟随器106b采用空穴沟道，当沟道开启时，沟道俘获和释放空穴的效应弱于俘获和释放电子的效应。像素区的源跟随器SF和行选通管select管置于N阱中，SF正常工作时，沟道耗尽，空穴发生定向运动产生电流，与电子沟道相比，沟道俘获和释放空穴的几率远远低于俘获和释放电子的几率，有效的降低了因沟道硅氧界面俘获和释放载流子而产生的随机电报信号噪声
一种降低随机电报信号像素结构

[发明专利]多稳态振动能量俘获结构-CN201910564294.3有效
发明人：周生喜;王锁 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种多稳态振动能量俘获结构，包括支座，支座上部和底部分别安装有夹板和滑槽；其中，夹板包括左夹板和右夹板，悬臂梁通过螺栓固定于左夹板与右夹板之间，悬臂梁端部连接有端部永磁铁；滑槽侧面设有延长孔本发明通过引入非线性磁力实现多稳态效应，有效提高了能量俘获效率和能量俘获器的工作频带。本发明易于实现和调整多稳态结构，能够有效地提高能量俘获效率以及拓宽能量俘获器的工作频带。
稳态振动能量俘获结构

[发明专利]电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法-CN200910000359.8无效
发明人：金光玉;姜惠阑 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；通过选择性地蚀刻用于栅电极的导电层来形成栅电极；在栅电极侧壁上形成包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，第二间隔物由与第一间隔物不同的材料形成；和通过使用间隔物作为蚀刻阻挡层来蚀刻介电层和电荷俘获层，由此防止在蚀刻电荷俘获层时对栅电极的侵袭，并因此增加晶体管的可靠性和稳定性。此外，在一个或更多个实施方案中，垂直地形成电荷俘获层图案的侧壁，由此防止拖尾形成和对衬底的侵袭。
电荷俘获非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]防中子辐射涂料-CN200910013586.4无效
发明人：刘英;曹莉;梁平;刘慧;李慧;徐宁尉;曾宗鹏 -专利权人：刘英;曹莉;梁平;刘慧;李慧;徐宁尉;曾宗鹏
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C09D5/32 文献下载
摘要：本发明公开一种成本低廉、制作容易、俘获中子效果好、可有效防止中子辐射的涂料，是由中子慢化层及中子俘获层构成，所述中子慢化层是由重量百分比为50～60％的涂料与重量百分比为40～50％的中子慢化添加剂混合而成，所述中子俘获层是由重量百分比为50～60％的涂料与重量百分比为40～50％的中子俘获添加剂混合而成；所述中子慢化添加剂是由石墨粉和氧化铅粉混合而成，石墨粉与氧化铅粉的重量比是3∶1；所述中子俘获添加剂的组分及重量百分比是天然
中子辐射涂料

[发明专利]具有改善的性能的存储器件以及制造这种存储器件的方法-CN200680034861.5无效
发明人：罗伯图斯·T·F·范沙吉克;巴勃罗·加西亚特洛;迈克尔·斯洛特布曼 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体衬底上的非易失存储器，包括半导体基底层、电荷存储叠层、以及控制栅；基底层包括源和漏区以及位于源和漏区之间的载流沟道区；电荷存储叠层包括第一绝缘层、电荷俘获层和第二绝缘层，第一绝缘层位于载流沟道区上，电荷俘获层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于电荷俘获层上；控制栅位于电荷存储叠层上方；电荷存储叠层被设置成通过电荷载流子从载流沟道区直接隧穿通过第一绝缘层而在电荷俘获层中俘获电荷，其中载流沟道区是用于p
具有改善性能存储器件以及制造这种方法

[发明专利]根据井眼测量的地层水盐度-CN201780052163.6有效
发明人： S·马;内达尔·默罕默德·阿卜杜拉·阿尔穆沙尔菲;巴勃罗·J·萨尔敦加赖;哈罗德·普夫茨纳 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司;斯伦贝谢技术有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01V5/10 文献下载
摘要：各种方法可以使用从脉冲中子测井工具获得的非弹性和俘获伽马射线谱。各种实施例可以使用用于近探测器和远探测器的来自俘获谱的氯与来自非弹性谱的氧的比率以计算井眼和地层中的水的表观盐度比率。根据表观盐度比率，可以使用工具表征数据库计算井眼盐度和地层盐度，而不使用地层水饱和度进行计算。可以公开或保护其他实施例。
根据测量地层盐度

[发明专利]用于电荷俘获存储器的写入方法和系统-CN201480066620.3有效
发明人： D.拉古;C.N.Y.阿维拉;G.A.杜西亚;Y.董 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：在电荷俘获存储器中，否则可能将保持与未写入的字线相邻的数据沿着三个紧邻的字线被写入三次。保护中间的拷贝防止在任一侧的电荷迁移，并且该中间的拷贝被认为是用于以后读取的安全的拷贝。虚数据可以沿着多个字线被编程以格式化块用于良好的数据保持。
用于电荷俘获存储器写入方案

[发明专利]一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法-CN201710028176.1有效
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法，所述存储器包括：衬底、绝缘层、二维半导体材料沟道层、碳纳米管栅阵列、栅俘获结构、保护层、源接触电极和漏接触电极。所述栅俘获结构包括隧道层、电荷俘获层及阻挡层，其中，所述隧道层位于所述沟道层之上，所述阻挡层环绕所述碳纳米管栅阵列中碳纳米管的外侧面，所述电荷俘获层包括环绕所述阻挡层外侧面的第一部分及位于所述隧道层之上并与所述第一部分接触的第二部分本发明的后栅无结与非门闪存存储器采用二维半导体材料水平沟道，并采用了金属性碳纳米管栅阵列，且阻挡层及电荷俘获层环绕碳纳米管栅，不仅可以简化器件结构，提高存储单元密度，还可以获得更强的栅极电荷俘获性能。
一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法

[发明专利]一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法-CN202210762618.6在审
发明人：徐晓东;李兴冀;李伟奇;刘中利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，包括以下步骤：构建无缺陷和有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，a‑1和a+1，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置；计算构建得到的几种半导体材料结构的能量；采用公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面。本发明通过模拟计算的方式能够快速、准确计算半导体材料中的俘获截面，从而评估半导体材料的抗辐射性能，解决了传统的俘获截面计算过程中实验测试周期长、效率低的问题。
一种半导体材料缺陷俘获截面计算方法