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[发明专利]一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件-CN202011065727.X在审
发明人：刘曼文;李正 -专利权人：湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
一种漂移探测器金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

[实用新型]一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件-CN202022222153.4有效
发明人：刘曼文;李正 -专利权人：湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
一种漂移探测器金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

[实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片-CN201620437580.5有效
发明人：陈德榜 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片，包括单元结构，所述单元结构设有正六角N型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽，所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底，所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结，所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层，所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜，所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极，所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。
一种蜂巢结构多晶硅片

[发明专利]半导体器件-CN201010502675.8有效
发明人：舛冈富士雄;中村广记 -专利权人：日本优尼山帝斯电子株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包含：柱状构造体，配置于衬底上，由p型硅(102)、n型硅(104)、及配置于p型硅与n型硅之间且相对于衬底朝垂直方向延伸的氧化物(116)所构成；配置于p型硅的上下的高浓度n型硅层(134、122)；配置于n型硅的上下的高浓度p型硅层(136、124)；绝缘物(127)，包围p型硅(102)、n型硅(104)及氧化物(116)，且发挥作为栅极绝缘体功能；及导电体(128)，
半导体器件

[实用新型]一种硅光电二极管-CN201320511500.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。
一种光电二极管

[发明专利]金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件-CN201410057290.3有效
发明人：刘竹;马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物半导体器件制作方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，金属氧化物半导体器件制作方法包括：在硅半导体衬底上生长硅半导体外延层之后，对硅半导体外延层上的预定区域进行刻蚀，形成凹槽；向凹槽注入P型掺杂离子，在硅半导体外延层上生成P型体区；在形成有P型体区的硅半导体衬底上依次生长栅氧化层和多晶硅层；将P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，在P型体区的上方形成多晶硅窗口；通过多晶硅窗口向P型体区注入N型掺杂元素，形成源极区域。本发明通过以P型体区上的凹槽作为多晶硅层的光刻定位参考，提高了多晶硅层相对P型体区的套准精度，从而提高沟道长度的制作精度，同时优化了制作工艺。
金属氧化物半导体器件硅半导体多晶硅层外延层光刻定位多晶硅制作衬底预定区域源极区域栅氧化层制作工艺参考生长沟道刻蚀套准离子优化

[实用新型]硅光电二极管-CN201320511499.3有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：硅光电二极管，低掺杂的长方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的长方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着N型硅层，P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。
光电二极管

[发明专利]一种绝缘体上硅器件及其制备方法-CN200910305117.X有效
发明人：毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。
一种绝缘体器件及其制备方法

[实用新型]微型硅光电二极管-CN201520177371.7有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN⁺结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。
微型光电二极管

[发明专利]一种制作超结MOSFET的方法-CN201210281452.2有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：向刻蚀有窗口的掩膜层注入P型离子并驱入，在掩膜层下的N型硅外延层中形成P型硅体区；在与掩膜层上窗口的对应位置刻蚀出沟槽，沟槽穿透P型硅体区到达N型外延层中；在沟槽中外延掺入P型杂质的硅材料直至沟槽被填满，恢复被刻蚀掉的P型硅体区以及形成其下部的P型漂移区；去除掩膜层；在P型硅体区中形成两个N型硅源区；在去除掩膜层后的N型硅外延层上生长和刻蚀绝缘介质层，形成接触孔，在绝缘介质层上和接触孔中生长金属层，形成超结MOSFET的源极；在N型硅衬底上生长金属层形成超结MOSFET的漏极。
一种制作 mosfet 方法

[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法-CN201711394835.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：自贡国晶科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、P型体区、沟槽；在所述沟槽内壁依序形成栅氧化层及第一多晶硅；在所述沟槽中的栅氧化层、第一多晶硅上及所述P型体区上形成第二多晶硅；对所述第二多晶硅进行热处理，使得所述第二多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述第二多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的第二多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；对所述二氧化硅、所述N型源区及所述P型体区进行刻蚀，从而形成贯穿所述沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；形成正面金属层与背面金属。
沟槽垂直扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法-CN201210408617.8无效
发明人：李小明;韩伟华;张严波;颜伟;杜彦东;陈燕坤;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。
一种基于材料无结硅纳米晶体管及其制备方法

[发明专利]多晶硅型太阳能电池板及其制造方法-CN201210560046.X无效
发明人：山西齐;中山一郎;奥村智洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅型太阳能电池板，通过用少工序且短时间形成形成有pn结的多晶硅膜，降低成本。具体而言，提供多晶硅型太阳能电池板的制造方法，该方法具有：使用由掺杂为n型或p型的硅构成的蒸镀材料，通过蒸镀在基板表面形成非晶硅膜的工序；对所述非晶硅膜的表层，用p型或n型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序；以及在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体，使非晶硅膜熔融且再晶化的工序。
多晶太阳能电池板及其制造方法

[发明专利]一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置-CN202010008161.0在审
发明人：姜一波;毕卉;李大锦;施程 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置，包括半导体衬底、埋氧层、P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区，P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区均位于所述埋氧层之上的硅膜区内，P型体接触区的一部分伸入所述N型阱区，P型体接触区伸入所述N型阱区部分与N型阱区和P型接触区构成侧边触发BJT，P型阱区、N型阱区、P型接触区和N型接触区构成的PNPN结构构成可控硅，侧边触发BJT作为可控硅的触发机构，解决了SOI工艺中利用可控硅或者类可控硅作为静电保护装置时开启电压不可控且电压过大的问题，达到调制SOI工艺中可控硅或者类可控硅开启电压的目的，大幅度降低SOI工艺中可控硅或类可控硅的开启电压。
一种应用于 soi 工艺集成电路芯片静电保护装置

[发明专利]全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件及其制备方法-CN202111110454.0有效
发明人：刘森;关宇轩;刘筱伟;刘海彬;史林森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件及其制备方法，包括：底层硅，具有P型低掺杂；埋氧层，形成于所述底层硅上；顶层硅，形成于所述埋氧层上，具有P型低掺杂；第一N型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；第二N型重掺杂区，形成于所述顶层硅中；P型重掺杂区，形成于所述第一N型重掺杂区与所述第二N型重掺杂区之间的顶层硅上；第一基极电极，与所述第一N型重掺杂区电连接；第二基极电极，与所述第二N型重掺杂区电连接；发射极电极，与所述P型重掺杂区电连接；栅极电极，与所述底层硅电连接。本发明的全耗尽绝缘体上硅ESD保护器件利用单结晶体管形成稳压结构，实现了高压ESD保护，适用于全耗尽绝缘体上硅器件中。
耗尽绝缘体 esd 保护器件及其制备方法

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