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[发明专利]形成开口于下方层中的方法-CN201810957232.4有效
发明人：林子扬;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。
形成开口下方中的方法

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201710565649.1有效
发明人：赖韦翰;王建惟;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：光刻图案化的方法包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光敏剂包含共振环，且共振环包含氮与至少一双键。方法亦包括对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。方法亦包括显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。
光刻图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110334311.1在审
发明人：魏嘉林;翁明晖;刘之诚;郭怡辰;陈彥儒;郑雅如;李志鸿;张庆裕;李资良;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN201680077924.9有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：一种制造可见光谱光学部件的方法，包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构-CN200710002192.X有效
发明人：王明俊;陈薏新;杨闵杰;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种修整硬掩模层的方法，提供一基底、一硬掩模层、一三层堆叠层位于基底上。三层堆叠层包括有一顶层光致抗蚀剂、一含硅层以及一底层光致抗蚀剂。依序图案化顶层光致抗蚀剂、含硅层、底层光致抗蚀剂和硬掩模层，然后对硬掩模层进行一修整工艺。由于本发明的底层光致抗蚀剂较薄且蚀刻过程中有所耗损，所以不会发生光致抗蚀剂线倒塌的情况。
修整硬掩模层方法形成晶体管栅极堆叠结构

[发明专利]使蚀刻底切最小化及提供清洁金属剥离的方法-CN201310105928.1有效
发明人：周显辉;陈艳 -专利权人： WJ通信公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量敏感的顶部层抗蚀剂图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量敏感。然后，通过各向异性蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面衬底。使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。
蚀刻最小化提供清洁金属剥离方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110047011.5在审
发明人：翁明晖;刘朕与;刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
制造半导体器件方法

[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置-CN201820185391.2有效
发明人：丰田裕二;后闲宽彦 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置在用于使形成有抗蚀剂层的基板的抗蚀剂层薄膜化而使用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够解决薄膜化处理液向浸渍槽的上游侧逆流、抗蚀剂层的薄膜化量不均匀的问题在具备薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，薄膜化处理单元具有装有薄膜化处理液的浸渍槽，借助对浸渍槽的入口辊对的上侧辊施加载荷的载荷机构，防止薄膜化处理液向上游侧的逆流。
抗蚀剂层薄膜化处理薄膜化装置浸渍槽薄膜化逆流施加载荷载荷机构上游不均匀入口辊侧辊基板

[发明专利]光致抗蚀剂脱除剂-CN200410002076.4有效
发明人：池本一人 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的光致抗蚀剂脱除剂包含由摩尔比为0.8或0.8以下的甲醛与烷醇胺进行反应而得到的反应产物。该光致抗蚀剂脱除剂能在低温下，在短时间内迅速除去涂敷在各种基体上的光致抗蚀剂层、经蚀刻后留下的光致抗蚀剂层以及经蚀刻磨光后的光致抗蚀剂残留物。该光致抗蚀剂脱除剂在除去光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂残留物时不会对基体、导线材料、绝缘层等产生腐蚀作用，因而能实施精细加工和制成高精密电路。
光致抗蚀剂脱除

[发明专利]具有垂直互连件的可堆叠全模制半导体结构-CN202080044793.0在审
发明人： T·L·奥尔森;E·赫德森;C·必绍普 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可以包括：提供载体并且在载体上形成具有通过第一光致抗蚀剂的第一开口的第一光致抗蚀剂。可以在第一光致抗蚀剂上形成不平坦的导电晶种层，并且所述导电晶种层通过第一光致抗蚀剂共形地延伸至第一开口中。可以在第一光致抗蚀剂上和不平坦的导电晶种层上形成第二光致抗蚀剂。可以对第二光致抗蚀剂层进行图案化，以形成通过第二光致抗蚀剂延伸至不平坦的导电晶种层的第二开口。可以在不平坦的导电晶种层上和第二开口内镀覆导电柱。可以去除第二光致抗蚀剂而将第一光致抗蚀剂留在原处。可以利用模制化合物密封半导体晶粒、导电柱和第一光致抗蚀剂。
具有垂直互连堆叠全模制半导体结构

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN202010472363.0有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理。制造可见光谱光学部件的方法包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]光致抗蚀剂图案的形成方法以及修整方法-CN200410082014.9无效
发明人：吴得鸿;张圣岳;黄正惠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种形成光致抗蚀剂图案的方法，此方法是首先在衬底上形成光致抗蚀剂层，之后对光致抗蚀剂层进行一曝光工艺。接着，进行一显影工艺以使光致抗蚀剂层形成一图案化光致抗蚀剂层。然后，对此图案化光致抗蚀剂层进行多重修整步骤，其中此多重修整步骤包括进行至少一次的碱性溶液处理步骤以及/或是至少一次的中性溶液处理步骤，以改善光致抗蚀剂图案的轮廓粗糙度、特征尺寸均匀度以及特征尺寸缩小化
光致抗蚀剂图案形成方法以及修整

[发明专利]用于形成自对准互连结构的方法-CN202010748783.7在审
发明人：刘如淦;张世明;伍海涛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而反射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的入射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；以及显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层。
用于形成对准互连结构方法

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]用以使用二次曝光界定多个层图案的方法-CN201510859496.2有效
发明人：翁明晖;张庆裕;陈俊光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成底部潜在图案。通过第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成顶部潜在图案，其中顶部潜在图案与底部潜在图案至少部分地重叠。显影第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层以及保护层，以形成分别来自底部潜在图案及顶部潜在图案的第一主要特征及第二主要特征及保护层中的与第二主要特征垂直对准的开口。
用以使用二次曝光界定多个层图案方法