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[实用新型]一种增加臭氧水中羟基自由基的装置-CN202223180241.8有效
发明人：周立偉;周政宽;周文洪 -专利权人：唐锋机电科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： A47K5/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种增加臭氧水中羟基自由基的装置，该装置包括杯体、设于杯体底部的臭氧发生器，以及设于杯体下端的底座；杯体的底面上设有透光部，透光部的下方设有紫外灯；装置还包括控制板，臭氧发生器和紫外灯均与控制板电连接，底座上设有避让控制板以及紫外灯的避让位，使用时，通过臭氧发生器使得杯体里面的水富含臭氧，同时通过紫外灯照射使得臭氧水产生羟基自由基，使用起来极其方便，而且相比较传统仅具有臭氧的臭氧水，羟基自由基可提高清洁和分解有机污染物的能力，大大提升了用户的使用体验感。
一种增加臭氧水中羟基自由基装置

[发明专利]一种红外焦平面探测器不稳定像元查找方法及系统-CN201911352927.0有效
发明人：黄立;凡陈玲;吴正虎;刘斌;周文洪 -专利权人：武汉高德红外股份有限公司;武汉高德微机电与传感工业技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：一种红外焦平面探测器不稳定像元查找方法及系统，方法包括：在红外焦平面探测器全温度区间进行图像校正并进行国标盲元替换；确定红外焦平面探测器背景温度，在每个背景温度下，采集n次开机工作的红外焦平面探测器成像的原始图像数据，获得多组原始图像数据；以原始图像数据中的某帧图像的像素点I(i，j)为中心，选取其周围M个像素点；计算像素点I分别与其周围M个像素点中的每一个像素点的像素值差值，得到M个像素值差值,并判断像素值差值大于预设阈值AD_thd的个数N；若N大于则判定该像素点I为不稳定像元；通过滑窗方式遍历每组原始图像数据中每帧图像面阵的所有像素点，得到每组原始图像数据中的不稳定像元列表。
一种红外平面探测器不稳定查找方法系统

[发明专利]烘烤机-CN201710350920.X有效
发明人：周立伟;周政宽;周文洪 -专利权人：唐锋机电科技（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： A47J37/06 文献下载
摘要：一种烘烤机，包括机座(100)、两块均呈板状设置的加热器件(200)固定于机座(100)上的辅助固定柱(400)以及两组均固定于辅助固定柱(400)并分别与一加热器件(200)对应的防倾组件(500)，防倾组件(500)包括固定于辅助固定柱(400)并位于加热器件(200)的一板侧的第一限位件(510)以及固定于辅助固定柱(400)并位于加热器件(200)的另一板侧并与第一限位件(510)的位置相对设置的第二限位件(520)，第一限位件(510)和第二限位件(520)之间的间距与加热器件(200)的厚度相匹配。通过辅助固定柱(400)和防倾组件(500)的设置，第一限位件(510)限制加热器件(200)往一侧倾斜，第二限位件(520)则限制加热器件(200)往另一侧倾斜，第一限位件(510)和第二限位件(520)共同限制了发热器件(200)的侧倾。
烘烤

[发明专利]一种碲镉汞材料的P型热处理方法-CN202211499583.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞材料的P型热处理工艺方法。本发明对外延生长得到的碲镉汞材料进行富汞热处理和真空热处理，根据碲镉汞材料的厚度确定富汞热处理的时间，并同时控制热处理的温度、真空退火处理的温度与时间，能够解决富汞热处理后P型碲镉汞材料电学参数不稳定的技术问题，同时还可以在一定温度范围内精确控制液氮温度下碲镉汞P型材料的载流子浓度，实现良好的批次稳定性，提高了碲镉汞材料退火热处理的良品率，非常适合批量生产使用，降低了生产成本。
一种碲镉汞材料热处理方法

[发明专利]一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法-CN202211499555.6在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法。本发明通过先合成均匀的金均匀掺杂的碲原料的方法，然后再将金均匀掺杂的碲原料与碲、镉、汞原料进行制备合成，解决了现有技术中由于金元素掺杂量低导致的难以准确称量，掺杂量难以精确控制的技术问题，称量方便，准确性高，可以得到金元素精确均匀掺杂的碲镉汞母液配料。
一种金元均匀分布碲镉汞母液配料及其制备方法

[发明专利]一种无线数据传输智慧电力监测预警控制器-CN202211395970.7在审
发明人：王毅;周文洪;王攀;赵翔 -专利权人：合肥耀安科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了控制器技术领域的一种无线数据传输智慧电力监测预警控制器，包括，控制器本体；过滤组件，包括两组结构相同的固定框，两组所述固定框分别与控制器本体的两侧连通，两组所述固定框上均贴合连接有过滤网，且过滤网上设置有与固定框固定的连接装置；散热组件，包括转动安装在左侧所述固定框内的丝杆一，所述丝杆上螺接有固定块，所述固定块的右侧铰接有安装杆，所述安装杆上均匀设置有风扇，风扇在移动的过程中，不仅可以全面地对控制器本体进行散热，且可以保持一直将热空气向上引出的效果，从而便于更加快速地对控制器本体进行散热，避免控制器本体因散热效率低，导致工作异常。
一种无线数据传输智慧电力监测预警控制器

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]天然气三甘醇脱水系统故障定位方法-CN202111056875.X在审
发明人：熊伟;宋伟;胡昌权;梁兵;龙俨丽;张波;张艳玲;周文洪 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F18/2431 文献下载
摘要：本发明涉及一种天然气三甘醇水系统故障定位方法，具体实施步骤如下：采集脱水装置正常运行时的过程数据进行标准化处理及主成分分解后得到主元模型；计算出脱水系统正常运行下的T2统计量和SPE统计值的控制限；导入在线过程数据并根据主元模型计算T2统计量和SPE统计量；若T2统计量和SPE统计量的值均超出控制限，则表明系统运行出现异常；求出各变量对超限SPE统计量的贡献率，得到异常变量及其符号；根据SDG模型及其推理规则搜索确认造成这些异常参数的设备故障源。通过本发明能准确识别出天然气脱水装置故障位置，有效减少诊断时间，提高脱水装置的检维修效率，保障设备的可靠运行。
天然气甘醇脱水系统故障定位方法

[发明专利]一种基于VR的消防物联网在线实训系统平台-CN202211395938.9在审
发明人：王毅;周文洪;王攀 -专利权人：合肥耀安科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于VR的消防物联网在线实训系统平台，包括：数包括：实训操作台、一体化VR装置、虚拟消防室，所述实训操作台通过物联网络与虚拟消防室内部的一体化VR装置连通，所述一体化VR装置包括万向行走平台、传感器、消防喷头、安装滑轨和消防防护设备,万向行走平台上四面均安装有传感器，且万向行走平台上方侧面设置的安装滑轨上滑动安装有消防防护设备。本发明一体化VR装置上设置用于检测救护人员防护的消防防护设备，可以检测在不同状态下救护人员的防护效果，同时采用实体转化为虚拟消防室，形成更好的三维空间模拟状态，并且内部设置不同的消防设备，适应不同的模拟场景环境。
一种基于 vr 消防联网在线系统平台

[发明专利]一种基于分程控制逻辑的就地控制系统-CN202110809599.3在审
发明人：朱愚;王晨煜;李正;程伟;阳梓杰;范劲松;江元媛;郑静;冯渝;江明;贺文广;叶虹;王俊超;周文洪;丁思升;陈芮;佟国君;张贻虎 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-07-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分程控制逻辑的就地控制系统，包括中央处理单元以及均与中央处理单元连接的信号采集单元、温度采集单元、通讯输出单元、报警输出单元、LED显示单元以及电源单元；信号采集单元对输入的电流信号进行差分采样并传送给中央处理单元；温度采集单元对温度传感器采集的信号进行差分采样并传送给中央处理单元；中央处理单元接收来自信号采集单元和温度采集单元传送的数字信号进行处理得到相应的电流值和温度值，再将电流值或/和温度值传送给报警输出单元和LED显示单元；通信传输单元接收来自中央处理单元的数据，并将数据进行远程传送。该控制系统利用ADC差分技术，将现场传感器输出差分并用于就地控制，可在实际生产过程中适应各种需要进行就地直接控制的执行器。
一种基于程控逻辑就地控制系统

[实用新型]一种食物料理机的分体式循环过滤结构-CN202221534878.X有效
发明人：周立偉;周政宽;周文洪 -专利权人：唐锋机电科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： A47J19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种食物料理机的分体式循环过滤结构，包括杯体容器，以及设于杯体容器底部的旋转刀具，还包括封盖杯体容器上端开口的杯盖，以及设于杯体容器内的过滤组件；过滤组件包括滤桶、设于滤桶上的固定架，以及供杯体容器底部的汁液回流至滤桶的回流管；回流管的入口位于杯体容器的内壁底部，旋转刀具上偏心设置有压入部，当旋转刀具旋转时压入部将汁液压入入口，杯体容器的内壁上设有防止固定架下坠的止位部；本实用新型通过旋转刀具和回流管以及滤桶的互相配合，可有效的降低蔬果汁液中的残渣果核等固态颗粒含量，也可起到防止堵塞情况的发生，丰富了食物料理机的产品功能，提升了用户的使用体验感。
一种食物料理体式循环过滤结构

[发明专利]一种GaSb衬底低温脱氧方法以及HgCdSe外延材料的制备方法-CN202211356918.0在审
发明人：黄晟;黄立;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于硒镉汞红外探测器技术领域，提供了一种衬底低温脱氧技术及外延材料的制备方法。采用裂解的原子氢或氢等离子体对GaSb衬底进行低温脱氧处理，代替了现有技术中采用Sb束流高温脱氧处理的工艺，实现了用于HgCdSe材料外延制备的GaSb衬底在无Sb束流保护下进行彻底地脱氧处理，减少了Sb元素对HgCdSe外延层的污染。低温的条件下进行GaSb衬底的脱氧处理，使得HgCdSe外延材料制备工艺过程的初始温度大幅降低，从而有利于降低MBE腔体的背景杂质浓度，提高HgCdSe外延材料的电学性能。
一种 gasb 衬底低温脱氧方法以及 hgcdse 外延材料制备

[发明专利]一种GaSb衬底低温脱氧方法以及HgCdSe外延材料的制备方法-CN202211356920.8在审
发明人：黄晟;黄立;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于硒镉汞红外探测器技术领域，提供了一种衬底低温脱氧技术及外延材料的制备方法。采用Ga束流对GaSb衬底进行低温脱氧处理，代替了现有技术中采用Sb束流高温脱氧处理的工艺，实现了用于HgCdSe材料外延制备的GaSb衬底在无Sb束流保护下进行彻底地脱氧处理，减少了Sb元素对HgCdSe外延层的污染。低温的条件下进行GaSb衬底的脱氧处理，使得HgCdSe外延材料制备工艺过程的初始温度大幅降低，从而有利于降低MBE腔体的背景杂质浓度，提高HgCdSe外延材料的电学性能。
一种 gasb 衬底低温脱氧方法以及 hgcdse 外延材料制备

[发明专利]一种超高真空腔体支撑装置及其使用方法-CN202211291755.2在审
发明人：黄晟;黄立;刘永锋;王晓碧;吴佳;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高真空腔体支撑装置及其使用方法，该支撑装置包括真空腔支撑腿和水冷循环机构，所述真空腔支撑腿包括支撑杆和水冷套，所述支撑杆套装于水冷套内，所述水冷套的上端和下端分别设有水冷出口和水冷进口，该水冷出口和水冷进口分别与所述水冷循环机构的进水口和出水口连接，形成水冷循环回路。该发明通过设计水冷循环机构对真空腔支撑腿进行持续冷却降温，保持真空腔支撑腿烘烤过程中温度恒定，有效降低不锈钢材料制作的真空腔支撑腿在高温条件下发生膨胀而产生系统纵向位移的问题，减小了系统的应力。
一种超高空腔支撑装置及其使用方法

[发明专利]一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构-CN202211190849.0在审
发明人：黄立;金迎春;刘斌;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种焦平面阵列探测器的倒装对准结构。本发明的倒装焊结构包括有具有自对准效果的凸点‑限位结构，凸点‑限位结构能够将传统倒装焊工艺过程中像素互连凸点横向侧滑的不利因素转化为有利条件，使光敏阵列与读出电路能够实现自对准，从而完成二者像素互连结构的精确对位和倒装焊，能够批量化实现10μm以下中心距焦平面阵列探测器的制备。
一种平面阵列探测器倒装对准结构

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