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[发明专利]一种利用脉冲电流分离多晶硅中杂质元素的方法及多晶硅-CN202111177346.5在审
发明人：张新房;戴亚雄;秦书洋;张宝雨;任少飞 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用脉冲电流分离多晶硅中杂质元素的方法及多晶硅，涉及多晶硅净化技术领域，能够通过施加脉冲电流，仅依靠电场作用下元素在熔体中的溶解度降低来一次性去除硅熔体中的杂质元素；该方法通过向多晶硅熔体中施加脉冲电流降低多晶硅熔体的电阻率，进而降低杂质铁在多晶硅基体中的溶解度，促使多晶硅熔体中的杂质铁呈析出状态，并在重力作用下下沉至多晶硅熔体底部，实现杂质分离；在杂质分离且多晶硅熔体凝固后将多晶硅铸锭底部切除，得到高纯多晶硅铸锭。本发明提供的技术方案适用于多晶硅净化的过程中。
一种利用脉冲电流分离多晶杂质元素方法

[发明专利]高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法-CN202010946568.8在审
发明人：郑有宏;吴政达;江振豪;亚历山大卡尔尼斯基;杜友伦;陈逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅层之上，且第三多晶硅层配置在第二多晶硅层之上。位于绝缘体层之上的有源半导体层可配置在第三多晶硅层之上。第二多晶硅层与第一多晶硅层及第三多晶硅层相比具有较高的氧浓度。
电阻率绝缘体衬底及其形成方法

[实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片-CN201620437580.5有效
发明人：陈德榜 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片，包括单元结构，所述单元结构设有正六角N型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽，所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底，所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层，所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜，所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极，所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。
一种蜂巢结构多晶硅片

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构-CN200810204970.8无效
发明人：顾靖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提出一种多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，其包括：多晶硅基底以及其上依次设置的第一多晶硅层，绝缘层以及第二多晶硅层，其中所述第一多晶硅层作为电容的一端，所述第二多晶硅层和所述多晶硅基底作为电容的另一端进一步的，该电容结构设置于有源区构成电容并联，利用有源区和第一多晶硅层构成的电容与第一多晶硅层和第二多晶硅层构成的电容并联，增加了电容值。本发明提出的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容结构，具有更大的电容值，同时可以有效节省版图面积。
多晶绝缘体电容结构

[发明专利]多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法-CN202011587377.3在审
发明人：方玲刚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器及其制作方法，其中该多晶硅‑绝缘体‑多晶硅电容器包含一基底，具有一电容形成区域；一第一电容介电层，设置在电容形成区域上；一第一多晶硅电极，设置在第一电容介电层上；一第二电容介电层，设置在第一多晶硅电极上；一第二多晶硅电极，设置在第二电容介电层上；一第三多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第一侧壁；一第三电容介电层，设置在第三多晶硅电极和第二多晶硅电极之间；一第四多晶硅电极，设置在邻近第二多晶硅电极的第二侧壁；以及一第四电容介电层，设置在第四多晶硅电极和第二多晶硅电极之间。
多晶绝缘体电容器及其制作方法

[发明专利]用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术-CN200710086008.4无效
发明人： J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
用于增加多晶熔化速率间歇加料技术

[发明专利]用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术-CN02822314.4无效
发明人： J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
用于增加多晶熔化速率间歇加料技术

[发明专利]多晶硅间介电层的制造方法-CN02104780.4有效
发明人：张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-21 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种多晶硅间介电层的制造方法，此方法首先提供一基底，其中基底上已形成有一第一多晶硅层。接着在第一多晶硅层上形成一多晶硅间介电层，而形成此多晶硅间介电层的方法利用一氩气/氧气/氨气等离子体、一氪气/氧气/氨气等离子体、一氩气/氧气等离子体或一氪气/氧气等离子体而形成的。之后，再于多晶硅间介电层上形成一第二多晶硅层。
多晶硅间介电层制造方法

[发明专利]一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法-CN201010559873.8无效
发明人：任兆杏;任炟;刘静 -专利权人：合肥飞帆等离子科技有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产装置，包括多晶硅固化接收容器，微波表面波等离子体炬，多晶硅固化接收容器接收微波表面波等离子体炬生成的多晶硅。本发明还公开了一种多晶硅生产方法，采用SiHCl3蒸汽和H2气体作为原料反应物，通过微波表面波等离子体炬对原料反应物放电以加热介质管中的原料反应物，生成的硅在多晶硅固化接收容器中冷却而固化得到多晶硅。
一种多晶生产装置方法

[发明专利]制造多晶硅的方法-CN201580005684.7有效
发明人： S·费贝尔;A·贝格曼;R·佩赫;S·里斯 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种制造多晶硅的方法，包括：a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅，所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度，导致形成至少一个U形对的多晶硅棒，所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上，并以这种方式供应电力；b)从反应器中卸载所述至少一对多晶硅棒；c)从所述至少一对多晶硅棒的至少两个多晶硅棒的电极端移除石墨残余物；d)粉碎所述至少两个多晶硅棒，以得到棒片或得到块体；其包含，通过至少一个机械脉冲从所述至少两个多晶硅棒中每个的电极端敲掉石墨残余物
制造多晶方法

[发明专利]太阳能电池组件用多晶硅片的制备系统-CN201810991725.X在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池组件用多晶硅片的制备系统，涉及多晶硅片的制备装置技术领域。所述系统在制备多晶硅棒的过程中，首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步通过铝‑硅合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及真空电子束熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步实现太阳能级多晶硅的提纯，能够去除多晶硅中的多种杂质，制备的多晶硅棒的纯度较高，因此，制备的所述多晶硅片的纯度较高。
多晶硅片去除制备太阳能电池组件定向凝固多晶硅棒制备系统多晶硅硅合金提纯共晶熔体太阳能级多晶硅真空电子束熔炼等离子熔炼二硅化钛制备装置硅熔体提拉

[发明专利]SOI MOS器件的边缘电容仿真方法和装置-CN202210235421.7在审
发明人：张东阳 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：仿真方法包括以下步骤：获取SOI MOS器件的结构参数和栅多晶硅单位宽度边缘电容值；基于SOI MOS器件的结构参数，确定SOI MOS器件的体多晶硅的种类；基于SOI MOS器件的结构参数，计算SOIMOS器件的栅多晶硅与源漏区的第一交叠区宽度；第一交叠区宽度为有效沟道宽度；基于SOI MOS器件体多晶硅的种类，确定SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值；SOI MOS器件的体多晶硅边缘电容值预先设定，且与体多晶硅的种类对应；使得有效沟道宽度、栅多晶硅单位宽度边缘电容值、体多晶硅边缘电容值输入预先构建的边缘电容仿真模型，计算确定SOI MOS器件的边缘电容值。
soi mos 器件边缘电容仿真方法装置

[发明专利]绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法-CN201811278765.6有效
发明人：吴政达;曾国华;王志豪;杜友伦;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例涉及绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法。一种绝缘体上硅SOI衬底，其包含半导体衬底及多层多晶硅结构。所述多层多晶硅结构放置于所述半导体衬底上方。所述多层多晶硅结构包含：多个多晶硅层，其彼此堆叠；及原生氧化物层，其在多晶硅层的各相邻对之间。
绝缘体衬底半导体装置及其制造方法

[发明专利]能提高加工良率的IGBT器件-CN201811603145.5在审
发明人：许生根;陈钱;牛博;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种能提高加工良率的IGBT器件，其包括半导体基板以及元胞区，半导体基板包括第一导电类型漂移区以第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；发射极多晶硅包括发射极第一多晶硅体以及发射极第二多晶硅体，发射极第一多晶硅体填充在发射极沟槽内，发射极第二多晶硅体位于发射极沟槽的槽口上方，发射极第二多晶硅体的宽度大于发射极第一多晶硅体的宽度，发射极金属层能直接与发射极第二多晶硅体欧姆接触或与发射极第二多晶硅体的侧壁接触，从而能实现发射极金属层与发射极多晶硅的欧姆接触，避免了现有工艺难度较大的制作工艺，降低了IGBT器件的加工难度，提高了IGBT器件的可加工能力，提高了IGBT器件的加工良率。
多晶硅体发射极良率发射极多晶硅发射极金属层半导体基板发射极沟槽欧姆接触元胞区加工第一导电类型并联分布侧壁接触导电类型工艺难度加工能力制作工艺漂移区槽口基区元胞填充

[实用新型]能提高加工良率的IGBT器件-CN201822209965.8有效
发明人：许生根;陈钱;牛博;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能提高加工良率的IGBT器件，其包括半导体基板以及元胞区，半导体基板包括第一导电类型漂移区以第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；发射极多晶硅包括发射极第一多晶硅体以及发射极第二多晶硅体，发射极第一多晶硅体填充在发射极沟槽内，发射极第二多晶硅体位于发射极沟槽的槽口上方，发射极第二多晶硅体的宽度大于发射极第一多晶硅体的宽度，发射极金属层能直接与发射极第二多晶硅体欧姆接触或与发射极第二多晶硅体的侧壁接触，从而能实现发射极金属层与发射极多晶硅的欧姆接触，避免了现有工艺难度较大的制作工艺，降低了IGBT器件的加工难度，提高了IGBT器件的可加工能力，提高了IGBT器件的加工良率。
多晶硅体发射极良率发射极多晶硅发射极金属层半导体基板发射极沟槽欧姆接触元胞区加工第一导电类型本实用新型并联分布侧壁接触导电类型工艺难度加工能力制作工艺漂移区槽口基区元胞填充

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