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[发明专利]层间介电层的形成方法-CN202111231177.9在审
发明人：李凯楠;金立培;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介电层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件和高深宽比沟槽，高深宽比沟槽是高度和深度的比值大于2的沟槽；采用HDP CVD工艺沉积低k介质形成第一介电层，第一介电层覆盖衬底、半导体器件和高深宽比沟槽的表面；采用SA CVD工艺在第一介电层上沉积低k介质形成第二介电层，第一介电层和第二介电层形成层间介电层。本申请通过在半导体器件的后道工艺中，依次采用HDP CVD工艺和SA CVD工艺形成层间介电层，使得形成的层间介电层的形貌易于后续的填充，提高了器件的可靠性。
层间介电层形成方法

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201710804122.X有效
发明人：张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区，接着形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内，然后形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该第一介电层内，其中该第二凹槽的一宽度大于该第一凹槽的一宽度三倍以上，接下来，形成一第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽内，其中该第二介电层位于该宽疏区的一顶部高于该第二介电层位于该密集区的一顶部，以及进行一回蚀刻步骤，移除该密集区内以及该宽疏区内的该第二介电层。
半导体结构制作方法

[发明专利]一种宽介电温度稳定性细晶锆钛酸钡陶瓷介质材料的制备方法-CN201811115186.X有效
发明人：王艳;张婷;赵卫星;马蓉;赵微微;胡登卫 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽介电温度稳定性细晶锆钛酸钡陶瓷介质材料的制备方法，该方法将Ti源与Zr滴加至碱中，再加入Ba源，将混合液升温反应后进行陈化处理，得到空心球形的纳米级BaZrxTiyO3粉体，再依次经造粒、成型、烧结，得到宽介电温度稳定性的细晶陶瓷电容器介质材料。该方法过程简单、可大规模生产，得到的锆钛酸钡陶瓷介质材料具有宽介电温度稳定性，同时介电性能良好。
一种宽介电温度稳定性细晶锆钛酸钡陶瓷介质材料制备方法

[发明专利]换流变压器阀侧套管的频域介电响应测量装置及方法-CN202111203311.4在审
发明人：文豪;张静;罗传仙;程林;江翼;周正钦;胡长猛;司文荣 -专利权人：国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;南瑞集团有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种换流变压器阀侧套管的频域介电响应测量系统，所述测量系统包括控温模块、高压频域介电响应测量模块，所述高压频域介电响应测量模块包括信号输出和采集单元、信号放大单元和信号监测分析单元，所述高压频域介电响应测量模块可实现宽范围变温下高压频域介电响应测量，易于在复杂现场环境下开展测量，本发明还提供了换流变阀侧套管的频域介电响应测量方法，本发明具有测量温度可宽范围调节，以及抗电磁干扰能力强的优点，为超特高压大尺寸换流变阀侧套管的绝缘检测提供了有效检测手段
换流变压器套管频域介电响应测量装置方法

[发明专利]基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法-CN202110160065.2在审
发明人：邱元元;郭振强;黄鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CIS产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法，包括：在晶圆中形成STI隔离结构；在所述晶圆上自下而上形成层间介电层、刻蚀阻挡层、离子注入阻挡层、抗反射介电层；在所述抗反射介电层上形成光刻胶层；曝光显影，形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案刻蚀所述抗反射介电层和所述离子注入阻挡层并停在所述刻蚀阻挡层的表面，形成高深宽比的沟槽；去除所述光刻胶层和所述抗反射介电层；在所述离子注入阻挡层的表面及所述沟槽的侧壁和底部形成线形氧化层；进行离子注入；去除线形氧化层、离子注入阻挡层、刻蚀阻挡层、层间介电层。本发明可以实现高深宽比结构底部关键尺寸的缩小，以此来实现CIS产品更小线宽的开发需求。
基于 cis 产品高深膜结构控制关键尺寸方法

[发明专利]基于多光束干涉效应的宽波段介电参数获取方法-CN201610229190.3有效
发明人：钟凯;王茂榕;郭拾贝;刘楚;徐德刚;王与烨;姚建铨 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明涉及宽波段范围材料介电参数获取领域，为提供可用于从微波、太赫兹到红外波段的介电参数获取的新方法。本发明采用的技术方案是，基于多光束干涉效应的宽波段介电参数获取方法，包含数据采集和数据处理两个过程，数据采集包括背景数据及放入样品后的信号数据采集，利用傅里叶光谱仪进行测量获取干涉图，干涉图的横坐标为光谱仪干涉臂动镜的位置，纵坐标为探测器对干涉信号的响应电压；数据处理包含了对原始数据的初步处理和光学参数的反演计算两部分；光学参数的反演计算细分为干涉级次求解、实折射率计算、消光系数计算、吸收系数计算、介电参数计算；最终获得介电参数本发明主要应用于宽波段范围材料介电参数获取场合。
基于光束干涉效应波段参数获取方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210717809.0在审
发明人：黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体装置包含基板、通过字元线与介电结构。通过字元线在基板中。介电结构围绕通过字元线，其中介电结构具有在介电结构的底部的放大部，且介电结构的放大部的最大宽度比介电结构的顶部的宽度还宽。具有在底部的放大部的介电结构可减少由通过字元线所造成的干扰。因此，半导体装置的效能也跟着提升。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]互连结构的制备方法-CN202310208483.3有效
发明人：何志强;高志杰 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有介电层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀硬掩模层和介电层，以形成贯穿硬掩模层的开口和贯穿介电层的接触孔，接触孔的深宽比为12:1~30:1；沿开口的宽度方向刻蚀硬掩模层显露出接触孔的顶部的部分介电层以扩宽开口，且扩宽后的开口的宽度大于接触孔的宽度；采用第一干法刻蚀工艺沿扩宽后的开口刻蚀接触孔的顶部显露的介电层，以使接触孔的顶部形成具有两段斜坡轮廓的阶梯状结构
互连结构制备方法

[发明专利]一种宽温稳定型陶瓷介电材料及其制备方法和应用-CN202211019896.9在审
发明人：张蕾;李智超;黄雄;王朋飞;栾赛伟;于淑会;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明一种宽温稳定型陶瓷介电材料及其制备方法和应用，属于介电材料技术领域。本发明宽温稳定型陶瓷介电材料包括以下摩尔百分比组分：钛酸钡91‑95％，烧结助剂3.5‑8％，稀土元素氧化物0.4‑0.8％，抗氧化剂0.7‑1.2％。钛酸钡的粒径为240‑280nm。本发明制备得到的陶瓷介电材料具有高介电常数、宽温稳定性和优异的抗老化特性，满足X7S标准的陶瓷介电材料。同时本发明提供的高容量陶瓷介电材料的制备方法简单，不含有毒有害物质，制备得到的陶瓷电容器致密度高、晶粒小、缺陷少，适合实际生产应用。
一种稳定陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]具有高深宽比的通孔的电子器件及其形成方法、电子设备-CN202180086462.8在审
发明人：范鲁明;焦慧芳;李檀;应成伟;王敬元璋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种具有高深宽比的通孔的电子器件及其形成方法、电子设备，涉及电子器件技术领域，用于提供一种形成具有高深宽比的通孔的方法。该电子器件的形成方法包括：在具有第一晶体管的衬底上堆叠第一介电层；在第一介电层内开设贯通至第一晶体管的第一段通孔；在第一段通孔内的至少靠近第一段通孔的孔口的位置处填充材料，以使填充的材料形成将第一段通孔的孔口堵住的临时填充层；在第一介电层上堆叠第二介电层，该第二介电层可以与第一介电层的材料相同；在第二介电层内开设与第一段通孔相连通的第二段通孔，这里的相连通的第一段通孔和第二段通孔可以是容纳电容器的通孔，且上述的每一次开孔可以采用低深宽比的开孔工艺
具有高深电子器件及其形成方法电子设备

[发明专利]高深宽比沟槽的薄膜填充方法-CN201910552443.4在审
发明人：王雷;刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比沟槽的薄膜填充方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成高深宽比的沟槽或通孔；沉积第一介电层薄膜或第一金属层薄膜，所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜完全填充所述沟槽或通孔；当所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜位于所述沟槽或通孔外的部分存在空洞时，进行第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀，以去除所述空洞；在第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀后的界面上沉积第二介电层薄膜或第二金属层薄膜本发明能够去除高深宽比的沟槽或通孔薄膜填充工艺中出现的位于沟槽或通孔之外的介电层或金属层薄膜空洞并改变薄膜电学性能。
高深沟槽薄膜填充方法

[实用新型]基于基片集成脊波导的介电系数测量探头及测量装置-CN202221157814.2有效
发明人：陈倩;刘长军;王家彬;黄何平 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及介电系数测量技术。本实用新型公开了一种基于基片集成脊波导的介电系数测量探头，包括基片集成波导，沿所述基片集成波导上宽壁和/或下宽壁中轴线设置有一排金属化盲孔，在所述中轴线中间位置设置有测量孔，距离所述测量孔越近金属化盲孔越深本实用新型同时公开了一种介电系数测量装置，包括上述任意一种基于基片集成脊波导的介电系数测量探头以及测量仪；所述介电系数测量探头通过传输线与测量仪连接；所述测量仪为矢量网络分析仪，基于人工神经网络，根据S参数计算被测介质的介电系数。本实用新型具有结构简单，易于加工制造的特点，可利用神经网络对测量仪的测量数据进行反演，直接得到待测物的介电系数。
基于集成波导系数测量探头装置

[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法-CN202010045814.2有效
发明人：张雪;林子平;李刘中;安金鑫;肖守均 -专利权人：重庆康佳光电科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在金属‑氧化物半导体场效应晶体管本体表面依次沉积介电层和硼磷掺杂介电层；对所述介电层和硼磷掺杂介电层进行刻蚀处理，在所述介电层和所述硼磷掺杂介电层表面形成上宽下窄的通孔本发明通过在介电层和硼磷掺杂介电层上制备出呈现上宽下窄形状的通孔，从而增加所述通孔的宽度，以通孔的极限填充能力，增强金属‑氧化物半导体场效应晶体管的导电性能，同时也便于引出金属导线。
一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201711310010.5在审
发明人：蔡万霖;许仲豪;林颂恩;王仁宏;潘兴强;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例描述一种于光刻胶层上形成一介电层或一介电质堆叠的方法，同时最小化或避免对光刻胶造成损害。此外，介电层或介电质堆叠可填充高深宽比的开口且可经由蚀刻而移除。介电层或介电质堆叠可经由一共形的低温化学气相沉积工艺或使用多个前驱物及等离子体或反应气体之一共形的低温原子层沉积工艺而沉积。
介电质堆叠介电层等离子体低温原子层沉积蚀刻半导体装置低温化学反应气体高深宽比光刻胶层气相沉积前驱物最小化电层共形移除沉积填充开口损害

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202210071236.9在审
发明人：林揆伦;陈彦甫;李达元;林宗达;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置结构的形成方法包括利用原子层沉积制程于绝缘层之上及宽沟槽与窄沟槽中沉积栅极介电层。半导体装置结构的形成方法包括于栅极介电层之上形成栅极电极层。半导体装置结构的形成方法包括移除位于宽沟槽与窄沟槽之外的栅极介电层与栅极电极层。
半导体装置结构形成方法

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