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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种线圈架的自动注胶装置-CN202221578793.1有效
发明人： 梁志阳;熊志刚;张增增;李昊;冯宇涛 -专利权人：浙江中欣动力测控技术有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线圈架的自动注胶装置，特点是包括旋转注胶座、多个线圈架、多个分隔机构、夹紧机构和移动设置在直线移动机构上的注胶桶，旋转注胶座包括旋转驱动机构、转动杆和转动支座，转动杆的一端与旋转驱动机构的转动驱动端连接，转动杆的另一端转动设置在转动支座上，注胶桶的移动方向与转动杆的方向平行，线圈架从前至后依次套设在转动杆上，每个分隔机构夹持设置在每个线圈架的两端，夹紧机构设用于将所有连接在一起的线圈架的前后两端夹紧固定，注胶桶沿直线移动机构来回移动且移动方向与转动杆平行，注胶桶倾斜向下设置且注胶口朝向线圈架的上方；优点是注胶过程自动化程度较高，省时省力，注胶效率较高。
一种线圈自动装置

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN202010996853.0有效
发明人：黄庆;欧秀玲;王亚宏;章旋;梁志阳 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，包括永久衬底，位于所述永久衬底上的键合层、全方位反射结构、外延层、第一电极层以及位于所述永久衬底下表面的第二电极层；其中，所述全方位反射结构包括位于所述外延层下方从上到下依次设置的第一介质层、第二介质层以及金属镜面层；所述第一介质层中具有多个通孔；多个所述通孔内填充有所述第二介质层。本申请的发光二极管芯片的全方位反射结构中的第二介质层不仅提高了通孔内的反射率，实现了较高的欧姆接触比，而且避免了金属镜面层中金属原子向P型欧姆接触层的扩散，并且在通孔内引入了金属扩散原子实现高掺杂，提高了发光二极管芯片的电性能。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202010656666.8有效
发明人：欧秀玲;黄庆;章旋;梁志阳 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管及其制造方法，包括支撑衬底；外延叠层，包括依次堆叠在所述支撑衬底上方的第二外延层、有源层、第一外延层；反射镜结构，包括位于所述支撑衬底上方的凸起。本申请通过在键合结构远离支撑衬底的表面上设置包含凸起的反射镜结构，可使得发光二极管沿四个侧壁逃逸出的光线被反射到有效出光角度范围内，有效提高芯片的外量子效率。
发光二极管及其制造方法

[外观设计]发光二极管芯片-CN202030561969.2有效
发明人：黄庆;欧秀玲;王亚宏;章旋;梁志阳 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：发光二极管芯片。2.本外观设计产品的用途：用于发光二极管芯片。3.本外观设计产品的设计要点：在于发光二极管芯片中扩展电极弯折的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1俯视图。5.指定设计1为基本设计。
发光二极管芯片

[实用新型]反极性发光二极管芯片-CN202022075677.5有效
发明人：黄庆;欧秀玲;王亚宏;章旋;梁志阳 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：公开了一种反极性发光二极管芯片，依次包括第二衬底，键合层，反射镜层，全方位反射镜结构，外延层和第一电极，还包括：多个扩展电极，多个所述扩展电极与所述第一电极连接，位于所述发光二极管的出光面，多个所述扩展电极沿第一轴对称式分布。本实用新型提供的反极性发光二极管芯片，通过在出光面设置多个对称均匀分布的扩展电极，从而保证在合适的欧姆接触比下，提高电流扩展效果。
极性发光二极管芯片

[实用新型]发光二极管-CN202020902962.7有效
发明人： 梁志阳;黄庆;欧秀玲;章旋 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管，包括：透明衬底；位于透明衬底上的透明电流扩展层、外延叠层、第一欧姆接触电极层，外延叠层包括依次位于透明电流扩展层上方的第二外延层、有源层和第一外延层，第二外延层覆盖至少部分的透明电流扩展层；绝缘介质层，位于外延叠层和部分第一欧姆接触电极层的表面；第一电极，与暴露的第一欧姆接触电极层部分接触；以及第二电极，与暴露的透明电流扩展层部分接触，透明电流扩展层图案化。本申请设置图案化的透明电流扩展层，既减薄了外延叠层，又满足了透明键合层与外延叠层键合的可靠性需求，并且图案化的透明电流扩展层减少了与第二外延层形成欧姆接触的金属电极的面积，提高了发光二极管的出光效率。
发光二极管

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