|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 47个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种可控模态垂直腔面发射激光器-CN202310987114.9在审
-
李加伟;向宇;严磊
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2023-08-08
-
2023-10-10
-
H01S5/183
- 本发明公开了一种可控模态垂直腔面发射激光器。其包括自上而下的上DBR层、有源层、下DBR层以及夹设于上DBR层内且中间形成有氧化孔的氧化层，在上DBR层顶面形成有用于激光出射的光窗；所述光窗表面被分为位于中间的第一区域和包围所述第一区域的第二区域，在所述第二区域之上设置有至少一层模态调节复合层，所述模态调节复合层由下层的光取出层和上层的多晶硅吸光层组成，光取出层和多晶硅吸光层的厚度均为所述垂直腔面发射激光器四分之一发射波长的奇数倍，所述光取出层的材料折射率小于上DBR层的材料折射率。相比现有技术，本发明具有更好的模态控制能力和稳定性。
- 一种可控垂直发射激光器
- [发明专利]VCSEL芯片制造方法及VCSEL阵列-CN202210992271.4在审
-
李加伟;严磊
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-08-18
-
2023-03-07
-
H01S5/183
- 本发明公开了一种VCSEL芯片制造方法，属于半导体激光器制造技术领域。本发明VCSEL芯片制造方法包括：在外延片上形成多个具有氧化限制型结构的主动区平台的步骤，所述制造方法还包括：在所形成的多个主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层的步骤。本发明还公开了一种VCSEL阵列。针对VCSEL芯片制造过程中由于叠层DBR压应力所导致的翘曲问题，本发明对现有制造工艺进行改进，在氧化限制型的主动区平台制作完成后，在主动区平台之间的沟槽底部沉积具有拉应力的应力补偿层，以对叠层DBR所产生的压应力进行抵消，可有效减少VCSEL芯片在后道工序中所产生的翘曲，大幅降低产品破损率。
- vcsel芯片制造方法阵列
- [发明专利]半导体器件制造方法及半导体器件-CN202111071850.7有效
-
张玉乾;唐家乐;赖铭智;孙长征
-
苏州长瑞光电有限公司;清华大学
-
2021-09-14
-
2022-11-11
-
H01S5/02
- 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括至少一道刻蚀工序，用于以图案化的光刻胶作为掩模，将图案转移至由第一III‑V族半导体材料所构成的刻蚀目标层，并清除光刻胶；所述刻蚀工序包括以下步骤：在刻蚀目标层上形成由第二III‑V族半导体材料所构成的隔离层，第二III‑V族半导体材料与第一III‑V族半导体材料具有腐蚀选择性且两者晶格匹配；在隔离层上涂抹光刻胶并使之图案化；以图案化的光刻胶作为掩模，将图案刻蚀转移至隔离层和刻蚀目标层；去除至少部分光刻胶；通过选择性湿法腐蚀工艺去除隔离层以及其上的残留光刻胶。本发明还公开了一种半导体器件。本发明可在刻蚀工序中实现光刻胶的彻底去除，且对刻蚀目标层的表面几乎不造成损伤。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202210747428.7在审
-
李加伟;严磊
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-06-28
-
2022-10-18
-
H01S5/183
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法，所述垂直腔面发射激光器以（100）晶面GaAs为衬底材料；该制备方法包括：湿法氧化步骤，用于将DBR中的一层或多层高铝层的外圈区域作为目标氧化区域，将其氧化为氧化铝，并在所述一层或多层高铝层的中间区域形成未被氧化的氧化孔；该制备方法还包括：在湿法氧化步骤前的离子注入步骤，用于通过离子注入的方式使得目标氧化区域中的部分区域形成具有离子注入损伤的缺陷区，并基于缺陷区与目标氧化区域中的其他区域之间的湿氧化速率差异，使得经湿法氧化步骤所生成的氧化孔为非圆形的氧化孔。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明在保证了VCSEL激光器性能的同时，可大幅降低生产成本和芯片切割难度。
- 垂直发射激光器制备方法
- [发明专利]垂直腔面发射激光器阵列及一种光源-CN202210978938.5在审
-
李加伟;赖铭智
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-08-16
-
2022-10-11
-
H01S5/42
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列，属于半导体激光器技术领域。本发明VCSEL阵列包括由并联且均匀分布的一组主VCSEL单元所构成的M×N的VCSEL主阵列；在所述VCSEL主阵列中由坐标为(i，j)、(i，j+1)、(i+1，j)、(i+1，j+1)的四个主VCSEL单元所围成矩形区域中的同一位置处分别设置有一个相同的辅助VCSEL单元，i＝1,2,3,…,M‑1，j＝1,2,3,…,N‑1，所述辅助VCSEL单元的光功率小于主VCSEL单元光功率且所有辅助VCSEL单元均与VCSEL主阵列并联。本发明还公开了一种光源。相比现有技术，本发明可大幅改善VCSEL阵列的温度分布和出光均匀性，无需复杂的电路连接及控制逻辑，且对现有生产制程的改变较少，实现成本较低。
- 垂直发射激光器阵列一种光源
- [发明专利]氧化限制型VCSEL制造方法及氧化限制型VCSEL-CN202210755475.6在审
-
李加伟;薛金鹏
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-06-29
-
2022-08-30
-
H01S5/183
- 本发明公开了一种氧化限制型垂直腔面发射激光器（Vertical‑Cavity Surface‑Emitting Laser，简称VCSEL）制造方法。本发明制造方法包括：使用氯基刻蚀气体对外延片进行干法刻蚀以在外延片上形成主动区平台的干法刻蚀步骤，对所形成的主动区平台侧壁进行湿法氧化以形成具有氧化限制型结构的主动区平台的湿法氧化步骤；在这两个步骤之间还包括以下处理过程：先用氟碳基气体对干法刻蚀后的外延片进行等离子表面处理，然后对外延片进行等离子灰化处理以去除光刻胶以及等离子表面处理所生成的FC高分子膜。本发明还公开了一种氧化限制型VCSEL。相比现有技术，本发明可有效消除干法刻蚀工艺对后道工序的不良影响，有效提高VCSEL成品的性能和可靠性。
- 氧化限制vcsel制造方法
- [发明专利]垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN202210516684.5在审
-
李加伟;向宇
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-05-12
-
2022-08-26
-
H01S5/183
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括自下而上依次排列的有源层、氧化限制层、上反射层，所述氧化限制层中间设置有作为出光通道的氧化孔；在所述上反射层中设置有环绕所述出光通道对称分布的高折射率区，所述高折射率区的内缘与所述出光通道的外缘相衔接，所述高折射率区的光折射率大于上反射层中水平方向上其它区域的光折射率，所述高折射率区的底部与氧化限制层的顶部相衔接，所述高折射率区的顶部与上反射层的顶部重合或者低于上反射层的顶部。本发明还公开了一种上述垂直腔面发射激光器的制造方法。相比现有技术，本发明可有效提升激光器的数据传输带宽和数据传输速率。
- 垂直发射激光器及其制造方法
- [发明专利]垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器-CN202210543658.1在审
-
李加伟;赖铭智
-
苏州长瑞光电有限公司
-
2022-05-18
-
2022-08-19
-
H01S5/042
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制造方法，所述垂直腔面发射激光器包括自下而上依次排列的有源层、氧化限制层、上反射层、上电极，氧化限制层中间设置有氧化孔，上电极中间设置有与所述氧化孔同心且孔径大于氧化孔孔径的出光孔，上反射层中设置有与所述出光孔垂直方向投影同心的环状高电阻区，环状高电阻区的内径大于出光孔孔径；本发明提前制作上电极，并在上电极制作过程中以上电极金属膜作为掩模进行质子注入，形成环状高电阻区，然后对上电极金属膜进行刻蚀，从而得到与环状高电阻区准确对准的上电极。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器。本发明可有效消除对位偏差所导致的电流拥挤问题，降低寄生电容，提高激光器数据传输带宽。
- 垂直发射激光器制造方法
|
