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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201811158164.1有效
发明人：金落显;李信彗;李珉圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种数据存储装置，该数据存储装置包括：具有管芯的非易失性存储装置，该管芯包括字线组，字线被分组在字线组中；以及控制器，该控制器包括：字线健康等级逻辑，该字线健康等级逻辑基于与字线相关的健康等级因子中的每一个的状态信息来确定每个字线的健康等级以及每个字线组的健康等级；存储器，包括字线健康等级表，每个字线的健康等级和每个字线组的健康等级被存储在该字线健康等级表中；以及映射逻辑，该映射逻辑配置成通过对具有最低健康等级的一个字线组和具有最高健康等级的字线组进行映射来生成管理目标逻辑超级块，并且通过对具有中间健康等级的字线组进行映射来生成普通逻辑超级块。
数据存储装置及其操作方法

[发明专利]闪存设备及其数据恢复读取方法-CN202211405464.1在审
发明人：朴恩香;张俊锡;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
闪存设备及其数据恢复读取方法

[发明专利]刻蚀方法-CN202010250786.8有效
发明人：戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次堆叠有控制栅层和浮栅层以及贯穿所述控制栅层和所述浮栅层的第一字线和第二字线。所述第一字线位于逻辑区，所述第二字线位于存储单元区。刻蚀第一厚度的第一字线；刻蚀所述逻辑区中的浮栅层和第二厚度的第一字线，以暴露所述逻辑区中的控制栅层；刻蚀所述逻辑区中的控制栅层和第三厚度的第一字线，以去除所述逻辑区中的控制栅层。因此，在逻辑区刻蚀中，通过先刻蚀第一厚度的第一字线，再同步刻蚀第一字线和浮栅层、控制栅层的同步刻蚀，避免了因第一字线刻蚀速率低而产生刻蚀残留。
刻蚀方法

[发明专利]用于管理逻辑到物理地址映射的储存模块和方法-CN201480066219.X有效
发明人： A.马库;H.奥辛斯基;A.沙哈拉巴尼;E.莎伦 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：公开了用于管理逻辑到物理地址映射的储存模块和方法。在一个实施例中，提供了储存模块，包括存储器和控制器，该存储器具有多个字线。控制器被配置为使用逻辑到物理地址映射以将逻辑地址转换为字线的物理地址。所述映射中的多个逻辑地址指向单个字线，并且所述单个字线包含与所述多个逻辑地址相关联的数据以及关于在所述单个字线中在哪里寻找所述多个逻辑地址的每一个的信息两者。在字线自身中储存关于在哪里寻找所述多个逻辑地址的每一个的信息避免了使用更大的逻辑到物理地址映射或多个映射的延迟和复杂性。
用于管理逻辑物理地址映射储存模块方法

[发明专利]磁性随机存储单元的字线电源控制电路-CN202010599277.6在审
发明人：何伟伟 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的字线电源控制电路，其包括读写控制电路及其字线译码器之间的逻辑控制电路。所述逻辑控制电路具有字线反馈功能，以调节控制读操作的写控制反馈信号。此模式根据写/读操作时对被选中字线进行快速充电，有助于降低字线电源控制电路的读操作字线上升延迟，加快读速度。具有操作简单、可靠性高等优点。
磁性随机存储单元电源控制电路

[发明专利]在冗余存储器中执行行敲击刷新操作的系统和方法-CN201880063924.2在审
发明人： J·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：引导逻辑电路系统包含位翻转逻辑，所述位翻转逻辑确定与存储体的冗余字线邻近的第一相邻冗余字线，所述存储体还包含常规字线。冗余字线包含主字线，每条主字线都包含成对字线。每条成对字线包含两条冗余字线。引导逻辑电路系统还包含边界确定逻辑，所述边界确定逻辑确定冗余字线是否在冗余字线与存储体的一端或常规字线之间的边界上。引导逻辑电路系统进一步包含：主字线引导逻辑，所述主字线引导逻辑确定其中设置有与冗余字线邻近的第二相邻冗余字线的相邻主字线；和成对字线引导逻辑，所述成对字线引导逻辑确定其中设置有第二相邻冗余字线的相邻成对字线
冗余存储器执行敲击刷新操作系统方法

[发明专利]用于非易失性存储介质的减少次数的擦除验证-CN201880094774.1在审
发明人：侯春源;K·梁;徐峻;李思 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：存储阵列包括存储单元的多条字线，该存储单元的多条字线可以被选择性地充电到擦除电压或禁止电压。与存储阵列相关联的控制逻辑可以分阶段执行擦除验证。在第一次擦除验证上，控制逻辑可以将擦除块或子块的字线设置为第一擦除电压。在第二次擦除验证上，控制逻辑可以触发第二擦除脉冲并且将通过的字线设置为禁止电压，并且将失败字线设置为高于第一电压的第二擦除电压。禁止已经通过的字线可以减少字线之间的阈值电压差。
用于非易失性存储介质减少次数擦除验证

[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法-CN202110897698.1在审
发明人：林侊敃;李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种半导体存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元。外围电路对存储器块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路：响应于针对存储器块的擦除命令，对连接到虚设字线之中的第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作；并且在对第一虚设存储器单元的预编程操作之后，对连接到虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作控制逻辑控制外围电路对正常存储器单元执行擦除操作。
半导体存储器设备及其操作方法

[实用新型]耐高电压的字线驱动器和包含该字线驱动器的存储器及其系统-CN201520081082.7有效
发明人： C·德雷;L·魏 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本实用新型提供了耐高电压的字线驱动器和包含该字线驱动器的存储器及其系统。其中，字线驱动器包括：与第一电源和行选择线耦合的自举级，其中，所述自举级用于根据所述行选择线上的信号的逻辑电平来使字线的电压电平升高到所述第一电源的电压电平；自举控制逻辑单元，所述自举控制逻辑单元用于根据所述行选择线上的所述信号的所述逻辑电平来控制所述自举级；以及与所述自举级和所述自举控制逻辑单元耦合的耐高电压级，其中，所述耐高电压级用于根据所述行选择线上的所述信号的所述逻辑电平来使所述字线的所述电压电平升高到第二电源的电压电平。
电压驱动器包含存储器及其系统

[发明专利]非易失性存储设备和其编程方法-CN201711443323.8有效
发明人：李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：非易失性存储设备可以包括存储单元阵列和控制逻辑。存储单元阵列具有连接到多个字线的多个存储单元。控制逻辑在从用于多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中控制施加恢复电压到多个字线当中的字线。施加到该字线的恢复电压不同于施加到其他字线的恢复电压。
非易失性存储设备编程方法

[发明专利]控制逻辑、半导体存储器件及其操作方法-CN201710655420.7在审
发明人：李正焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：控制逻辑、半导体存储器件及其操作方法。本文提供了控制逻辑、半导体存储器件、操作该控制逻辑的方法和/或操作该半导体存储器件的方法。该半导体存储器件可以包括控制逻辑。该控制逻辑可以被配置成控制要被施加至所选字线的编程电压。该控制逻辑可以被配置成控制要被施加至未选字线的通过电压。 1
控制逻辑半导体存储器件施加编程电压方法控制未选字线选字配置

[发明专利]用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法-CN201811180742.1在审
发明人：金承范;李悳雨;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括多个字线和电压发生器。一些字线对应于劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给多个存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制字线上的编程操作和擦除操作。劣化区域包括第一组字线和第二组字线。控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。
组字非易失性存储器件字线阈值电压电平电压发生器擦除状态控制逻辑劣化编程配置数据可靠性编程操作编程电压编程序列擦除操作存储单元控制字

[发明专利]闪存管理方法及闪存设备-CN202211231769.5在审
发明人：陈祥;万红波;杨亚飞 -专利权人：深圳大普微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存管理方法及闪存设备，该闪存管理方法通过获取至少一个逻辑单元中的每一逻辑单元对应的逻辑字线地址；根据每一逻辑单元对应的逻辑字线地址，查找映射表，确定每一逻辑单元的逻辑字线对应的物理字线组，本申请能够利用映射表来映射逻辑字线和物理字线组，而物理字线组包括至少一个物理字线，至少两个物理字线包括的数据页的数量不完全相同，使得本申请能够适配不同类型的闪存颗粒，提高闪存设备对闪存颗粒的兼容性。
闪存管理方法设备

[发明专利]分栅快闪存储器的制备方法-CN202110090004.3在审
发明人：于涛易;王哲献;李冰寒;江红;高超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种分栅快闪存储器的制备方法，通过形成的所述图案化光刻胶层，暴露出所述逻辑区中的部分所述多晶硅层、所述字线的相对两端以及位于所述字线的相对两端的所述控制栅侧墙。并以所述图案化光刻胶层为掩模，去除所述逻辑区中暴露出的所述多晶硅层，以形成所述逻辑区的栅极结构，以及去除暴露出的所述字线的相对两端和位于所述字线的相对两端的所述控制栅侧墙。因此，本发明仅通过一个光罩形成图案化光刻胶层，即可将所述字线相对两端部的控制栅侧墙去除，以将包围所述字线的所述控制栅侧墙切开。与此同时，还去除了所述逻辑区的部分所述多晶硅层，以形成逻辑区的栅极结构。
分栅快闪存制备方法

[发明专利]通过存储器装置中的字线跟踪RC时间常数-CN202210928743.X在审
发明人： T·瓦利;A·马切罗拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开涉及通过存储器装置中的字线跟踪RC时间常数。一种存储器装置包含包括多条字线的存储器阵列，以及与所述存储器阵列可操作地耦合的控制逻辑。所述控制逻辑使测量编程脉冲被顺序地施加到所述存储器阵列的所述多条字线中的每一条，并且确定存储在与所述多条字线中的每一条相关联的多个存储器单元中的相应阈值电压。所述控制逻辑进一步基于所述多个存储器单元在每条字线内的位置来确定所述相应阈值电压之间的差值，并且鉴于所述相应阈值电压之间的所述差值来确定所述多条字线中的每一条的相应电阻‑电容RC时间常数。
通过存储器装置中的跟踪 rc 时间常数

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