专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110341245.0在审
  • 李巍;芮强 - 无锡华润华晶微电子有限公司
  • 2021-03-30 - 2022-10-04 - H01L21/331
  • 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括:提供具有第一导电类型的半导体基片,所述半导体基片包括相反的第一基片面和第二基片面;向所述半导体基片的第一基片面掺杂具有第一导电类型的杂质,从所述第二基片面到所述第一基片面,所述半导体基片中具有第一导电类型的杂质的浓度渐变增大,所述半导体基片的厚度方向上的至少部分区域构成了所述半导体结构的半导体衬底;采用掺杂后的所述半导体基片形成IGBT。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [实用新型]基于半导体基片加工的升温均匀的托盘结构-CN201920820145.4有效
  • 刘川 - 刘川
  • 2019-06-03 - 2020-04-28 - C23C14/50
  • 本实用新型提供基于半导体基片加工的升温均匀的托盘结构,包括托盘、弹簧和橡胶圆片;所述托盘底端面轴心部位开设有一处所述安装凹槽结构。因圆形通孔的轴线位于半导体基片置放圆槽顶侧的三分之一深度部位,故当半导体基片通过四组夹紧机构共同夹持在半导体基片置放圆槽内时,半导体基片底端面不与半导体基片置放圆槽内端底面相接触,当后续进行工艺加工时,工艺气体在半导体基片置放圆槽内运行,为半导体基片传递热量,通过热辐射形式对半导体基片进行加热,使整个半导体基片在工艺加工过程升温更均衡,可有效的避免由于温度不均匀造成的半导体基片周围和中间工艺结果不同情况的发生
  • 基于半导体加工升温均匀托盘结构
  • [发明专利]制造半导体基片的方法和装置-CN201610158724.8有效
  • 李光武 - 李光武
  • 2016-03-18 - 2018-11-30 - C23C4/12
  • 本发明提供一种制造半导体基片的方法和装置。制造半导体基片的方法包括如下步骤:将半导体材料加热至熔融状态,得到熔融半导体材料;利用热喷涂枪将所述熔融半导体材料热喷涂至基板上,随后降温,使基板上的熔融半导体材料凝固,得到半导体基片。本发明的方法在制造半导体基片时材料利用率高、制造成本低,制造的半导体基片尺寸大、厚度可控、纯度高,应用前景广泛。
  • 制造半导体方法装置
  • [发明专利]减少半导体基片颗粒污染的方法及系统-CN200810057751.1有效
  • 魏晓 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2008-02-15 - 2009-08-19 - H01L21/00
  • 本发明公开了一种减少半导体基片颗粒污染的方法及系统,属于半导体加工制造领域。所述方法包括:大气机械手将半导体基片移动到基片中转站;静电场发生装置将半导体基片表面吸附的颗粒吸离;空气过滤送风装置将被吸离的颗粒吹走;大气机械手将半导体基片移出基片中转站。所述系统包括:大气机械手、基片中转站、空气过滤送风装置和离子发生器,所述系统还包括静电场发生装置。本发明通过在传输系统大气端加入静电场发生装置,来控制半导体基片颗粒的附着方式,从而有效地减少了半导体基片移动过程中的颗粒污染,提高了半导体基片的成品率。
  • 减少半导体颗粒污染方法系统
  • [发明专利]半导体芯片组件-CN94105000.9无效
  • 西奥多·R·戈卢比;尤迪·昭德瑞 - 莫托罗拉公司
  • 1994-04-29 - 1994-11-30 - H01L25/00
  • 通过提供至少一个半导体芯片和一个半导体基片并且在不应用环氧树脂或金属层来形成半导体芯片和半导体基片间结合的情况下将半导体芯片结合到半导体基片上以形成一个半导体芯片组件。该半导体芯片组件的半导体芯片与一个外部的电互连系统电连接。半导体基片的热特性与半导体芯片相近,从而消除了在半导体芯片与常规的外部电互连系统中的金属热沉之间出现的热失配。
  • 半导体芯片组件
  • [发明专利]一种半导体制冷片及保温盒-CN202010223609.0在审
  • 沈剑青;宋以仁;耿靳财 - 青云志能源科技(苏州)有限公司
  • 2020-03-26 - 2020-06-16 - F25B21/02
  • 本发明公开了一种半导体制冷片及保温盒,半导体制冷片包括第一基片、第二基片、多个P型半导体粒子和多个N型半导体粒子,第一基片和第二基片平行排布且具有间隔;第一基片上设有第一电极,第二基片上设有第二电极;多个P型半导体粒子和多个N型半导体粒子交替排布,其中每个P型半导体粒子的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;每个N型半导体粒子的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;沿平行于第一基片的方向,P型半导体粒子的横截面面积和N型半导体粒子的横截面面积不同,由此有利于最大化利用P型半导体粒子和N型半导体粒子的材料特性,提高半导体制冷片的产品效果。
  • 一种半导体制冷保温
  • [实用新型]一种半导体制冷片及保温盒-CN202020405735.3有效
  • 沈剑青;宋以仁;耿靳财 - 青云志能源科技(苏州)有限公司
  • 2020-03-26 - 2020-10-30 - F25B21/02
  • 本实用新型公开了一种半导体制冷片及保温盒,半导体制冷片包括第一基片、第二基片、多个P型半导体粒子和多个N型半导体粒子,第一基片和第二基片平行排布且具有间隔;第一基片上设有第一电极,第二基片上设有第二电极;多个P型半导体粒子和多个N型半导体粒子交替排布,其中每个P型半导体粒子的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;每个N型半导体粒子的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;沿平行于第一基片的方向,P型半导体粒子的横截面面积和N型半导体粒子的横截面面积不同,由此有利于最大化利用P型半导体粒子和N型半导体粒子的材料特性,提高半导体制冷片的产品效果。
  • 一种半导体制冷保温
  • [发明专利]一种自测温半导体制冷片-CN201310505668.7无效
  • 谢斌;陈计学;向圆;吴慧;李丙旺;王涛;张乐银;李彪 - 华东光电集成器件研究所
  • 2013-10-24 - 2014-01-22 - H01L35/28
  • 本发明公开一种自测温半导体制冷片,包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6),冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4),其特征在于,所述冷端基片(1)上还集成有测温电路;所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体;高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体,极大地提高了半导体制冷片的耐温温度,通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度,达到实时监测的目的。
  • 一种测温半导体制冷
  • [发明专利]半导体装置-CN02140625.1有效
  • 铃木岳洋;丰泽健司 - 夏普公司
  • 2002-07-05 - 2003-02-12 - H01L23/12
  • 提供了通过防止半导体元件与布线基片的布线图形的位置偏移,使半导体元件与布线图形可靠接合的半导体装置。本发明的半导体装置由半导体元件和其上有形成于薄膜基片的布线图形的布线基片构成,将半导体元件与布线图形接合,然后用树脂密封半导体元件与布线基片。而且,在上述薄膜基片的至少一个面上未形成布线图形的区域,用线膨胀系数比薄膜基片小的材料形成金属膜。
  • 半导体装置

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