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[发明专利]闪存的电荷泵补偿电路-CN202310949005.8在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的电荷泵补偿电路，包括：第一电荷泵，输出端输出源编程电压输出到闪存的阵列结构中的选定位线。第二电荷泵，输出端通过第一开关连接到第一电荷泵的输出端。第一开关的控制端连接第一使能信号，第一使能信号为有效电平的时间可控。源编程电压会对选定位线的寄生电容进行充电使选定位线的电位达到源编程电压；第一使能信号的有效电平时段位于初始阶段中，使得第二电荷泵的第二输出电压在初始阶段也对选定位线的寄生电容进行补偿充电，以提高初始阶段中选定位线的电压，改善编程深度。本发明能对寄生电容使选定位线的初始电压偏低进行电荷补偿并最后能改善编程深度，还能减少不同地址的存储位的编程深度的差异。
闪存电荷补偿电路

[发明专利]用于字线开关晶体管的具有多个阱的非易失性存储器-CN202280016604.8在审
发明人：邵世谦;外山史晃;水谷祐树;M·邓加;P·拉布金 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：非易失性存储器包括非易失性存储器阵列，该非易失性存储器阵列包括非易失性存储器单元的块、连接到该存储器单元的位线和连接到该存储器单元的字线。字线开关晶体管将该字线连接到电压源。该字线开关晶体管位于三阱中。利用多个三阱，并且基于在编程过程期间使用的字线电压范围将该字线开关晶体管分组到三阱中。在一个实施方案中，对于给定块，连接到数据字线的字线开关晶体管位于第一三阱中，并且连接到选择及虚设字线的字线开关晶体管位于第二三阱中。这种结构允许这些三阱被不同地偏置。
用于开关晶体管具有多个阱非易失性存储器

[发明专利]存储装置及该存储装置的操作方法-CN201910354066.3有效
发明人：许民虎;金东眩;金承日;郑然镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性提高的存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储器单元；编程操作控制器，对存储器单元执行编程操作以使存储器单元具有第一至第n状态之中的任意一个状态；电压发生器，在编程操作中生成分别对应于第一至第n状态的操作电压；验证操作控制器，验证是否已经完成对选择的存储器单元执行以使选择的存储器单元具有第k状态的编程操作，并且对选择的存储器单元之中、具有比对应于第k状态的阈值电压大的阈值电压的过度编程的存储器单元的数量进行计数；以及过度编程管理器，根据过度编程的存储器单元的数量，增加对应于第k+1至第n状态的操作电压，以使对应于第k+1至第n状态的操作电压大于默认值。
存储装置操作方法

[发明专利]存储器系统、其操作方法以及非易失性存储器装置-CN201910369957.6有效
发明人：朴世昶 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统可以包括：存储器单元阵列，包括多个存储块；外围电路，将用于获取校验数据的校验电压施加到目标存储块并且在对目标存储块的预编程操作中将编程电压施加到目标存储块；以及控制器，控制外围电路，基于校验数据来确定关于目标存储块的状态信息，并且在预编程操作中基于状态信息来将编程起始电压可变地施加到目标存储块。
存储器系统操作方法以及非易失性存储器装置

[发明专利]存储装置以及操作存储装置的方法-CN201910781956.2有效
发明人：许民虎;金东眩;金承日;郑然镐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，包括较高密度存储的第一存储器区域和较低密度存储的第二存储器区域；以及控制器，被配置为针对数据组块中的每一个，控制存储器装置对第二存储器区域顺序地执行备份编程操作并且对第一存储器区域执行粗略编程和精细编程操作，其中针对数据组块之中的至少两个，控制器控制存储器装置首先执行粗略编程并且然后执行精细编程操作，并且其中控制器控制存储器装置执行不具有编程验证进程的备份编程操作。
存储装置以及操作方法

[发明专利]从多个输入电源提供共享电流的调节器-CN202310216959.8在审
发明人： E·H·布伊扬;J·那拉达西;S·R·萨比内尔;M·莫斯托瓦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请涉及从多个输入电源提供共享电流的调节器。本公开的各种实施例涉及用于从多个输入电源提供共享电流的调节器的设备及方法。调节器可包含第一部分，其经配置以接收第一电源电压并且通过负载输出从所述第一电源电压汲取的第一电流；及第二部分，其经配置以接收第二电源电压。所述调节器可包含电流控制电路，所述电流控制电路经配置以响应于对应于所述负载的负载电流满足特定标准而起始分流，使得随后在所述第一电源电压与所述第二电源电压之间共享所述负载电流。
输入电源提供共享电流调节器

[发明专利]存储装置及存储装置的操作方法-CN201910075749.5有效
发明人：徐民虎;金东眩;金承日;金涌澔;李在珉;崔善煐 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子装置。一种存储装置，包括：存储器装置，被配置成包括多个存储器单元；以及存储器控制器，被配置成根据读取操作是否是高速缓存读取操作来确定待对存储器装置执行的读取操作的读取电压。
存储装置操作方法

[发明专利]存储器件以及使用其的编程方法-CN202210116399.4在审
发明人：柳弼相 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种包括多个存储区块及多个源极开关的存储器件以及使用其的编程方法。源极开关中的每一者对应于存储区块中的一者，且源极开关中的每一者耦合到存储区块中的对应一者的共用源极线。与存储区块之中针对编程操作的被选择存储区块对应的被选择源极开关被配置成在编程操作的编程周期期间将被选择存储区块的共用源极线偏置到参考电压。与存储区块之中针对编程操作的未被选择存储区块对应的未被选择源极开关被配置成在编程操作的编程周期期间使未被选择存储区块的共用源极线浮动。
存储器件以及使用编程方法

[发明专利]非易失性存储设备及其操作方法-CN202310115593.5在审
发明人：孙周希;徐贤;张东哲;金完东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。
非易失性存储设备及其操作方法

[发明专利]闪存的操作方法-CN202310478451.5在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的操作方法中，闪存的存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：对称设置的第一和第二源漏区，位于第一和第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于第一栅极结构之间的第二栅极结构；编程时第二栅极结构连接到字线编程电压，通过如下步骤设置字线编程电压：步骤一、设定测试字线编程电压的初始值。步骤二、根据设定的测试字线编程电压进行快编程测试。步骤三、判断良率是否达标，如果良率达标则进行步骤四；如果良率不达标，则将测试字线编程电压增加，之后返回到步骤二。步骤四、将测试字线编程电压加上误差电压作为所测试的各存储单元的字线编程电压。本发明能提高编程效率。
闪存操作方法

[发明专利]闪存的操作电压修调电路和方法-CN202310485625.0在审
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的操作电压修调电路中，存储单元都采用双分离栅浮栅器件，两个浮栅分别形成一个存储位；对选定存储位进行编程时，对应的控制栅线连接控制栅编程电压，靠近存储位的位线连接源编程电压。操作电压修调电路包括：第一电荷泵，控制端连接多位第一数字信号，输出端输出大小由第一数字信号控制的源编程电压。第二电荷泵，控制端连接多位第二数字信号，输出端输出大小由第二数字信号控制控制栅编程电压。两个存储位编程时的第一和第二数字信号分别通过对多个存储单元的对应的存储位进行快编程测试得到，使两个存储位编程时的源编程电压和控制栅编程电压独立设置。本发明还提供一种闪存的操作电压修调方法。本发明能提高编程效率。
闪存操作电压电路方法

[发明专利]用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路-CN202310026305.9在审
发明人： A·盖蒂;安德烈亚·马丁内利;E·博兰里那;F·贝代斯基;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路。在一种方法中，竖直三维交叉点存储器装置使用数字线解码器，其在存储器单元的数字线侧上包含电流限制器和感测电路，所述电流限制器和感测电路被配置成控制由控制器选择的正或负编程极性中的任一个下的编程电流。两个电流限制器各自用于每一存储器单元的所述数字线侧上。负极性电流限制器用于上拉，且正极性电流限制器用于下拉。负极性感测电路用于相应数字线解码器与正供应电压之间。正极性感测电路用于所述相应数字线解码器与负供应电压之间。基于所选编程极性将相同极性的所述电流限制器和感测电路对耦合到每一数字线解码器。
用于交叉点存储器装置编程电流控制器电路

[发明专利]具有程序偏置和快速感测的感测放大器-CN201780055853.7有效
发明人： J·H·于;R·A·塞尼;S·李;Y·L·李;Q·阮;T·Y·曾;C·许 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了用于访问非易失性存储器122的装置、系统和方法。位线302耦接到非易失性存储器元件123的存储单元。感测放大器306耦接到位线302。感测放大器306包括感测电路402和偏置电路404。感测电路402感测位线302的电性质以用于从一个或多个存储单元读取数据，并且偏置电路404向位线302施加偏置电压以用于向一个或多个存储单元写入数据。偏置电路404和感测电路402包括感测放大器306内单独的并行电路径。
具有程序偏置快速放大器

[发明专利]反熔丝存储器及其控制方法-CN202111602083.8在审
发明人：季汝敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种反熔丝存储器及其控制方法，反熔丝存储器被配置为，基于行选通信号生成编程脉冲信号，反熔丝存储阵列的字线接收行选通信号，反熔丝存储器阵列应于编程脉冲信号进行编程。本公开实施例至少有利于提高从反熔丝存储阵列读出数据的准确性，以及提高反熔丝存储器的良品率。
反熔丝存储器及其控制方法

[发明专利]自关断电路及半导体存储结构-CN202010102523.2有效
发明人：沈灵;严慧婕;蒋宇;董林妹;温建新 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种自关断电路，与编程电路连接，包括参考电路、比较电路及信号传输控制电路，所述编程电路向所述比较电路输入编程电压，所述参考电路向所述比较电路输入参考电压，所述比较电路可以输出用于指示所述编程电路的编程状态的比较信号，所述信号传输控制电路在一编程信号及所述比较信号的控制下，当所述编程信号指示所述编程电路开始编程时开启所述编程电路、参考电路及比较电路；当所述比较信号指示所述编程电路完成编程时关闭所述编程电路、参考电路及比较电路，从而实现了所述编程电路的自动开启和关断，消除编程完成后的不必要功耗。基于此，本发明还提供了一种半导体存储结构。
断电半导体存储结构

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