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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]选择性转移半导体元件的方法-CN201380077951.2有效
发明人：吕志强;林俊宇;陈怡名;林敬倍;简崇训;黄建富;顾浩民;谢明勋;徐子杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤a.提供一基板(101)具有第一表面(1011)及第二表面；b.提供多个半导体外延叠层位于第一表面(1011)上，其中任一多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层(31)与第二半导体外延叠层(32)，且第二半导体外延叠层(32)与第一半导体外延叠层(31)隔开，其中第一半导体外延叠层(31)与基板(101)之间的粘着力不同于第二半导体外延叠层(32)与基板(101)之间的粘着力；c.自基板(101)选择性地分离第一半导体外延叠层(31)或第二半导体外延叠层(32)。
选择性转移半导体元件方法

[发明专利]面射型激光装置-CN201910260182.9有效
发明人：许聪基;赖铭智;林弘伟;许文士;郭浩中;叶晏玮;萧越;向宇;张鹏 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：面射型激光装置用以产生一激光光束，且包括外延叠层体以及一保护结构。外延叠层体包括一第一反射镜层、一有源层、一第二反射镜层。有源层位于第一反射镜层与第二反射镜层之间，且外延叠层体具有至少一氧化沟槽，其由外延叠层体的一表面延伸至外延叠层体内部。保护结构设置于外延叠层体上，且包括一第一叠层部分。第一叠层部分覆盖氧化沟槽的一内壁面，且第一叠层部分至少包括一应力缓冲层、一氧化铝层以及一覆盖层。氧化铝层夹设在应力缓冲层与覆盖层之间。
面射型激光装置

[发明专利]超结器件结构及其制备方法-CN201910364377.8有效
发明人：徐大朋;黄肖艳;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；外延叠层，形成于所述半导体衬底上；所述外延叠层包括至少两种沿所述外延叠层的厚度方向交替叠置的第一导电类型的外延层，且其中至少一种所述外延层具有与所述半导体衬底不同的晶格常数；第二导电类型的柱结构，形成于所述外延叠层中，且沿所述外延叠层的厚度方向延伸。本发明通过生长具有不同晶格常数的外延层，引入晶格缺陷，增加载流子复合几率，以优化超结功率器件的反向恢复特性；通过引入至少两种外延层交替叠置的外延叠层，得到均匀可控的缺陷分布。
器件结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610413139.8有效
发明人：蒙成;卢怡安;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管包括发光外延叠层，上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区；欧姆接触层，位于发光外延叠层的欧姆接触区之上；扩展电极，形成于欧姆接触层上，并至少部分向欧姆接触层的边沿延伸至发光外延叠层的非欧姆接触区，接触发光外延叠层的上表面；透明绝缘层，覆盖扩展电极及裸露着的欧姆接触层和发光外延叠层上表面，具有电流通道，其与扩展电极连接，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；焊线电极，位于透明绝缘层之上，通过电流通道与扩展电极导通，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；当注入电流时，迅速沿焊线电极下方的电流通道向发光外延叠层的欧姆接触区流通，避免焊线电极下方有源层灌入电流发光。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管装置及其制造方法-CN200710199841.X有效
发明人：陈朝旻;陈世鹏;薛清全;陈煌坤 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该发光二极管装置包括外延叠层、电流阻挡层以及电流扩散层。电流阻挡层设置于外延叠层的一侧，并与部分的外延叠层接触。电流扩散层设置于外延叠层的一侧，并与至少部分的电流阻挡层接触。
发光二极管装置及其制造方法

[实用新型]发光二极管-CN202020902962.7有效
发明人：梁志阳;黄庆;欧秀玲;章旋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管，包括：透明衬底；位于透明衬底上的透明电流扩展层、外延叠层、第一欧姆接触电极层，外延叠层包括依次位于透明电流扩展层上方的第二外延层、有源层和第一外延层，第二外延层覆盖至少部分的透明电流扩展层；绝缘介质层，位于外延叠层和部分第一欧姆接触电极层的表面；第一电极，与暴露的第一欧姆接触电极层部分接触；以及第二电极，与暴露的透明电流扩展层部分接触，透明电流扩展层图案化。本申请设置图案化的透明电流扩展层，既减薄了外延叠层，又满足了透明键合层与外延叠层键合的可靠性需求，并且图案化的透明电流扩展层减少了与第二外延层形成欧姆接触的金属电极的面积，提高了发光二极管的出光效率。
发光二极管

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN201980000186.1有效
发明人：姚兰;薛磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在衬底上形成交替电介质叠层。形成在垂直方向上穿过交替电介质叠层的垂直结构。去除所述交替电介质叠层的底部电介质层。在去除所述底部电介质层之后，在所述衬底和所述交替电介质叠层之间形成外延层。在外延层上形成绝缘层。绝缘层位于外延层和交替电介质叠层之间。可以避免形成垂直结构的步骤对外延层的影响，并且因此可以避免外延层和底部电介质层之间界面处的缺陷。
三维存储器件及其制造方法

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN202010417291.X有效
发明人：姚兰;薛磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在衬底上形成交替电介质叠层。形成在垂直方向上穿过交替电介质叠层的垂直结构。去除所述交替电介质叠层的底部电介质层。在去除所述底部电介质层之后，在所述衬底和所述交替电介质叠层之间形成外延层。在外延层上形成绝缘层。绝缘层位于外延层和交替电介质叠层之间。可以避免形成垂直结构的步骤对外延层的影响，并且因此可以避免外延层和底部电介质层之间界面处的缺陷。
三维存储器件及其制造方法

[发明专利]包括辅助支架键合修正的发光二极管及其制造方法-CN02818519.6有效
发明人： D·B·小斯拉特;B·E·威廉斯;P·S·安德鲁斯 -专利权人：克里公司
申请日： 2002-07-23 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光二极管包括衬底、衬底上其中包括二极管区的外延区、以及外延区上与衬底相对的多层导电叠层。钝化层至少部分地延伸在多层导电叠层上与外延区相对，以便确定在多层导电叠层上与外延区相对的键合区。钝化层还延伸跨越多层导电叠层，延伸跨越外延区，并且延伸到衬底上。多层导电叠层可以包括外延区上与衬底相对的欧姆层、欧姆层上与外延区相对的反射层、以及反射层上与欧姆层相对的锡的势垒层。还可以在锡的势垒层上提供与反射层相对的粘合层、还可以在粘合层上提供与锡的势垒层相对的键合层、还可以提供辅助支架以及键合层与辅助支架之间的键合。
包括辅助支架修正发光二极管及其制造方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN202111098970.6在审
发明人：王加坤 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该超结器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成外延层；在外延层中形成多个第一半导体柱；在外延层上形成牺牲叠层；以牺牲叠层作为第一硬掩模，在外延层中形成体区，体区具有与第一硬掩模对齐的第一边缘；在牺牲叠层的侧壁形成侧墙；以牺牲叠层和侧墙作为第二硬掩模，在体区中形成源区，源区具有与第二硬掩模对齐的第一边缘；去除牺牲叠层；以及在外延层上形成栅叠层，栅叠层横跨体区的第一边缘和源区的第一边缘，使得超结器件的沟道长度对应于牺牲叠层的侧墙厚度该制造方法采用牺牲叠层的侧墙控制沟道长度以提高超结器件的一致性和可靠性。
器件及其制造方法

[发明专利]外延片及其制备方法、发光器件及显示装置-CN202110831374.8在审
发明人：蔡明达;张杨;陈靖中 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种外延片及其制备方法、发光器件及显示装置，外延片包括基底和外延叠层，外延叠层设置于基底上，外延叠层包括沿平行于基底延伸方向上依次层叠的第一外延结构、导电胶层和第二外延结构；第一外延结构和第二外延结构通过导电胶层粘接固定；第一外延结构包括第一N型半导体层、第一有源层和第一P型半导体层；第二外延结构包括第二N型半导体层、第二有源层和第二P型半导体层。也即，外延叠层包括两个外延结构，则有两个有源层辐射光线，因此光线密度明显增加；另外，TM模式的偏振光传播方向垂直于正出光面，则光很容易被提取出来，由此可以提高光提取率，从而增加出光效率，发光效率明显提升
外延及其制备方法发光器件显示装置

[发明专利]用于植物照明的发光二极管及其制作方法-CN201610757136.6有效
发明人：吴超瑜;吴俊毅;黄俊凯;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于植物照明的发光二极管及其制作方法，其依次包括外延生长的第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层。
用于植物照明发光二极管及其制作方法

[发明专利]形成半导体外延层的外延叠层的方法和晶片处理炉-CN202310031658.8在审
发明人： D.皮埃罗;K.侯本;S.范阿尔德;W.弗维杰;B.琼布罗德;C.德泽拉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于在多个衬底上形成外延叠层的方法和晶片处理炉。在优选实施例中，该方法包括向处理室提供多个衬底。执行多个沉积循环，从而在多个衬底上形成外延叠层。外延叠层包括多个外延对，每个外延对包括第一外延层和第二外延层。沉积循环包括第一沉积脉冲和第二沉积脉冲。第一沉积脉冲包括向处理室提供第一反应气体混合物，从而形成第一外延层，第二沉积脉冲包括向处理室提供第二反应气体混合物，从而形成第二外延层。
形成半导体外延方法晶片处理

[发明专利]一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片-CN201610943582.6有效
发明人：钟志白;杨力勋;李佳恩;郑锦坚;徐宸科;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片，包括：提供一发光外延片，所述发光外延片由生长衬底和发光外延叠层构成，并在所述发光外延叠层上制作若干个芯片结构层，在相邻的芯片结构层之间，于发光外延叠层表面定义出切割道；在所述切割道上预划出沟槽结构，并贯穿至所述生长衬底内部；沿着所述生长衬底背面，根据沟槽结构的尺寸变化进行减薄，直至去除生长衬底，露出所述发光外延叠层；进行单一化处理，将所述发光外延片分离成若干个薄膜芯片
一种薄膜芯片制作方法及其

[发明专利]用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法-CN201710122936.5在审
发明人：闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法，所述叠层基板包括至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；所述叠层基板具有六方晶体结构。所述叠层基板适于作为高温生长氮化物外延层的基底，形成高质量的氮化物外延层。
用于氮化物外延生长叠层基板及其形成方法

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