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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子体处理系统和等离子体处理方法-CN202111174570.9有效
发明人：茂山和基;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
等离子体处理系统方法

[发明专利]静电卡盘的制造方法和静电卡盘-CN201810736687.3有效
发明人：多贺敏;小林義之;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及向所述第一电极层上喷镀陶瓷或含有陶瓷的物质，其中，喷镀所述陶瓷或含有陶瓷的物质的步骤包括以下步骤：利用等离子体生成气体来运送从给料机投入到喷嘴内的喷镀材料的粉末，从喷嘴的前端部的开口喷射该粉末；利用500W～10kW的电力使所喷射的等离子体生成气体解离，来生成与所述喷嘴具有共同的轴芯的等离子体；以及利用生成的等离子体使喷镀材料的粉末以液状在所述第一电极层上成膜。
静电卡盘制造方法

[发明专利]等离子体处理系统和等离子体处理方法-CN201910079546.3有效
发明人：茂山和基;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
等离子体处理系统方法

[发明专利]成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法-CN202110949168.7在审
发明人：石井贵之;永关一也;斋藤道茂 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C18/14 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内，保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热，将供给来的成膜材料熔融。
装置具有含硅膜部件制造方法

[发明专利]载置台及基板处理装置-CN202110630640.0在审
发明人：石井贵之;永关一也;斋藤道茂 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0×10‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成的第2构件；以及在上述第1构件和上述第2构件的至少任一者的内部形成的温度调节介质的流路。
载置台处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202110735397.9在审
发明人： 永关一也;茂山和基;松田俊也;古谷直一;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110659565.0在审
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]部件搬运装置和处理系统-CN202110187416.9在审
发明人：茂山和基;永关一也;松田俊也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供容易地进行消耗部件的更换的部件搬运装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内，在前端具有末端执行器，能够经开口部从处理装置运出使用后的消耗部件并将其收纳在部件收纳部内，将使用前的消耗部件从部件收纳部取出并经开口部运入处理装置内。移动机构具有动力源，使部件搬运装置移动。
部件搬运装置处理系统

[发明专利]部件更换方法-CN202110187517.6在审
发明人：茂山和基;永关一也;松田俊也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供部件更换方法，其能够缩短伴随消耗部件的更换的处理装置的停止期间。第一推算步骤推算处理装置的消耗部件的更换时期。确定步骤将更换时期之前的期间中的由处理装置进行的基片的处理最终结束后的时刻确定为消耗部件的可更换时刻。第二推算步骤推算部件运送装置移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置所需的第一移动时间。第三推算步骤推算直到使已移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置的部件运送装置成为能够进行消耗部件的更换的状态为止的准备所需的第一准备时间。发送步骤在比可更换时刻提早了第一移动时间和第一准备时间的合计时间量的时刻之前的时刻，向部件运送装置发送更换指示，来对部件运送装置指示消耗部件的更换。
部件更换方法

[发明专利]排气装置、处理装置以及排气方法-CN201811464877.0有效
发明人： 永关一也;茂山和基;松田俊也;古谷直一;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
排气装置处理装置以及排气方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810939779.1有效
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN202011335819.5在审
发明人：久保田绅治;永关一也;桧森慎司;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
等离子体处理方法装置

[发明专利]半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置-CN201811440918.2有效
发明人：须川直树;佐藤直行;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
半导体制造装置部件以及

[发明专利]部件、部件的制造方法和基片处理装置-CN202011071885.6在审
发明人：石井贵之;永关一也;斋藤道茂;金子彰太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供部件、部件的制造方法和基片处理装置，能够提高覆盖含硅的铝材的氧化膜的均匀性。所提供的部件是用于基片处理装置的部件，上述部件由含硅的铝形成，硅粒径为1μm以下。
部件制造方法处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202011544996.4在审
发明人：久保田绅治;永关一也;横田聪裕;玉虫元 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。
处理方法装置

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