专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造多晶硅的方法-CN201580005684.7有效
  • S·费贝尔;A·贝格曼;R·佩赫;S·里斯 - 瓦克化学股份公司
  • 2015-01-16 - 2019-05-14 - C01B33/035
  • 本发明提供一种制造多晶硅的方法,包括:a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅,所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度,导致形成至少一个U形对的多晶硅棒,所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上,并以这种方式供应电力;b)从反应器中卸载所述至少一对多晶硅棒;c)从所述至少一对多晶硅棒的至少两个多晶硅棒的电极端移除石墨残余物;d)粉碎所述至少两个多晶硅棒,以得到棒片或得到块体;其包含,通过至少一个机械脉冲从所述至少两个多晶硅棒中每个的电极端敲掉石墨残余物。
  • 制造多晶方法
  • [发明专利]多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法-CN201480046099.7有效
  • R·佩赫;P·格吕布尔 - 瓦克化学股份公司
  • 2014-08-07 - 2017-09-12 - C01B33/02
  • 在表面上具有碳化钨颗粒的多晶硅碎块,其中碳化钨颗粒根据重量加权平均的粒径为小于或等于0.5μm、优选为小于或等于0.2μm或者平均粒径为大于或等于0.8μm、优选为大于或等于1.3μm。利用至少一个具有包含碳化钨的表面的破碎工具将多晶硅棒破碎成为碎块的方法,其中工具表面的碳化钨含量为小于或等于95%,碳化钨颗粒根据重量加权平均的粒径为大于或等于0.8μm,或者工具表面的碳化钨含量为大于或等于80%并且碳化钨颗粒的平均粒径为小于或等于0.5μm。
  • 多晶碎块破碎方法
  • [发明专利]多晶硅及其制造方法-CN201710165270.1在审
  • R·佩赫;E·多恩贝格尔 - 瓦克化学股份公司
  • 2011-08-25 - 2017-07-07 - C01B33/037
  • 本发明涉及多晶硅,其包含多晶硅碎块,其中至少90%的碎块具有10至40mm的尺寸,其特征在于,粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw,粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw,粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw,粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw,此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。本发明还涉及多晶硅的制造方法,其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块,将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级,及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理,从而从碎块去除硅尘,其中不对碎块实施湿化学清洁。
  • 多晶及其制造方法
  • [发明专利]多晶硅及其制造方法-CN201610307630.2在审
  • R·佩赫;E·多恩贝格尔 - 瓦克化学股份公司
  • 2011-08-25 - 2016-07-27 - C30B29/06
  • 本发明涉及多晶硅,其包含多晶硅碎块,其中至少90%的碎块具有10至40mm的尺寸,其特征在于,粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw,粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw,粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw,粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw,此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。本发明还涉及多晶硅的制造方法,其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块,将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级,及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理,从而从碎块去除硅尘,其中不对碎块实施湿化学清洁。
  • 多晶及其制造方法
  • [发明专利]包装多晶硅-CN201310553157.2有效
  • M·菲茨;B·利希滕埃格;R·佩赫 - 瓦克化学股份公司
  • 2013-11-08 - 2014-06-18 - B65B1/04
  • 本发明涉及包装块体多晶硅的方法,在该方法中将多晶硅块体引入到第一塑料袋中,之后将第一塑料袋引入到第二塑料袋中,或者在引入多晶硅块体前先将第一塑料袋插入到第二塑料袋中,其结果是多晶硅块体存在于密封的双层袋中,其中在引入多晶硅块体后和密封双层袋前将双层袋中两个塑料袋内存在的空气除掉以使双层袋的体积相对多晶硅块体的体积比为2.4–3.0。
  • 包装多晶
  • [发明专利]多晶硅-CN201310188799.7有效
  • M·菲茨;R·佩赫 - 瓦克化学股份公司
  • 2013-05-21 - 2013-12-04 - C01B33/02
  • 本发明提供以块体形式包装在容纳至少5kg质量的塑料袋中的多晶硅,其包括尺寸为20-200mm的块体,其中所述塑料袋中的任何细料部分低于900ppmw,优选低于300ppmw,更优选低于10ppmw。在将通过CVD得到的硅棒粉碎(西门子方法)之后将所述多晶硅进行分类和分级,任选地除尘,然后计量并包装。计量单元和包装单元包括在计量过程中和包装过程中能够去除细料或小颗粒的组件。所述包装单元包括能量吸收器或储藏容器,其能够使硅块滑动或滑移进入塑料袋中。在袋子填充后在塑料袋内产生的气流将粉尘或小颗粒输送出袋子,随后这些粉尘或小颗粒被抽吸装置吸出。
  • 多晶
  • [发明专利]多晶硅及其制造方法-CN201110256319.7在审
  • R·佩赫;E·多恩贝格尔 - 瓦克化学股份公司
  • 2011-08-25 - 2012-03-21 - C30B29/06
  • 本发明涉及多晶硅,其包含多晶硅碎块,其中至少90%的碎块具有10至40mm的尺寸,其特征在于,粒径小于400μm的硅尘颗粒的含量小于15ppmw,粒径小于50μm的硅尘颗粒的含量小于14ppmw,粒径小于10μm的硅尘颗粒的含量小于10ppmw,粒径小于1μm的硅尘颗粒的含量小于3ppmw,此外其特征还在于大于或等于0.1ppbw且小于或等于100ppbw的表面金属杂质。本发明还涉及多晶硅的制造方法,其包括将在西门子反应器中于细棒上沉积的多晶硅破碎成碎块,将碎块分级成从约0.5mm至大于45mm的尺寸等级,及对硅碎块利用压缩空气或干冰进行处理,从而从碎块去除硅尘,其中不对碎块实施湿化学清洁。
  • 多晶及其制造方法

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