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[发明专利]多晶硅薄膜晶体管的生产方法-CN201610983571.0在审
发明人：张豪峰;王国余;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜晶体管的生产方法，上述多晶硅薄膜晶体管的生产方法，通过在多晶硅薄膜晶体管的生产过程中，进行对多晶硅薄膜离子注入步骤进行实时定量检测，能够很好地提高多晶硅薄膜晶体管产品的良品率，简单可行
多晶薄膜晶体管生产方法

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN201911013072.9在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
多晶硅薄膜晶体管金属氧化物薄膜晶体管阵列基板显示面板衬底基板大尺寸显示面板金属氧化半导体薄膜晶体管底栅结构第二区域第一区域顶栅结构技术瓶颈间隔设置像素电极分区域有效地功耗制作兼容驱动应用

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921788056.2有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本实用新型实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
阵列显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN202110319917.8有效
发明人：罗成志 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括位于显示区的金属氧化物薄膜晶体管以及位于非显示区的低温多晶硅薄膜晶体管；其中，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述低温多晶硅薄膜晶体管均为底栅结构，且所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，所述金属氧化物薄膜晶体管的源漏极金属层与所述低温多晶硅薄膜晶体管的源漏极金属层同层设置。本发明通过将金属氧化物薄膜晶体管的栅极与低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，将金属氧化物薄膜晶体管的源漏极金属层与低温多晶硅薄膜晶体管的源漏极金属层同层设置，可将制备混合TFT结构所需的光罩总数减少至8
一种阵列及其制备方法

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN201911013083.7在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
金属氧化物薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管阵列基板显示面板衬底基板大尺寸显示面板第二区域第一区域技术瓶颈间隔设置像素电极分区域有效地功耗制作兼容驱动应用

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201510386024.X有效
发明人：文亮 -专利权人：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，所述阵列基板包括多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管包括多晶硅层、栅极，以及位于所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层，其中，所述N型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层，与所述P型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度不同。所述制作方法包括在多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管的多晶硅层和栅极之间形成绝缘层，其中所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的绝缘层厚度不同，以实现减少阵列基板功耗，提高器件稳定性的效果。
一种阵列及其制作方法

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921788052.4有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本实用新型实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
阵列显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201510158315.3有效
发明人：田宏伟;牛亚男;王祖强;孙亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，形成所述有源层包括分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子该薄膜晶体管的制备方法能减少薄膜晶体管中的界面缺陷态及不稳定因素，从而提升低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性，获得更稳定的阵列基板和显示装置性能。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示装置-CN202010818689.4在审
发明人：方业周;李峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种阵列基板，包括：衬底基板以及位于衬底基板上同一侧的多晶硅薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管，所述衬底基板划分有显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域，所述多晶硅薄膜晶体管位于所述周边区域，所述非晶硅薄膜晶体管位于所述显示区域；所述多晶硅薄膜晶体管包括：多晶硅半导体图形和位于多晶硅半导体图形远离所述衬底基板一侧的第一栅极；所述非晶硅薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，包括：非晶硅半导体图形和位于所述多晶硅半导体图形靠近所述衬底基板一侧的第二栅极
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN03122318.4有效
发明人：彭佳添;孙铭玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，此低温多晶硅薄膜晶体管包括一个信道区，其制造方法的特征在于对信道区进行电浆处理工艺，以调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压。由于进行电浆处理即可调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压，所以可增加工艺弹性。
低温多晶薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]多晶硅薄膜晶体管-CN200810018147.8有效
发明人：刘红侠;栾苏珍 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。Si₃N₄介质层上淀积有本征多晶硅薄膜，源极和漏极分别设置其两端，且源极采用肖特基金属，并通过栅电压，控制源电极肖特基势垒高度，进而控制器件中的电流大小。本发明比常规多晶硅薄膜器件的饱和电压低10倍，在相同偏压情况下，比常规多晶硅薄膜晶体管的开态电流提高了50％以上，可用于有源矩阵阵列液晶显示器的开关。
多晶薄膜晶体管

[发明专利]CMOS反相器及阵列基板-CN201710937121.2在审
发明人：周星宇;徐源竣;任章淳;吴元均;吕伯彦;杨伯儒;陈昌东;刘川 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该CMOS反相器包括电性连接的P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管；所述P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管满足以下公式μP；其中，Cn和CP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的栅绝缘层电容和P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅绝缘层电容，和分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的沟道宽长比和P型低温多晶硅薄膜晶体管的沟道宽长比，μn和μP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和P型低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率
cmos 反相器阵列

[发明专利]显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制造方法-CN202010686929.X有效
发明人：李明阳 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种显示屏驱动结构和显示屏驱动结构的制作方法，显示屏驱动结构包括：衬底；基于衬底，依次覆盖有缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、平坦层和像素定义层；缓冲层上设置有多晶硅；栅极绝缘层上设置有栅极；基于多晶硅、栅极绝缘层和栅极，形成多个薄膜晶体管和至少一个电容；其中，薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管；多晶硅包括第一类多晶硅、第二类多晶硅和第三类多晶硅；第一类多晶硅对应驱动晶体管；第二类多晶硅对应开关薄膜晶体管；第三类多晶硅对应电容；其中，第一类多晶硅是通过固相结晶SPC工艺形成的；多个薄膜晶体管和至少一个电容连接。
显示屏驱动结构制造方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201110020998.8无效
发明人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。该多晶硅薄膜晶体管包括有源层，其中所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。本发明中，通过事先在硅氧化物层上定义完全等宽的凹槽获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，从而可以使整个多晶硅薄膜成为高性能的薄膜晶体管有源层，因此解决了玻璃衬底收缩引起掩膜错位的问题，进而提高了晶体管的性能
一种多晶薄膜晶体管制备方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202110804401.2在审
发明人：王旭;徐洪远;江志雄;胡道兵 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底和设置于衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管。其中，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括层叠设置的多晶硅层和非晶硅层。本发明通过将低温多晶硅薄膜晶体管的有源层设置为多晶硅层和非晶硅层的双层结构，因此无需传统的低温多晶硅薄膜晶体管制程中对有源层进行离子掺杂，可以减少光罩使用数量，从而精简制程，降低成本。
阵列及其制备方法显示面板

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