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[实用新型]一种半导体光放大装置-CN202320784492.2有效
发明人：梁远辉;胡礼初;李军 -专利权人：昂纳科技（深圳）集团股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体光放大装置，涉及半导体光放大器领域。本申请包括相对设置的第一半导体光芯片与第二半导体光芯片；所述第二半导体光芯片与第一半导体光芯片的光路相通；所述第一半导体光芯片用于通电后输出第一ASE光，所述第二半导体光芯片用于通电后接收所述第一ASE光并对所述第一ASE光进行增益放大后输出，通过调节第一半导体光芯片与第二半导体光芯片上的电流提升装置实际输出的光功率。
一种半导体放大装置

[发明专利]光半导体封装用树脂成型物、光半导体封装材料以及光半导体装置-CN202011595900.7在审
发明人：藤井宏中;山根实;松尾晓;大田真也;姫野直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及光半导体封装用树脂成型物、光半导体封装材料以及光半导体装置。本发明提供不易产生破裂、成型时不易产生空隙的光半导体封装用树脂成型物、以及使用该光半导体封装用树脂成型物得到的光半导体封装材料和光半导体装置。一种光半导体封装用树脂成型物，其用于最薄部的厚度为300μm以下的光半导体封装材料，所述光半导体封装用树脂成型物的压缩率为90％以上，并且所述光半导体封装用树脂成型物中的粒径为125μm以下的粒子的比例为
半导体封装树脂成型材料以及装置

[发明专利]光半导体模块及采用其的半导体器件-CN200510087781.3无效
发明人：沼田英夫;田窪知章;古山英人;滨崎浩史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光半导体模块，其具备具有光传送路的定位部、配置在该定位部上的光传送路的一端面露出的光半导体搭载面以及形成在光半导体搭载面上的布线层的导向单元。光半导体元件，以其发光面或受光面与光传送路的一端面对向的方式，搭载在导向单元的光半导体搭载面上，并且与布线层电连接。驱动光半导体元件的驱动用半导体元件，与光半导体元件相邻地配置，内置在光半导体模块内。
半导体模块采用半导体器件

[发明专利]光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法-CN201180052888.8无效
发明人：塩野嘉幸;市六信広;岩田充弘;小材利之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种光半导体装置用粘着剂，其是用以在从基材薄片上捡取自晶片切出并经分类的光半导体元件并且将前述光半导体元件搭载于光半导体装置内的元件装设部后，将前述光半导体元件固化粘着于前述元件装设部，其特征在于由此，能提供一种光半导体装置用粘着剂、光半导体装置用粘着剂薄片、光半导体装置用粘着剂薄片的制造方法及光半导体装置的制造方法，其能效率良好地制造光半导体装置，特别是能效率良好地进行直到将以LED、LD为首的光半导体元件，固定于光半导体装置的元件装设部为止的作业，并且能提高制造光半导体装置的生产性。
半导体装置粘着薄片制造方法

[发明专利]发光设备-CN201280012652.6有效
发明人：克里斯蒂安·盖特纳;阿莱斯·马尔基坦;扬·马费尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种发光设备，所述发光设备具有：至少一个第一发光半导体器件（1），所述第一发光半导体器件在运行中放射红光；至少一个第二发光半导体器件（2），所述第二发光半导体器件具有波长转换元件；以及至少一个第三发光半导体器件（3），所述第三发光半导体器件具有波长转换元件，其中第二发光半导体器件和第三发光半导体器件（2，3）分别放射蓝色的初级光和转换的次级光并且第二发光半导体器件和第三发光半导体器件（2，3）的初级光和次级光的相应的叠加具有不同的色度坐标
发光设备

[发明专利]光半导体装置-CN202080106047.X在审
发明人：永尾龙介;望月敬太;柳乐崇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本公开所涉及的光半导体装置具备：半导体基板；至少一个半导体激光器，设置于半导体基板；光合分波回路，设置于半导体基板，对半导体激光器的第一输出光进行合波或分波，并输出第二输出光和第三输出光；第一导波部，设置于半导体基板，从半导体基板的端面输出第二输出光；以及第二导波部，具有放大第三输出光的光放大器和反射部，并设置于半导体基板，反射部具有衍射光栅，该衍射光栅反射由光放大器放大后的第三输出光，并经由光放大器和光合分波回路反馈到半导体激光器，半导体激光器和反射部形成谐振器。
半导体装置

[发明专利]光半导体密封用树脂组合物和树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置-CN202210294453.4在审
发明人：内藤龙介;山根实;松尾晓;萩原拓人;大田真也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08L63/02 文献下载
摘要：本发明涉及光半导体密封用树脂组合物和树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置。本发明提供保存稳定性优异的光半导体密封用树脂组合物、以及使用了该光半导体密封用树脂组合物的光半导体密封用树脂成型物、光半导体密封材料和光半导体装置。一种光半导体密封用树脂组合物，其中，所述光半导体密封用树脂组合物包含环氧树脂、酸酐类固化剂、酚类固化剂以及吸收可见光的染料和/或颜料，并且在制成固化物(尺寸：直径50mm×厚度1mm的圆柱状)时，波长650nm
半导体密封树脂组合成型密封材料装置

[发明专利]光半导体电极、光电化学电池以及能量系统-CN201380050204.X有效
发明人：小泽宜裕;田村聪;宫田伸弘;藏渕孝浩;野村幸生;羽藤一仁 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明的光半导体电极(400)具备：导电体(410)；和被设置在导电体(410)上的光半导体层(第1半导体层)(420)。光半导体层(420)包含：光半导体(例如光半导体膜(421))、和含有铱元素的氧化物(例如氧化铱(422))。含有铱元素的氧化物的费米能级，在真空能级基准下，比所述光半导体的费米能级更为负，并且比-4.44eV更为负。
半导体电极光电化学电池以及能量系统

[发明专利]显示体和光半导体元件密封用片-CN202310290325.7在审
发明人：长束尚辉;仲野武史;浅井量子;田中俊平;植野大树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：显示体(1)具备基板(2)、配置在基板上的多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)、以及将多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)密封的密封树脂层(4)。密封树脂层从光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)侧起依次包含着色层(41)和非着色层(42)。在通过光半导体元件(3a)的重心(GA)和与光半导体元件(3a)在同一像素(3)内相邻的光半导体元件(3b)的重心(GB)的、相对于基板表面而言的垂直面剖面中，着色层的位于光半导体元件(3a)的正面侧的部分的截面积(S1)小于着色层的位于光半导体元件(3a)与光半导体元件(3b)之间的部分的截面积(S2)。
显示半导体元件密封

[实用新型]高亮度超薄光半导体器件-CN200420030046.X无效
发明人：陈洪花 -专利权人：陈洪花
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种高亮度超薄光半导体器件，它包括光半导体芯片和两条连接该光半导体芯片的金线以及封装光半导体芯片的透光还氧树脂罩，其特征是：在光半导体芯片的下部设有由正极引线框架和负极引线框架构成的引线框架，两条连接光半导体芯片的金线分别与正、负极引线框架相连，光半导体芯片通过绝缘透明胶与设在负极引线框架上的芯片座垫相连。与现有技术相比大大提高了光半导体器件的发光亮度；使光器件受热冲击带来的应力最小化，并实现了光半导体器件的超薄型化。
亮度超薄半导体器件

[发明专利]半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法-CN200910162143.1无效
发明人：金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件半导体封装及其制造方法

[发明专利]光半导体装置、光模块以及光半导体装置的制造方法-CN201880097440.X在审
发明人：小川喜之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：光半导体装置(90)具备：光半导体芯片(1)，其在半导体基板(30)形成有至少一个光元件(6)；和延伸布线图案(3)，其与光元件(6)的第一电极(38)及第二电极(39b)连接，并且延伸到光半导体芯片(光半导体装置(90)的第一电极(38)及第二电极(39b)形成于光半导体芯片(1)的表面侧，并且延伸布线图案(3)配置于光半导体芯片(1)的表面或者从表面离开的位置。
半导体装置模块以及制造方法

[实用新型]光半导体装置-CN201220025472.9有效
发明人：土居芳行;村本好史;大山贵晴 -专利权人： NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光半导体装置，该光半导体装置包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件；在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰、小型且简单，并且可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差外，减小背面上的接触电阻，改善串扰，保护光半导体元件免受外部环境影响
半导体装置

[发明专利]半导体光集成元件-CN202080013809.1在审
发明人：西田昌义;石井启之;铃木理仁 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够抑制来自半导体光放大器等正向偏置光元件的漏电流向反射镜的流入，并防止谱线宽度的宽大化的半导体光集成元件。半导体光集成元件是在半导体基板的上表面单片集成有正向偏置光元件和半导体激光器的半导体光集成元件，具备：无源波导部，其配置于所述正向偏置光元件与所述半导体激光器之间；以及接地电极，其配置于所述半导体基板的下表面，所述半导体激光器在所述正向偏置光元件侧具有具有长度的反射镜，所述正向偏置光元件在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有正向偏置光元件电极，所述无源波导部在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有无源波导电极
半导体集成元件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010504391.2无效
发明人：刘巍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：具有光器件区域和电器件区域的半导体衬底；刻蚀该光器件区域形成的光导层；形成于该光导层下方的半导体衬底中的第一氧化层；覆盖该光导层表面的第三氧化层。本发明还提供了制造半导体器件的方法：提供半导体衬底，该半导体衬底包括光器件区域和电器件区域，刻蚀光器件区域形成光导层；然后在光导层的表面形成第二氧化层，再利用湿法刻蚀的方式去除第二氧化层；形成覆盖光导层表面的第三氧化层；最后在半导体衬底中注入氧离子，以在光导层下方的半导体衬底中形成第一氧化层。根据该半导体器件及其制造方法，避免半导体器件发生光泄漏现象，并可使在同一块半导体器件上集成光器件基板和电器件基板更为便利。
半导体器件及其制造方法

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