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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法-CN201811181229.4有效
发明人：何信义;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法，存储器电路包括三维交叉点存储器阵列，此三维交叉点存储器阵列具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的存储单元。此存储器电路还包括第一和第二组的第一存取线驱动器。第一组第一存取线驱动器可操作地耦接以将共第一操作电压施加到奇数的第一存取线层中所选择的第一存取线。第二组第一存取线驱动器可操作地耦合以将共第一操作电压施加到偶数的第一存取线层中所选择的第一存取线。多组的第二存取线驱动器可操作地配置来将第二操作电压施加到所选择的第二存取线层中所选择的第二存取线。
存储器电路以及用于操作三维交叉点阵列方法

[发明专利]擦除操作期间的缺陷检测-CN202211062935.3在审
发明人：徐峻;朴奇太 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开涉及擦除操作期间的缺陷检测。一种系统包含存储器装置，所述存储器装置包含：存储器阵列；和控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包含致使执行擦除操作的操作。所述擦除操作包含子操作。所述操作进一步包含致使在所述子操作中的至少一个子操作期间执行缺陷检测。使用至少一个缺陷检测方法相对于至少一个故障点执行缺陷检测。
擦除操作期间缺陷检测

[其他]多用途存贮器-CN88102647无效
发明人：托马斯安德鲁瓦格纳;丹君斯莱克林森 -专利权人：美国电话电报公司
申请日： 1988-05-10 - 公布日： 1988-12-28 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：在如图所示的主从式多处理机系统中，从处理机(110)包含一个随机存取的存贮器阵列(119)，它在初启时用作为从处理机的引导存贮器，而在正常操作期间则用作为从处理机的高速暂存器。
多用途存贮器

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器元件-CN200910170438.3有效
发明人：施秉嘉;石忠勤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：非易失性静态随机存取存储器元件包含一易失性电路和一非易失性电路。在电源持续供应的一般操作环境下，易失性电路能提供高速数据读取；在外部电源因故中断和重新恢复的期间，非易失性电路利用一反向电路和一非易失性可抹除可编程存储器电路来提供数据备份，因此能保存先前易失性电路内存的数据
非易失性静态随机存取存储器元件

[发明专利]高速缓存器的控制装置及其控制方法-CN88102647.6无效
发明人：托马斯安德鲁瓦格纳;丹君斯莱克林森 -专利权人：美国电话电报公司
申请日： 1988-05-10 - 公布日： 1991-10-30 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：在如图所示的主从式多处理机系统中，从处理机(10)包含一个随机存取的存贮器阵列(119)，它在初启时用作为从处理机的引导存贮器，而在正常操作期间则用作为从处理机的高速暂存器。
高速缓存控制装置及其方法

[发明专利]使用磁性退火的参考单元的MRAM感测-CN201280037699.8有效
发明人：哈里·M·拉奥;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于使用磁性退火的参考单元来读取/感测存储于磁阻式随机存取存储器MRAM单元中的数据的系统和方法。所述参考电路包含负载元件，所述负载元件耦合到所述磁性存储单元，其中所述负载元件(512)经配置以在读取操作期间建立参考电压。
使用磁性退火参考单元 mram 感测

[发明专利]半导体存储器-CN02829597.8有效
发明人：筱崎直治;神田达哉;佐藤贵彦;船生明裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-06 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：响应于在预定周期产生的刷新请求输出刷新信号，并且进行刷新操作。当在存取请求和刷新请求之间出现冲突时，刷新操作结束。结果，可以较早地开始与存取请求对应的存取操作，缩短存取时间。通过根据提供存取请求的定时改变刷新操作的结束时间，能够进一步缩短存取时间。由于形成了用于向外部通报刷新操作状态的测试电路，因此能够在短时间内评估刷新操作的操作裕度。
半导体存储器

[发明专利]数据所有权的动态再分配-CN200480021587.9有效
发明人：罗杰·J·班福德;萨希坎什·钱德拉塞克拉;安杰洛·普鲁希诺 -专利权人：甲骨文国际公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：本发明描述了用于提高无共享数据库系统的性能的各种技术，其中，运行该无共享数据库系统的节点中的至少两个节点能够共享地存取磁盘。特别地，提供用于基于诸如相对于特定操作而言哪个节点将是最有效的所有者的因素，来动态地改变无共享数据库中的数据的所有权的技术。一旦确定了，则数据的所有权可以被永久地或在特定操作期间临时地改变到新所有者。
数据所有权动态再分

[发明专利]确定操作系统性能的方法、任务调度方法、设备-CN202310379850.6有效
发明人：李光水;毛文安 -专利权人：阿里云计算有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种确定操作系统性能的方法、任务调度方法、设备及存储介质。所述方法包括：在操作系统运行过程中，获取操作系统上与数据存取操作有关的处理资源的资源参数，所述资源参数中的至少部分通过内核动态追踪技术获取得到；基于所述资源参数确定所述操作系统当前的存取性能参数，所述存取性能参数用于表征所述操作系统往存储设备存取数据的能力通过这种方式，可以更加准确地评估操作系统当前的存取数据的性能，并基于其当前的性能确定最优的数据存取策略，提高操作系统的数据存取效率，同时，也可以保证操作系统稳定运行。
确定操作系统性能方法任务调度设备

[发明专利]用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构-CN202010175178.5在审
发明人： M·姚;M·F·卡瓦纳霍尔曼;E·H·坎农 -专利权人：波音公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本申请涉及用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构，并公开一种用于测量一个或多个静态随机存取存储器(SRAM)单元的静态噪声容限(SNM)的测试结构，其可以包括电耦合到每个SRAM单元的第一晶体管门在SRAM单元的操作期间，SRAM单元内的内部存储节点可以通过第一TG和第二TG电耦合到例如外部引脚和测试装置。
用于测量静态随机存取存储器噪声容限直接测试结构

[发明专利]存储器装置在编程期间的操作-CN201910774590.6在审
发明人： V·莫斯基亚诺;P·S·苏莱;刘翰;A·德亚历山德罗;P·卡拉瓦德;赵涵;S·拉杰瓦德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置在编程期间的操作。同时将更低的第二电压电平施加到连接在所述数据线与相应存储器单元串之间的第一和第二选择栅极；将所述第一数据线的电压电平减小到第三电压电平；将所述第一选择栅极的电压电平增加到第四电压电平；将高于所述第一电压电平的第五电压电平施加到耦合到所述存储器单元串中的存储器单元的第一和第二存取线；以及将所述第一存取线的电压电平增加到第六电压电平。
存储器装置编程期间操作

[发明专利]在DDR5 DRAM中调整到锁存路径的指令延迟-CN201880041776.4在审
发明人： D·D·维尔莫特;J·M·布朗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：举例来说，例如芯片选择路径的控制路径中的延迟可允许减小地址路径的延迟，且导致减少所述存储器装置(10)的存取时间。实施例还揭示可如何采用训练模式来进一步调整所述控制及/或地址路径中的所述延迟以减少常规操作期间的存取时间。
ddr5 dram 调整到锁存路径指令延迟

[发明专利]用于深度学习加速器和随机存取存储器的智能低功率模式-CN202180050096.0在审
发明人： P·卡利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：举例来说，集成电路装置可被配置成执行具有矩阵操作数的指令且配置有包含具有独立功率模式的多个存储器群组的随机存取存储器。所述随机存取存储器被配置成存储数据，其表示人工神经网络的参数且表示可由所述深度学习加速器执行以执行矩阵计算从而产生所述人工神经网络的输出的指令。在所述指令的执行期间，功率管理器可调整映射到所述存储器群组中的存储器地址的分组且调整所述存储器群组的功率模式以降低功耗且避免性能影响。
用于深度学习加速器随机存取存储器智能功率模式

[发明专利]保证关于集成电路存储器单元的诊断数据的安全收集-CN202210965440.5在审
发明人： V·雷纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F21/79 文献下载
摘要：用以保证在配置于连接到主机系统的存储器装置中的存储器单元的操作期间产生的存储器诊断数据的安全远程收集的系统、设备和方法。所述诊断数据存储于所述存储器装置内的安全存储器区中，所述存储器装置基于密码术控制对所述安全存储器区的存取。在经由所述主机系统且在所述存储器装置与具有存取所述安全存储器区的特权的安全服务器之间建立通信连接之后，所述诊断数据可通过所述通信连接以加密形式从所述存储器装置传输到所述安全服务器。
保证关于集成电路存储器单元诊断数据安全收集

[发明专利]基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级-CN202111294668.8在审
发明人：郎慕蓉;黄健;许中广;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：确定了一种与将要安装在存储器子系统处的存储器装置相关联的操作定时条件。所述存储器装置可以包含非易失性存储器单元的交叉点阵列。所述操作定时条件对应于非易失性存储器单元的所述交叉点阵列的第一操作延迟定时容限设定。根据低于所述第一操作延迟定时容限设定的第二操作延迟定时容限设定在非易失性存储器单元的所述交叉点阵列处执行第一存储器存取操作集合。确定在执行所述第一存储器存取操作集合期间发生的第一错误数目。
基于各种定时容限参数设定性能度量存储器装置进行评级

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