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[发明专利]掩膜版图形的修正方法-CN201610407624.4有效
发明人：杜杳隽;李亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对第一图形区进行光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于第一主修正图形区外围的第一内边带区；对第二图形区进行光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，内边带区中具有目标图形；对内边带区中的目标图形进行光学邻近效应修正，形成目标修正图形。所述的掩膜版图形的修正方法能够减小形成的修正图形的畸变。
版图修正方法

[发明专利]WAT电性测试版图-CN202210702675.5在审
发明人：夏禹;董颖;何志斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种WAT电性测试版图包括呈矩阵分布的多个形状相同的有源区图形；横跨有源区图形，且依次交替设置的第一、二器件区图形，第一、二器件区图形的交界线均分其横跨的有源区图形；设于有源区图形上的接触孔图形，且每一列有源区图形上的接触孔图形中两者的相对位置不同；在每列有源区图形中，设于相邻的两个有源区图形及其上接触孔图形的第一焊垫图形；在每行有源区图形中，横跨相邻的两个有源区图形及其上接触孔图形的第二焊垫图形；其中第一、二焊垫图形组成不重叠的且横跨每个有源区图形的测试回路。本发明版图制得的器件，在测试时通过测试该图形的电阻值，能判断是否存在低压、中压有源区域交界区的NiSi异常，提高了缺陷检测的效率。
wat 测试版图

[实用新型]一种OLED段码显示面板及其显示装置-CN202221196924.X有效
发明人：樊燕柳;李胜坤;李焕 -专利权人：苏州清越光电科技股份有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种OLED段码显示面板及其显示装置，其中OLED段码显示面板包括：基板，基板包括显示区以及包围显示区的外围区；位于基板上的图形层，图形层位于显示区，图形层包括多个图形区，图形区之间相互分离，图形区用于显示一个完整的图形，图形区包括相互分离的若干个子图形区，子图形区由第一次子图形区至第N次子图形区组成；阳极引线组，阳极引线组包括若干条阳极引线，阳极引线组位于基板与图形层之间且与图形层电连接，第一次子图形区至第N次子图形区在阳极引线组上的投影分别在不同的阳极引线上，与第k次子图形区两端电学连接的阳极引线还分别延伸且电学连接至驱动芯片上。
一种 oled 显示面板及其显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910071787.3在审
发明人：舒强;张迎春;覃柳莎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一图形区、第二图形区和辅助区，形成于所述第一图形区的目标图形尺寸小于形成于所述第二图形区的目标图形尺寸；在所述第一图形区和所述辅助区的基底上形成第一掩膜图形；形成所述第一掩膜图形后，在所述第二图形区和所述辅助区的基底上形成第二掩膜图形，在所述辅助区内，所述第二掩膜图形覆盖所述第一掩膜图形；以所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形为掩膜，刻蚀所述基底，形成目标图形在本发明实施例中，提高了形成于所述第一图形区和第二图形区的目标图形的均一性，相应提高了器件性能以及性能均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]图形显示方法、显示屏及显示设备-CN202310736528.4在审
发明人：吴锦坤;吴汝健 -专利权人：广东志慧芯屏科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G09G5/377 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形显示方法、显示屏及显示设备。该方法包括：采集第一图形，将第一图形进行显示处理，输出第一图形显示区；采集第二图形，将第二图形进行显示处理，输出第二图形显示区；将第一图形显示区与第二图形显示区进行比对处理，输出图形交叠区及图形独立显示区；将图形交叠区及图形独立显示区进行标识处理，输出待显示动态图形区；将待显示动态图形区进行电连接处理，输出动态图形。本申请提供的方案，能够在一块显示屏上的同一个位置显示多种图形，解决了需要安装多个显示屏以进行多种图形显示的问题，降低了成本，实用性高。
图形显示方法显示屏设备

[发明专利]腐蚀工艺中减少装载变化的方法-CN98115623.1有效
发明人：安德烈亚斯·克卢维;拉斯·利布曼;弗兰克·普里恩;托马斯·泽尔 -专利权人：西门子公司;国际商业机器公司
申请日： 1998-06-30 - 公布日： 1999-02-24 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：有较少图形区或无图形区和高密度图形区的半导体芯片,在腐蚀工艺制备中对有少图形区或无图形区增加不工作的图形,使芯片上的整个图形密度相同。
腐蚀工艺减少装载变化方法

[发明专利]一种光掩模曝光方法-CN202210403500.4在审
发明人：施维;郑怀志 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光掩模曝光方法，属于电子束曝光技术领域，该方法包括：对预处理图形进行图形识别；根据图形尺寸将所述预处理图形分为第一图形区和第二图形区，所述第一图形区为大尺寸图形，所述第二图形区为精密图形；将所述第一图形区和所述第二图形区进行切割；对所述第一图形区通过不铺满以及无重叠的方式进行曝光；对所述第二图形区进行精密曝光。
一种光掩模曝光方法

[发明专利]光罩的制造方法及光罩-CN202111238482.0在审
发明人：刘娟;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩的制造方法，其首先确定光罩基板的主图形区，并在主图形区周围确定光罩基板上的辅图形区；然后利用OPC模型，对主图形区和辅图形区的图形做光强仿真，确保辅图形区的图形在集成电路制造工艺中不会在硅片上的光刻胶上曝出，并确保主图形区的图形在集成电路制造工艺中能在硅片上的光刻胶上曝出；再筛选出一组辅图形参数，通过光罩制备刻蚀工艺，在光罩基板上形成主图形区的图形，并按所述辅图形参数在光罩基板上形成辅图形区的图形。本发明更有效率的改善光罩主图形区的不同位置的图形的关键尺寸均匀性。
制造方法

[发明专利]具有主支柱和辅助支柱的模版掩模及其形成方法-CN200410059845.4无效
发明人：金仁晟;金淏哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种模版掩模，包括具有膜片区和限制膜片区的边界区的膜片形成薄层。膜片区具有多个图形区和非图形区，图形区包括可以透过粒子束的孔，非图形区插入在图形区之间。主支柱支撑膜片区并形成在膜片形成薄层的边界区上。在膜片图形区内部的非图形区中形成辅助支柱，以致辅助支柱将膜片区分为多个分开的膜片区。辅助支柱支撑分开的膜片区。
具有支柱辅助模版及其形成方法

[发明专利]半导体器件版图结构及其形成方法-CN202210844793.X有效
发明人：张振;陈星;王焕琛;陈世昌 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件版图结构及其形成方法，半导体器件版图结构的冗余图形区具有至少两个第一冗余图形和至少两个第二冗余图形，每个第一冗余图形包括与器件图形区的有源区图形相同的一个第一冗余有源区图形，以及位于第一冗余有源区图形上的至少两个与器件图形区的栅极图形相同的第一冗余栅极图形，每个第二冗余图形包括一个第二冗余有源区图形以及位于第二冗余有源区图形上的一个第二冗余栅极图形，第二冗余栅极图形的投影在第二冗余有源区图形的投影内。通过第二冗余图形与第一冗余图形相配合，可增加冗余图形区的图形密度，改善化学机械研磨工艺以及刻蚀工艺的均匀性，进而改善有源区尺寸以及栅极尺寸的差异性，并避免器件间的短路。
半导体器件版图结构及其形成方法

[发明专利]高压MOS晶体管的制作方法-CN200610119156.7有效
发明人：蔡巧明;辛春艳;卢普生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层；在待曝光栅极图形中形成待曝光开口图形；将待曝光栅极图形和待曝光开口图形转移至多晶硅层上，形成包含开口的栅极，所述开口完全暴露辅助有源区，且栅极与有源区的重叠部分为沟道。
高压 mos 晶体管制作方法

[发明专利]一种提高光阻图形线宽量测精度的方法-CN202011154107.3有效
发明人：高松;郭晓波;张聪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提高光阻图形线宽量测精度的方法，光罩上设有测试图形区，距离测试图形区边界1～30μm处设置图形辅助区；对晶圆进行曝光和显影晶圆上的测试图形区与图形辅助区的位置在光阻以下具有相同的薄膜堆叠；曝光显影后晶圆上的测试图形区由光阻图形构成，晶圆上的图形辅助区无光阻形成；利用光学测量机台对测试图形区及图形辅助区进行量测，收集测试图形区及图形辅助区的光谱数据并进行差分处理，解析只包含光阻图形的光谱，输出只包含光阻图形的线宽数据。本发明利用二者光谱差异确定光阻区只含有光阻图形的信息，能够准确的确定光刻层线宽，避免前层薄膜堆叠对光刻层线宽的影响，避免了不必要的误报警，提高生产能力。
一种提高图形线宽量测精度方法

[发明专利]把图形数据输入图形输入区的系统和方法-CN200510104077.4有效
发明人：查尔斯·W.·克罗斯;戴维·加拉米洛;马克·怀特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：把图形数据输入图形输入区的系统(20)包括把图形数据输入图形输入区的图形输入设备(22)，和对开始向图形输入设备提供图形数据起反应的处理器可执行的话音表单模块(28)。话音表单模块(28)确定是否已完成把图形数据输入图形输入区。把图形数据输入图形输入区的方法包括通过图形输入设备开始把图形数据输入图形输入区，并响应开始把图形数据输入图形输入区，启动话音表单模块。
图形数据输入系统方法

[实用新型]一种全金属码盘-CN03265196.1无效
发明人：伊福廷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H03M1/48 文献下载
摘要：本实用新型是一种全金属码盘，包括图形区和非图形区，图形区的图形为矩形、梯形、扇形或其中任意两种相同图形组合。图形区厚度为4－20微米，图形宽4－200微米，非图形区包括过渡区和厚度加强区，厚度加强区厚度50－200微米。该实用新型全金属码盘的优点为高分辨率、高机械强度和平整度。
一种全金属

[实用新型]一种全金属光栅-CN03265195.3无效
发明人：伊福廷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本实用新型是一种全金属光栅，包括图形区和非图形区，图形区的图形为矩形、梯形、扇形或其中任意两种相同图形组合。图形区厚度为4－20微米，图形宽4－200微米，非图形区包括过渡区和厚度加强区，厚度加强区厚度50－200微米。该实用新型全金属光栅的优点为高分辨率、高机械强度和平整度。
一种全金属光栅

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