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[发明专利]基片处理装置和基片处理装置的运转方法-CN201811553853.2有效
发明人：阪上博充;佐佐木顺平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于利用基片运送机构将基片精度优良地运送到处理单元中的基片的交接位置。当利用左右对称地配置有2个由驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构的、所谓的蛙腿式的基片运送机构将作为基片的晶片运送到处理单元时，求取驱动臂的旋转角的测量值的移动平均，并基于此来求取驱动臂的旋转角的校正量，以使得对处理单元的基片的交接位置成为基准位置通过采用移动平均，能够反映基片运送机构的热经历，校正量的可靠性提高，因此能够将晶片精度优良地运送到处理单元中的晶片的交接位置。
处理装置运转方法

[发明专利]一种半导体基片的处理方法及装置-CN201611225758.0在审
发明人：陈波;李楠;夏洋;饶晓雯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体基片的处理方法，包括如下步骤：将待处理基片放置于处理腔中的承片台上，所述承片台带动所述基片旋转；向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽，在所述基片表面形成均匀的液体薄膜；向所述处理腔中通入臭氧，所述臭氧与所述基片表面的污染物反应，使得所述污染物从所述基片表面剥离；向所述基片表面喷射去离子水；将所述基片高速旋转进行干燥。本发明还提供一种半导体基片的处理装置。本发明可以在室温下去除基片表面的污染物，在保证污染物去除效率的同时，避免对基片表面金属的腐蚀。
基片表面半导体基片氨水混合溶液处理腔臭氧喷射污染物半导体制造技术污染物去除效率污染物反应处理装置去离子水液体薄膜承片台承片蒸汽剥离腐蚀金属保证

[发明专利]基片处理装置和处理条件调节方法-CN202080050730.6在审
发明人：田所真任;榎本正志;山村健太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供对基片进行处理的基片处理装置，其包括：对基片进行热处理的热处理部；拍摄基片的拍摄部；和控制部，所述控制部构成为执行用于调节对基片的处理的条件的调节处理，所述调节处理包括：曝光前拍摄步骤，控制所述拍摄部，拍摄形成有抗蚀剂膜的未曝光的调节用基片；热处理步骤，在所述曝光前拍摄步骤之后，控制所述热处理部，对进行了以一定的曝光量对基片表面的各区域进行曝光的均匀曝光处理的所述调节用基片，进行所述热处理；加热后拍摄步骤，在所述热处理步骤之后，控制所述拍摄部，拍摄所述调节用基片；温度分布推测步骤，基于所述曝光前拍摄步骤的拍摄结果和所述加热后拍摄步骤的拍摄结果，推测所述热处理时的所述调节用基片的面内温度分布；和热处理条件决定步骤，基于所述调节用基片的面内温度分布的推测结果，决定所述热处理的处理条件。
处理装置条件调节方法

[发明专利]ZnSe晶体基片的热处理法,热处理的基片和光发射装置-CN01117791.8无效
发明人：并川靖生;藤原伸介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2001-05-17 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂,热处理ZnSe晶体基质的方法,利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置,尤其是,热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜,首先使基片在Se环境气氛中进行热处理,然后再在Zn环境气氛中进行热处理。
znse 晶体热处理发射装置

[发明专利]涂敷显影装置-CN202080056483.0在审
发明人：泷口靖史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明的涂敷显影装置(1)包括送入送出站(S1)、处理站(S4)、涂敷前清洗部(23)和涂敷后清洗部(54)。送入送出站包括载置收纳有多个基片(W)的盒(C)的盒载置部(11)。处理站包括：涂敷处理部(COT)，其对基片的正面进行涂敷抗蚀剂的涂敷处理；显影处理部(DEV)，其对由曝光装置(EXP)曝光后的基片的正面供给显影液来进行显影处理；和对基片进行加热的加热部(BK1、BK2涂敷前清洗部设置在送入送出站与曝光装置之间，对涂敷处理前的基片的正面进行物理清洗。涂敷后清洗部设置在处理站与曝光装置之间，对涂敷处理后的基片的背面进行物理清洗。
显影装置

[发明专利]成膜装置-CN201880078200.5在审
发明人：原岛正幸;中村充一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和升降部，其为了在外部的上述被处理基片的输送装置与上述载置台之间交接上述被处理基片而使上述被处理基片升降，上述旋转轴部和/或上述升降部由热传导率在15W
装置

[发明专利]基片处理装置、研磨垫检查装置和研磨垫检查方法-CN202210161774.7在审
发明人：福永努 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置、研磨垫检查装置和研磨垫检查方法，其在适当的时机检查对基片进行研磨的研磨垫的研磨面。基片处理装置包括：对基片进行研磨的研磨垫；盒，其收纳上述研磨垫的与上述基片接触的研磨面；拍摄部，其隔着上述盒对上述研磨垫的上述研磨面进行拍摄；和图像处理部，其对由上述拍摄部拍摄到的图像数据进行处理，检测上述研磨垫的劣化
处理装置研磨检查方法

[发明专利]基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质-CN202110636866.1在审
发明人：中村泰之;田所真任;榎本正志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使形成在基片上的覆膜的去除宽度的调节变得快速的基片处理装置、基片处理的推断方法和存储介质。基片处理装置包括：周缘去除部，其去除形成在基片的表面上的覆膜的周缘部分；分布获取部，其获取表示基片的周向上的位置与基片中被去除了覆膜的部分的宽度的关系的去除宽度分布；和原因推断部，其基于去除宽度分布，输出表示宽度的误差的原因的原因信息
处理装置推断方法存储介质

[实用新型]基片位置检测装置-CN201820741947.1有效
发明人：姚立柱;张津岩;张风港;杨娜 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种基片位置检测装置。该基片位置检测装置包括：信号发射组件，发射用于进行基片位置检测的检测信号；信号接收组件，接收穿过基片传输路径的所述检测信号；信号处理组件，与所述信号接收组件通信连接，处理所述信号接收组件接收到的检测信号并生成相应的控制信号；执行机构，与所述信号处理组件通信连接，响应所述控制信号以控制基片的运动或停止。该技术方案可实现基片的精确定位，以便于控制基片的运动与停止。
基片位置信号接收组件检测信号检测装置信号处理组件控制信号通信连接信号发射组件本实用新型基片传输穿过发射响应检测

[发明专利]真空处理装置-CN200910178136.0有效
发明人：曺生贤;金娧永 -专利权人： IPS株式会社
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种真空处理装置，其能够实现关于例如用于液晶显示器(LCD)面板的玻璃基片的基片的真空处理(例如蚀刻处理和沉积处理)。该真空处理装置包括具有处理空间的真空室；具有矩形形状，且安装于该真空室内的基片支承单元，用于支承基片；安装于该基片支承单元的上表面上的静电吸盘；以及至少一个用于覆盖该静电吸盘的边缘的防护元件，其中，由该静电吸盘和防护元件组成的基片支承表面的顶点通过支承表面延伸单元向该真空室的内壁延伸因此，可以防止发生于基片的顶点的边缘效应，从而提高基片上的蚀刻率或沉积率的一致性。
真空处理装置

[发明专利]表面处理方法-CN200410085728.5无效
发明人：小枝周史;荒川克治;大谷和史 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种表面处理方法，包括：第一步骤，其中表面处理装置1和放置其上的基片10在处于基片10的正表面102与表面处理装置1面对的状态被输送至减压室的内部，以使多个凹入部分32(封闭空间)减压；第二步骤，其中通过使用在凹入部分32内部的负压和大气压的压力差，基片10处于被吸至表面处理装置1上的状态，把表面处理装置1和基片10从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片10被表面处理装置1吸住的条件下，对基片10的所述背面101进行表面处理。
表面处理方法

[发明专利]基片输送方法和基片处理装置-CN202110264462.4在审
发明人：田中诚治;佐野僚;山田洋平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基片处理方法包括：在由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部供给处理气体对基片实施处理的工序；一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边排气，将处理容器调节为开放压力的工序；一边对真空容器从第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用第2排气系统排气，将开闭装置的真空容器侧和真空容器的任一者或两者调节为开放压力的工序；在第1压力与第2压力或第3压力变得相等时，将第2气体流量改变为比第1气体流量大的第3气体流量并将第2排气系统阻隔，将开闭装置开放的工序；和将基片从处理容器移送到真空容器的工序。
输送方法处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片运送方法-CN202110907202.4在审
发明人：三枝直也;田边广太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制设置于开口部的构造物的劣化的基片处理装置和基片运送方法。基片处理装置包括：具有供基片通过的内部空间的基片送入送出模块，在将基片送出到被控制成与大气压相比为正压的外部空间时，该内部空间被控制为大气压环境；开口部，其设置在该基片送入送出模块，将内部空间与外部空间连通
处理装置运送方法

[发明专利]基片支承体和基片处理装置-CN202210107548.0在审
发明人：石川真矢 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基片支承体和基片处理装置，在配置于由基片支承体支承的基片的周围的边缘环中，能够适当地减少该边缘环在等离子体处理时的消耗量。基片支承体包括：基片支承部，其具有吸附基片的静电吸盘和静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承包围基片的边缘环，在内部具有边缘环用加热电极；基材，其具有配置基片支承部的中心载置部和在中心载置部的外周侧配置环支承部的外周载置部；配置在基片支承部的正下方，对基片用加热电极供给电功率的第1供电端子；和配置在环支承部的正下方，对边缘环用加热电极供给电功率的第2供电端子，外周载置部的上表面位于比中心载置部的上表面低的位置，环支承部的厚度为基片支承部的厚度的
支承处理装置

[发明专利]基片支承部和基片处理装置-CN202210246561.4在审
发明人：斋藤道茂 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够提高基片温度的可控性的基片支承部和基片处理装置。
支承处理装置