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[发明专利]一种控制栅耦合系数的提升方法-CN201610704354.3在审
发明人： 卢普生;陈精纬;姬峰;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制栅耦合系数的提升方法，包括：提供一具有深阱区的半导体衬底，并且在半导体衬底表面沉积有隧穿氧化层、第一浮栅层和掩膜层；然后，在掩膜层、第一浮栅层、隧穿氧化层、深阱区和部分半导体衬底中刻蚀出深沟槽；在深沟槽中填充氧化介质；去除掩膜层，得到被氧化介质围成的且顶部具有开口的掩膜层空位；在掩膜层空位中沉积第二浮栅层，使得第一浮栅层和第二浮栅层紧密接触，掩膜层空位中的第一浮栅层和第二浮栅层构成最终的浮栅结构；刻蚀深沟槽中填充的部分氧化介质，剩余的氧化介质的顶部不低于隧穿氧化层的顶部；在浮栅结构的表面和侧壁制备ONO结构。
一种控制耦合系数提升方法

[发明专利]一种ONO多晶硅间介质层结构及制备方法-CN201610833495.5在审
发明人： 卢普生;陈昊瑜;姬峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种提供了ONO多晶硅间介质层结构，其包括：浮栅；位于浮栅上的底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层；位于氮化硅层上的顶层氧化层；位于顶层氧化层上的控制栅；其中，底层氧化层的材料为Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂；和/或顶层氧化层的材料为Al₂O₃、Ta₂O₅或SiO₂，但底层氧化层的材料和顶层氧化层的材料不能同时为SiO₂。本发明可以在不降低其它性能的基础上提高GCR，从而提升叠栅flash器件编程和擦除能力。
一种 ono 多晶介质结构制备方法

[发明专利]高压MOS晶体管的制作方法-CN200610119162.2有效
发明人：蔡巧明;辛春艳;卢普生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层。经过上述步骤，在辅助有源区进行两次同类型离子注入，提高辅助有源区的阈值电压，双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定性。
高压 mos 晶体管制作方法

[发明专利]CMOS图像传感器和CMOS图像传感器的制造方法-CN200610119171.1有效
发明人： 卢普生;杨建平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器，包括硅衬底、位于硅衬底上具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层上的不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的蚀刻停止层上的氧化硅层和位于氧化硅层上的氮氧化硅层；开口，贯穿氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层；透光层，形成于氮氧化硅层上并填充满开口；微透镜，形成于开口内透光层上。过上述步骤，将没有进行金属连通的多层绝缘层和蚀刻停止层去除，填充透光好的树脂材料使光线被反射和吸收的量减少，使光电二极管接收到的光能量增多，光敏度提高，进而实现CMOS图像传感器使用的光照环境不受限制，在较暗环境条件下成像清晰。
cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]高压MOS晶体管的制作方法-CN200610119156.7有效
发明人：蔡巧明;辛春艳;卢普生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层；在待曝光栅极图形中形成待曝光开口图形；将待曝光栅极图形和待曝光开口图形转移至多晶硅层上，形成包含开口的栅极，所述开口完全暴露辅助有源区，且栅极与有源区的重叠部分为沟道。经上述步骤，双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定性。
高压 mos 晶体管制作方法

[发明专利]沟槽的制造方法及其应用于制造图像传感器方法-CN200610118301.X有效
发明人： 卢普生;杨建平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。本发明方法能够形成较好的沟槽轮廓。
沟槽制造方法及其应用于图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器表面介质层制造方法-CN200610030016.2有效
发明人：蔡巧明;卢普生;杨建平;霍介光 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体图像传感器表面介质层制造方法，包括：将衬底有源区分为感光区和非感光区；在有源区表面形成第一介质层；在第一介质层上形成图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀非感光区表面第一介质层；在有源区表面形成第二介质层。
cmos 图像传感器表面介质制造方法

[发明专利]单片集成的具有双焦微透镜阵列的CMOS图像传感器-CN200610029511.1有效
发明人：肖德元;朱虹;洪中山;严祥成;卢普生;陈国庆;杨建平;李若加 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种单片集成的具有双焦微透镜阵列的CMOS图像传感器，包括：标准CMOS逻辑电路，其集成了硅pin光电二极管；微透镜阵列，集成在CMOS电路有源区域对应的光吸收表面；氮化硅层，覆盖微透镜阵列；滤色镜，设置于氮化硅层上面；其特征在于，所述微透镜阵列是双焦微透镜阵列，与CMOS电路单片集成。其折射率为1.44～2.0用于较好的光学聚焦双焦微透镜阵列，提高光收集和量子效率。
单片集成具有双焦微透镜阵列 cmos 图像传感器

[实用新型]仿生筋肌蠕动式管内移动机构-CN02295343.4无效
发明人：郭锡章;卢普生;汪勤悫;苏建良;龚振邦 -专利权人：上海大学
申请日： 2002-12-31 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种仿生筋肌蠕动式管内移动机构。它包含有一个能安置在被测量管内的蠕动体，蠕动体的结构是：一根与被测管同轴线的弹性乳胶套管内同轴线设置筋肌，弹性乳胶套管和筋肌的两端分别与两个塞头固定连接，两个塞头上设有与被测管内壁可控顶紧和松脱的顶紧机构，弹性乳胶套管内腔有穿越一个塞头的进液口和穿越另一个塞头的出液口。本实用新型可控制交替向弹性乳胶套管内输酸碱液和控制顶紧机构则可使蠕动体在被测管内移动。本实用新型结构紧凑、合理、简单，可使用于发电、化工、制冷及热交换器中管道的检测和维修。
仿生蠕动式管内移动机构

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