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[发明专利]模数转换器校准方法及模数转换器-CN202311198948.8在审
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;尹杰;周小雯;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种模数转换器校准方法及模数转换器，包括：分别测量比较器的正向输入端以及反向输入端的第一误差电压以及第二误差电压，基于第一误差电压及第二误差电压做差计算得到所述模数转换器的电容阵列误差电压以及所述电容阵列误差电压的极性，向所述比较器相反极性的输入端提供与所述电容阵列误差电压大小相等的校准电压，进而校准所述模数转换器的电压误差。本发明通过了将比较器的两输入端的电容器做分别切换，进而将各边位电容的误差均统计在单边误差电压中，再直接基于两边的误差电压做差进而消除掉共同的比较器失调电压，从而实现了模数转换器的校准。
转换器校准方法

[发明专利]差分输入的电路、差分对失配噪声补偿电路及方法-CN202311205943.3在审
发明人：刘尧;刘海彬;刘兴龙;陈达伟;江艳;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种差分输入的电路、差分对失配噪声补偿电路及方法，包括：第一、第二MOS管模块构成差分对，均包括a个MOS管，a为大于等于1的自然数；其中，第一MOS管模块中各MOS管并联；第二MOS管模块中各MOS管并联；第一、第二MOS管模块中各MOS管的类型相同；失配检测模块，实时对环境变化导致的第一与第二MOS管模块的失配进行检测，得到失配检测信号；背偏调控模块，输出端连接各MOS管的衬底，基于失配检测信号分别调节各MOS管的背偏电压，进而实现第一、第二MOS管模块的阈值电压的匹配。本发明基于背偏调控改变差分对的阈值电压，实现差分对的精准匹配，从而降低差分对的失配噪声，提高电路的精度。
输入电路失配噪声补偿方法

[发明专利]SCR型ESD防护器件、电子装置及制备方法-CN202310538990.3有效
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;周小雯;舒刚剑;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种SCR型ESD防护器件、电子装置及制备方法，通过间隔设置的第五N型接触，以及通过对第五N型接触的尺寸、间隔距离和数量的设置，可控制NPN管向PNP管基区注入电流的大小，从而调控正反馈发生时对应的维持电压；进一步的，还可以在第二P型阱内及第五N型接触之间形成第六P型接触，通过调节第二P型阱中空穴的收集，调控NPN管开启电压和电流增益，从而起到对维持电压调控的效果。本申请可提供维持电压可调的SCR型ESD保护器件，即提高了ESD的泄放效率，又可避免闩锁发生。
scr esd 防护器件电子装置制备方法

[发明专利]可编程增益放大器、模数转换器及芯片-CN202310713635.5有效
发明人：刘尧;李建平;刘兴龙;班桂春;朱志晞;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可编程增益放大器、模数转换器及芯片，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、运算放大器以及电流补偿模块；其中；电流补偿模块的输入端连接运算放大器的反向输入端，输出端连接运算放大器的反向输出端，将所述运算放大器的反向输入电压转换为补偿电流，平衡运算放大器的正向输出端和反向输出端电流。本发明通过在运算放大器的反向输出端接入一个带有输入电压信息的补偿电流，从而使得反向输出端的输出电压以及正向输出端的电压得以平衡，从而使得输出失真减少，进而将可编程增益放大器的线性度提高。
可编程增益放大器转换器芯片

[发明专利]一种垂直双极性结型晶体管及其制作方法-CN202310674064.9有效
发明人：刘尧;刘海彬;史林森;陈达伟;江艳;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型双极性结型晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底，基底包括自下而上依次层叠的衬底层、第一绝缘层、中间层、第二绝缘层及器件层，将器件层转变为绝缘介质层，形成第一、第二沟槽于绝缘介质层中，形成第三、第四沟槽于第二绝缘层中，形成第一、第二隔离带于中间层中，掺杂得到中间层功能区，形成第一、第二集电区，形成发射区及基区。本发明的制作方法起始于双绝缘层基底，例如可以是双绝缘层上硅晶圆，通过合理分布基区、集电区及发射区，解决了全耗尽SOI垂直双极性结型晶体管集成的问题。本发明的晶体管中采用双层绝缘层的隔离，使得器件可以稳定工作，不会影响别的器件，同时可以实现很好的双极放大。
一种垂直极性晶体管及其制作方法

[发明专利]薄膜电阻测量结构、测量方法及测量系统-CN202310385625.3在审
发明人：刘尧;史林森;刘兴龙;陈达伟;江艳;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻测量结构、测量方法以及测量系统，包括：第一电阻测量模块以及第二电阻测量模块；所述第一电阻测量模块包括第一旁路电阻测量单元及第二旁路电阻测量单元，用于得到旁路电阻的阻值；第二电阻测量模块包括M个串联设置的测量单元，用于得到旁路电阻和薄膜电阻的阻值；M为大于等于2的整数。本发明结构简单，测量步骤简约，不需要配置复杂的仪器进行测量。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
薄膜电阻测量结构测量方法系统

[发明专利]参考电压驱动电路、模数转换器、芯片及驱动方法-CN202310517904.0在审
发明人：刘尧;刘兴龙;朱志晞;李建平;尹杰;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压驱动电路、模数转换器、芯片及驱动方法，包括：运算放大器、RC滤波器、上电加速模块以及参考缓冲器；运算放大器的正向输入端连接参考电压，反向输入端与输出端连接；RC滤波器的输入端连接运算放大器的输出端，用于对运算放大器的输出信号低通滤波；上电加速模块用于控制RC滤波器中的电阻短路，以加速RC滤波器中的电容充电；参考缓冲器的输入端连接RC滤波器的输出端，得到滤波后的参考电压信号。本发明通过将RC滤波器中的电阻短路，从而使得RC滤波器中的电容充电电压增大，达到了快速上电的目的。
参考电压驱动电路转换器芯片方法

[发明专利]高精度的薄膜电阻装置及其制备方法-CN202310041671.1有效
发明人：刘尧;刘筱伟;杨超;尹杰;段花花;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率；通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属，薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道，使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下，还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移，从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。
高精度薄膜电阻装置及其制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管结构及其制作方法-CN202310146980.5有效
发明人：刘尧;李建平;班桂春;周小雯;熊丹;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管结构及其制作方法，包括P型衬底、N型外延层、分隔结构、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，分隔结构将所述P型衬底及N型外延层中分隔出第一区域与第二区域，电极引出端注入区包括基极引出端注入区、集电极引出端注入区及发射极引出端注入区，第一区域中的各电极引出端注入区之间电隔离，第二区域中的发射极引出端注入区与集电极引出端注入区之间通过栅极结构连接。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极，用以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
一种双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]纵向双极型晶体管及制作方法-CN202310409969.3在审
发明人：刘尧;刘筱伟;李建平;刘海彬;段花花;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向双极型晶体管及其制作方法，纵向双极型晶体管设置于P型衬底上且包括：位于所述P型衬底上部的N型埋层和P型埋层，以及位于所述N型埋层下方的N型深阱，所述N型埋层设置于所述N型深阱与所述N型外延层之间，所述P型埋层设置成包围所述N型深阱且邻接所述N型埋层。本发明通过在衬底设置N型埋层和P型埋层和N型深阱，所述P型埋层环绕所述N型深阱设置且邻接所述N型埋层，利用P型埋层分别与N型埋层和N型深阱形成的PN结阻断基区少子电流向衬底注入的通道，由此减少衬底漏电流。
纵向双极型晶体管制作方法

[发明专利]一种薄膜电阻结构-CN202310092034.7有效
发明人：刘尧;史林森;刘兴龙;朱志晞;江艳;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻结构，包括从下往上依次叠置的衬底、N型层、噪声抑制层、介质层及电阻层，其中，所述噪声抑制层包括在水平方向上交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层。本发明的薄膜电阻结构主要利用噪声抑制层中的交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层形成的背靠背双极管结构，在PN结反向偏置时空间电荷区增大了电阻，从而抑制阱区的电势波动或衬底噪声对上层电阻信号传输的影响，提高器件性能的稳定性和可靠性。
一种薄膜电阻结构

[发明专利]一种双极型晶体管结构及其制作方法-CN202310163050.0在审
发明人：刘尧;刘海彬;刘筱伟;陈达伟;舒刚剑;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型晶体管结构及制作方法，包括P型衬底、深N阱、N型外延层、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，电极引出端注入区包括依次间隔排列的第一基极引出端注入区、第一集电极引出端注入区、发射极引出端注入区、第二集电极引出端注入区及第二基极引出端注入区，第一栅极结构横跨第一集电极引出端注入区与发射极引出端注入区，第二栅极结构横跨发射极引出端注入区与第二集电极引出端注入区。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
一种双极型晶体管结构及其制作方法

[发明专利]具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法-CN202111435967.9有效
发明人：刘森;刘海彬;罗建富;刘兴龙;史林森;班桂春 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种具有散热结构的SOI晶圆及其制备方法，该SOI晶圆依次包括：体硅晶圆、埋氧层及硅器件层；埋氧层及硅器件层中形成有贯穿埋氧层及至少部分厚度的硅器件层的沟槽，沟槽中填充有高热导率材料，高热导率材料采用散热胶固定；硅器件层包括至少一个有源区，高热导率材料围绕在有源区外周。通过在埋氧层及硅器件层中设置将有源区包围的沟槽，并在沟槽中填充高热导率材料，则热量可通过高热导率材料实现对器件结构的精准散热；另外，随着现有集成电路的三维集成度提高及尺寸的不断减小，采用本发明的散热结构，可将每层集成电路器件产生的热量通过每层中的高热导率材料有效散出，从而有效解决三维集成电路中间层叠区域散热难的问题。
具有散热结构 soi 及其制备方法

[发明专利]LC振荡器电路、应用系统及温漂补偿方法-CN202210187033.6有效
发明人：刘尧;刘海彬;关宇轩;梁国豪;刘筱伟;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种LC振荡器电路，包括LC振荡器、温度检测模块及边界设定模块；LC振荡器用于在设定电压范围内进行锁定并产生振荡频率；温度检测模块用于获取与当前温度相关的电压，并将其分别与N个呈递增变化的电压阈值进行比较以产生比较结果；边界设定模块连接温度检测模块的输出端，用于将边界电压范围划分为(N‑1)个电压区段，并根据比较结果从中选择相应电压区段作为设定电压范围；其中，(N‑1)个温度区段，(N‑1)个温度区段、(N‑1)个阈值区段及(N‑1)个电压区段一一对应。通过本发明提供的LC振荡器电路，解决了现有PLL或CDR因控制电压超出线性区而导致失锁或出现大量误码的问题。
lc 振荡器电路应用系统补偿方法

[发明专利]带隙基准电路及带隙基准电压的温度补偿方法-CN202210475745.8有效
发明人：刘尧;史林森;关宇轩;陈达伟;梁国豪;刘森 -专利权人： 微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。通过本发明提供的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电压因负温度系数电压存在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。
基准电路电压温度补偿方法

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