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[发明专利]分量译码器、外信息存储单元以及Turbo码译码器-CN202110634440.2有效
发明人：韩雄川;荣念辰;郑言龙;杨洁雨;王震;陈成舜;徐折葵;黄戈 -专利权人：上海矽久微电子有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于Turbo码译码的分量译码器、用于双比特Turbo码译码的外信息存储单元、Turbo码译码器以及双比特Turbo码译码器，该分量译码器包括：信息软值译码单元和校验软值译码单元；信息软值译码单元，用于在每次译码迭代时，根据输入的待译码信息中的信息软值，和所适配的外信息存储单元中的当前存储信息，计算译码信息软值；校验软值译码单元，用于在每次译码迭代时，根据输入的待译码信息中的校验软值，和所适配的外信息存储单元中的当前存储信息，计算译码校验软值；实现了在根据分量译码器获取译码信息软值的同时，对译码校验软值的获取，使得译码结果的信息更加丰富。
分量译码器信息存储单元以及 turbo

[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法-CN201910009213.3在审
发明人：崔伸浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储设备，包括控制器和具有存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备。所述控制器访问所述存储单元的第一存储单元，当访问所述第一存储单元失败时，从所述参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元，取决于所述第一参考存储单元的读取结果确定坏区，并且将所述存储单元中的属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元
存储单元参考存储单元存储设备非易失性存储设备坏区读取第二存储单元坏存储单元控制器访问读取结果控制器关联失败访问

[发明专利]一种三维结构的NAND铁电存储单元及其制备方法-CN202011027562.7有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;杨棋钧;刘兆通;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：一种三维结构的NAND铁电存储单元及其制备方法，其中，铁电存储单元包括：由内至外依次设置的氧化物绝缘层、沟道层、沟道缓冲层、铁电层和栅极缓冲层和栅极；沟道层和铁电层之间设置有沟道缓冲层；和/或，铁电层和栅极之间设置有栅极缓冲层本发明的存储单元，缓冲层具有以下作用：1.可诱导铁电薄膜结晶生成铁电相；2.可减小统一退火结晶时沟道层和铁电层不同结晶特性造成的不利影响，提高沉积薄膜的质量和均一性；3.缓冲层可以提高沟道层的界面性能，故，缓冲层可整体提高三维结构中存储单元的存储性能和均一性，增大存储单元的存储窗口、提高存储单元的疲劳性能并提升多个晶体管存储性能的均一性。
一种三维结构 nand 存储单元及其制备方法

[发明专利]基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质-CN202211225068.0有效
发明人：杨媛媛;刘明;李彦;石昊明 -专利权人：中科声龙科技发展（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质，每个存储块包括多个存储单元，所述方法包括：对存储块的多个存储单元进行测试并得到测试结果；根据测试结果对多个存储单元进行分类处理，划分为第一存储单元和第二存储单元，其中，第一存储单元为通过测试的存储单元，第二存储单元为未通过测试的存储单元；获取缓存数据，并将缓存数据存储到第一存储单元；以及根据缓存数据获取有向无环图数据，并将有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元。本申请的缓存数据只存储到第一存储单元，有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元，提高了存储单元的利用率。
基于 ethash 算法数据存储方法装置设备介质

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN202111342761.1在审
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN201910229050.X有效
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]电池组和电动车-CN201380042334.9有效
发明人：鹿野浩史 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：一种电池组包括多个电池单元(1)；电池支撑部，其保持所述多个电池单元；连接部分(6)，其连接到所述多个电池单元；和电路基板(8)，其用于安装用于所述多个电池单元的电路。所述电池支撑部(2)与存储所述多个电池单元的电池单元存储单元(3)、支撑所述电池单元存储单元的基础单元(4)和冲击减缓肋(21)一体形成，且每个所述冲击减缓肋形成于所述基础单元的外周和每个所述电池单元存储单元的外表面之间
电池组电动车

[发明专利]存储单元检测方法及存储器检测方法-CN201910335924.X在审
发明人：杨正杰;蓝国维;孙力 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及存储单元检测技术领域，提出一种存储单元检测方法及存储器检测方法，所述存储单元包括用于存储数据信号的存储单元，存储单元检测方法包括：对所述存储单元进行功能检测；以及当所述存储单元的存储功能合格时，再对所述存储单元进行至少一次所述功能检测。其中，所述功能检测包括：向所述存储单元写入高电平信号；在预设时长间隔后检查所述存储单元的电平状态；以及根据所述存储单元的电平状态判断所述存储单元的存储功能状态。本公开可以精确地检测出存储单元的储存功能状态。
存储单元检测方法存储器

[发明专利]积水清除装置及积水清除方法-CN202010404591.4有效
发明人：张朋;胡松良;谷京虎;李想;江晓川;王延萍;刘斌;赵幸彩;吴江鹏;姚佩远;李小坡 -专利权人：河北省安装工程有限公司;天津创业环保集团股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： E02D19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种积水清除装置及积水清除方法，涉及机械排水设备的技术领域，其积水清除装置包括存储单元、吸水单元、抽真空单元以及密封单元；密封单元采用焊接体或密封胶，环绕设置于池体底板的下底面外周，用于将间隙空间的外周密封；存储单元包括壳体,壳体内部设有封闭的存储空间；吸水单元一端与间隙空间密封连通，另一端与存储空间的上部连通；抽真空单元与存储空间的上部连通；其积水清除方法，通过采用上述装置，使积水间隙形成封闭空间，再经抽真空单元驱动吸水单元吸水进入存储单元
积水清除装置方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201410490067.8有效
发明人：细野浩司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种使动作可靠性提高的非易失性半导体存储装置。实施方式的该装置包括：存储单元阵列、电压产生电路以及控制电路；其中若至少第1数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元，供应低于写入电压的第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，且供应低于第1电压的第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元；若少于第2数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元且供应第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，但不供应第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法-CN201310050079.4有效
发明人： W.阿勒斯;M.耶弗雷莫夫;J.奥特斯泰特;C.彼得斯;R.韦斯纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法。提供一种存储单元，所述存储单元包括：第一二端存储元件；第二二端存储元件；控制器电路，其被配置成将所述第一二端存储元件编程至一个或多个状态并将所述第二二端存储元件编程至一个或多个状态，其中所述第一二端存储元件的状态和所述第二二端存储元件的状态相互依赖；以及测量电路，其被配置成测量与所述第一二端存储元件的状态相关联的第一二端存储元件信号和与所述第二二端存储元件的状态相关联的第二二端存储元件信号之间的差信号。
存储单元形成方法以及操作

[发明专利]存储方法和装置及其存储系统-CN201710046893.7在审
发明人：杨孝平 -专利权人：中国移动通信集团四川有限公司;中国移动通信集团公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储方法和装置及其存储系统。该方法包括：创建第一虚拟存储单元，第一虚拟存储单元与第一存储设备中的第一存储单元相对应；创建第二虚拟存储单元，第二虚拟存储单元与第二存储设备中的第二存储单元相对应；以及通过第一虚拟存储单元或第二虚拟存储单元访问对应的第一存储单元或第二存储单元，其中第一虚拟存储单元与第二虚拟存储单元具有相同的存储单元标识。该存储方法能够实现完全基于存储设备的底层存储数据双活并且零切换时间的技术效果。
虚拟存储单元存储单元存储设备第二存储单元方法和装置存储存储系统存储数据技术效果创建访问

[发明专利]一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构-CN201010140618.X无效
发明人：刘维;刘纪元;黄海宁;张春华 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G01S7/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于声纳系统的自解释的数据储存结构，所述的数据储存结构包括：结构体数据块存储结构或声纳数据块存储结构；两种存储结构还包含数据描述存储单元和数据存储单元：所述的数据描述存储单元包含：数据头起始标志子存储单元、类型子存储单元、字节数子存储单元、数据说明子存储单元和数据头结束标志子存储单元；所述的声纳数据块存储结构的数据存储单元包含：维数子存储单元、各维大小子存储单元、数据子存储单元；所述的结构体数据块存储结构的数据存储单元包含：结构体域个数子存储单元、域名数组子存储单元、n个连续数据子存储单元。本发明提出的方法可提高各种声纳数据的交互性，降低声纳数据存储和读取的复杂性。
一种适用于声纳系统解释数据储存结构

[发明专利]纳机电非挥发随机存取存储器-CN200510068117.4有效
发明人：夏令;吴文刚;甘学温;郝一龙;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳机电非挥发随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬底的驻极体转子两侧设置一对受控制部件MOSFET，其中两个源/漏极作为单元的驱动/检测电极，分别与转子两端的电极相接，另两个漏/源极作为存储单元的位线，与外控电路的读出/写入信号相接，栅极与外控电路的存储单元字线选择信号相接本发明提供了以两个机械稳态分别表示“0”和“1”的全新概念的存储器单元，用本发明的存储器单元制作的存储器具有非挥发性、低功耗和高速的特点。
机电挥发随机存取存储器

[发明专利]一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置-CN201910357590.6在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置，所述方法包括：访问存储单元，对比访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址，以及，获取故障存储单元字线的修复使能位，若访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址匹配，并且故障存储单元字线的修复使能位为1，通过字线选择器，从冗余字线替换存储单元中选择对应于故障存储单元的字线地址的冗余字线存储单元替换故障存储单元。本发明NOR flash存储器，实现了对存储单元字线方向上的替换修复，提升了对存储单元修复的效果，从而提高了NOR flash存储器出厂时的良率。
一种 nor flash 存储器存储单元修复方法装置