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[发明专利]蓝宝石薄膜涂布基材-CN201780061301.7有效
发明人：谢国伟;林永锐;陈余伟 -专利权人：浸大科研发展有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：一种抗反射涂层，其包括一含有蓝宝石或Al2O3的最顶抗反射材料层，一或多个中间抗反射材料层，一沉积在基材的顶部的最底抗反射材料层，其中，该最顶抗反射材料层、该一或多个中间抗反射材料层与该最底抗反射材料层的折射率相对于彼此是交替地较高与较低。位于一基材上的该抗反射涂层能够形成为高抗刮层。
蓝宝石薄膜基材

[发明专利]抗反射材料-CN201780063069.0在审
发明人：高林尚史 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种抗反射材料，和光半导体被该抗反射材料密封而成的光半导体装置，该抗反射材料具有充分的抗反射功能，并可以防止光源的总光通量降低，并且具有高耐热性(特别是耐热水性)。本发明的目的在于提供一种抗反射材料，以及光半导体被该抗反射材料密封而成的光半导体装置，所述抗反射材料包含分散有疏水性多孔无机填料的树脂组合物的固化物，其中，该固化物的表面上形成有抑制反射的凹凸。
抗反射材料光半导体装置光半导体固化物密封多孔无机填料抗反射功能树脂组合物高耐热性耐热水性总光通量疏水性反射光源

[发明专利]抗反射材料-CN201780063063.3在审
发明人：高林尚史 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供，具有充分的抗反射功能并可以防止光源的总光通量降低、并且具有高耐热冲击性的抗反射材料、和光半导体被该抗反射材料密封而成的光半导体装置。本发明的目的在于提供抗：一种抗反射材料，其包含分散有多孔填料(A)的树脂组合物的固化物，其包含分散有多孔填料(A)的树脂组合物的固化物，其中，所述多孔填料(A)在所述固化物的表面上形成抑制反射的凹凸，所述树脂组合物含有或羧基作为能够与脂环式环氧树脂反应的官能团，所述橡胶粒子的平均粒径为10nm～500nm，最大粒径为50nm～1000nm，所述橡胶粒子的折射率与所述树脂组合物的固化物的折射率之差在±0.02之内，多孔填料(A)相对于抗反射材料总量以及，光半导体元件被上述抗反射材料所密封而得的光半导体装置。
抗反射材料橡胶粒子树脂组合物多孔填料固化物脂环式环氧树脂光半导体装置折射率密封光半导体元件酸酐类固化剂固化促进剂环氧化合物抗反射功能丙烯酸酯光半导体核壳结构平均粒径总光通量最大粒径聚合物冲击性高耐热羟基羧基反射光源

[发明专利]一种降低半导体大马士革铜工艺中表面反射率的方法-CN200510029399.7有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低半导体大马士革铜工艺中表面反射率的方法，在半导体大马士革铜工艺中，完成对通孔介质层的填充材料的刻蚀后，在无机抗反射层和通孔填充材料上涂布有机抗反射层，使得无机抗反射层、通孔填充材料和有机抗反射层共同形成多层抗反射层，然后在有机抗反射层上涂布单层光敏感材料，进行光刻、金属导线槽刻蚀、去胶、清洗，完成大马士革的制造工艺。
一种降低半导体大马士革工艺表面反射率方法

[发明专利]显示面板-CN202010407586.9有效
发明人：赵永超 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板，该显示面板包括：阵列基板、以及位于阵列基板上的光学功能层和抗反射层，抗反射层的材料包括含硫材料。其中，抗反射层的折射率在抗反射层相邻的两膜层的折射率之间。本申请通过具有含硫材料的抗反射层的设置，使抗反射层的折射率在抗反射层相邻的两膜层的折射率之间，减少了显示面板对于外界光的反射，提升了显示面板的显示效果。
显示面板

[发明专利]红外线的抗反射透镜-CN202010921499.5在审
发明人：洪承赞;李一洲;李承祐;许智赫 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;高丽大学教产学协力团
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外线的抗反射透镜。公开了一种红外线的抗反射透镜及其制造方法，该红外线的抗反射透镜消除了红外波段的波长，从而提高了抗反射效果。红外线的抗反射透镜可以是用在红外波段的抗反射透镜。抗反射透镜包括：透镜基体部和抗反射涂层部，所述透镜基体部包括基体折射材料，所述基体折射材料的折射率约为3.0或更高；所述抗反射涂层部形成于透镜基体部的前表面。
红外线反射透镜

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201610819304.X有效
发明人：陈劲达;谢铭峯;吴汉威;林育贤;刘柏均;陈彦廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：第一、第二及第三沟渠部分填入一第一导电材料。一第一抗反射材料覆盖于第一、第二及第三沟渠之上。第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。执行一第二回蚀刻制程以部分移除第一及第二沟渠中的第二抗反射材料。之后，部分移除第一及第二沟渠中的第一导电材料。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法-CN201010267570.9有效
发明人：罗大杰;安辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对晶片烘烤持续第一时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；以第二温度对晶片烘烤持续第二时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用第一厚度和第二厚度来测量底部抗反射涂层的材料的挥发特性。根据本发明的方法，可以在半导体制造过程中，对于不同底部抗反射涂层材料的“挥发度”特性进行测量。能够保证在进行测量和分析后得出准确的结论，有助于通过简便的步骤得到底部抗反射涂层材料的最优方案，用以选择最低“挥发度”特性的底部抗反射涂层材料，从而降低底部抗反射涂层导致的机台故障等风险。
用于测量底部反射涂层材料挥发特性方法

[发明专利]利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法-CN201811396503.X有效
发明人：孙磊;刘玉征 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法，包括：步骤S1，提供半导体器件，其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层，刻蚀介质层及部分蚀刻停止层并停在蚀刻停止层中；步骤S2，沉积抗反射材料并回刻；步骤S3，沉积光阻材料，显影打开工艺窗口；步骤S4，刻蚀光阻材料和抗反射材料；步骤S5，干法刻蚀介质层和抗反射材料，刻蚀后抗反射材料顶面高于蚀刻停止层顶面；步骤S6，去除剩余的抗反射材料；步骤S7，继续刻蚀蚀刻停止层并停至金属层中本发明将介质层开口做大形成锥形形貌时保留部分抗反射材料再去除抗反射材料、打开蚀刻停止层，从而保证蚀刻停止层底部不被破坏，减少铜侵蚀导致的晶圆可接受性测试中电阻值异常偏离的情况。
利于填充重新布线锥形形貌制作方法

[发明专利]抗反射涂布材料及包含其的抗反射涂膜-CN201010135186.3有效
发明人：庄文斌;陈魏素美;沈永清;张义和 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09D183/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抗反射涂布材料及包含其的抗反射涂膜。该抗反射涂布材料包含以下步骤所得的产物：提供一聚硅倍半氧烷；将该聚硅倍半氧烷与一硅氧烷化合物反应得到一中间产物；将该中间产物与一低折射率化合物反应，得到该抗反射涂布材料。进而，将该抗反射涂布材料涂布于一基材上，得到一涂布层；以及将该涂布层固化以形成一抗反射涂膜。
反射材料包含

[发明专利]抗反射膜材料以及利用所述材料制造半导体器件的方法-CN98101557.3无效
发明人：佐本典彦;岩崎治夫;西沢厚;吉井刚;吉野宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-04-17 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：通过在半导体基片上形成的工件膜上涂敷一种抗反射膜形成材料形成抗反射膜，然后形成光致抗蚀膜。此时，该抗反射膜形成材料包括包括构成所述材料的基本树脂和添加到所述基本树脂中的添加树脂，所述添加树脂组具有比基本树脂高的干蚀率。通过对抗蚀膜辐射和显影形成抗蚀膜图形。然后利用抗蚀膜图形作为掩模对抗反射膜选择地蚀刻。因而，利用抗蚀膜图形和抗反射膜作为掩模选择地对工件进行蚀刻。
反射材料以及利用制造半导体器件方法

[发明专利]一种超短焦抗光结构的制作方法-CN201811531764.8有效
发明人：廖巧生;黄少云 -专利权人：烟台市谛源光科有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G03B21/60 文献下载
摘要：本发明涉及短焦投影技术领域，提供了一种超短焦抗光结构的制作方法，包括在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层；在反射层上均匀覆盖光阻材料；选定区域进行曝光；显影去除被曝光的光阻材料，露出所述区域内的反射层；刻蚀掉露出的反射层上的金属材料，形成抗光侧；去除剩余的光阻材料，露出反射层，得所述抗光结构。借此，本发明通过在光学微结构上均匀沉积金属材料，再在金属材料上覆盖光阻材料；之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影，再去除掉露出的金属材料，形成抗光侧；最后去除剩余的光阻材料形成反射层。获得了特定分布的反射层结构，避免了现有技术的缺陷，得到了高品质的抗光结构。
一种超短焦抗光结构制作方法

[发明专利]一种半导体结构的图形形成方法-CN201710571872.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的图形形成方法，包括：提供基底，于基底上依次形成目标材料层、第一抗反射材料层、第二抗反射材料层及光刻胶层，图形化光刻胶层以形成预设图案，以具有预设图案的光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二抗反射材料层进行刻蚀，第一刻蚀气体包括光刻胶刻蚀减缓气体，以使第二抗反射材料层与光刻胶层的刻蚀选择比大于3:1，以第二抗反射层为掩膜，采用第二刻蚀气体对第一抗反射材料层进行刻蚀，以第一抗反射层为掩膜对目标材料层进行刻蚀，以形成具有预设图案的目标层
一种半导体结构图形形成方法

[发明专利]一种富硅抗反射涂层树脂材料及其制备方法-CN202310535538.1在审
发明人：李天昊;宋育杰;董鹏;卢营;何流;黄庆 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种富硅抗反射涂层树脂材料及其制备方法。本发明的富硅抗反射涂层树脂材料的制备原料包括环硅氧烷、含吸光基团的环硅氧烷和含交联基团的环硅氧烷。含吸光基团的环硅氧烷可以控制树脂的光学参数，含交联基团的环硅氧烷提供交联位点，制备的富硅抗反射涂层树脂材料可以满足不同应用场景下对富硅抗反射涂层刻蚀速率和抗反射功能的需求。
一种富硅抗反射涂层树脂材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011246378.1在审
发明人：左权 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层中形成开口；在所述开口中形成抗反射涂层，在形成所述抗反射涂层时，在所述基底四周施加交流电。由于形成所述抗反射涂层时，在所述基底四周施加了交流电，交流电会产生垂直于基底表面的磁场力，由于抗反射涂层材料中部分粒子具有微弱的电荷，当开口中填充的抗反射涂层材料中形成有孔洞或者气泡缺陷时，所述抗反射涂层材料中带微弱电荷的粒子在磁场力的作用下能挤压所述孔洞或者气泡缺陷，使得孔洞或者气泡缺陷的能减小或者消失，从而使得形成的抗反射涂层能很好的填充所述开口。
半导体结构形成方法

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