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[实用新型]固态脉冲调制器中的保护电路、振荡补偿电路和供电电路-CN201721214453.X有效
发明人：刘耀红;赵自然;刘晋升;贾玮;李伟;阎忻水 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极保护电路、一种用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的振荡补偿电路、一种用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的过流保护电路、一种用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的过压保护电路、一种用于基于MARX发生器原理的固态脉冲调制器中的绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路的供电电路和一种基于MARX发生器原理的固态脉冲调制器。所述IGBT用作基于MARX发生器原理的固态脉冲调制器中的开关器件，所述栅极保护电路包括：稳压器件，用于相对于与所述IGBT的栅极相连的地，向所述IGBT的发射极提供一个稳定的电压。
绝缘栅双极型晶体管IGBT 固态脉冲调制器栅极保护电路电路供电电路振荡补偿过流保护电路过压保护电路开关器件驱动电路稳压器件栅极相连发射极

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200780046414.6无效
发明人：雅各布·C·胡克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括第一n型场效应晶体管(1)和第二p型场效应晶体管(2)。该方法包括步骤：在基片上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积栅极金属层(22)；在栅极电介质层上沉积固态金属氧化物层(15)；去除在基片区域上对应于n型晶体管的一部分固态金属氧化物层(15)；以及完成用于n型晶体管和p型晶体管的栅极叠层并且形成源极区和漏极区。通过避免形成氧化物层的气体曝射复杂度，固态金属氧化物层的沉积提供了一种简单的制造工艺。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种固态直流断路器-CN201911003900.0在审
发明人：蔡放;余占清;屈鲁;曾嵘;周雁南;张英成;白羽 -专利权人：清华四川能源互联网研究院;清华大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态直流断路器，涉及断路器技术领域。该固态直流断路器包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、第一二极管模块、第二二极管模块和三组连接母排。第一晶体管模块、第一二极管模块、第二二极管模块和第二晶体管模块依次并排设置，第一晶体管模块通过第一组连接母排与第一二极管模块可拆卸连接，第一二极管模块通过第二组连接母排与第二二极管模块可拆卸连接，第二二极管模块通过第三组连接母排与第二晶体管模块可拆卸连接与现有技术相比，本发明提供的固态直流断路器结构紧凑，占用空间小，电路布置稳定合理，并且拆装方便，便于安装和维护，实用可靠，美观度高。
二极管模块晶体管模块组连接母排可拆卸连接直流断路器便于安装并排设置拆装方便电路布置占用空间断路器美观度维护

[实用新型]一种固态直流断路器-CN201921773928.8有效
发明人：蔡放;余占清;屈鲁;曾嵘;周雁南;张英成;白羽 -专利权人：清华四川能源互联网研究院;清华大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固态直流断路器，涉及断路器技术领域。该固态直流断路器包括第一晶体管模块、第二晶体管模块、第一二极管模块、第二二极管模块和三组连接母排。第一晶体管模块、第一二极管模块、第二二极管模块和第二晶体管模块依次并排设置，第一晶体管模块通过第一组连接母排与第一二极管模块可拆卸连接，第一二极管模块通过第二组连接母排与第二二极管模块可拆卸连接，第二二极管模块通过第三组连接母排与第二晶体管模块可拆卸连接与现有技术相比，本实用新型提供的固态直流断路器结构紧凑，占用空间小，电路布置稳定合理，并且拆装方便，便于安装和维护，实用可靠，美观度高。
一种固态直流断路器

[实用新型]可编程喷冲装置-CN201420604727.6有效
发明人：招伟灼 -专利权人：招伟灼
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： B05B12/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可编程喷冲装置，包括外壳、电磁阀、与电磁阀连接的气管快速接头以及与可控制多个电磁阀的控制器，控制器被装置在电路板上，控制器包括有USB输入端口、可读写的单片机以及晶体管式固态继电器，USB输入端口与可读写单片机电连接，可读写的单片机经电路板上的驱动电路与晶体管式固态继电器的对应电连接，晶体管式固态继电器与电磁阀对应电连接。本实用新型可以通过USB输入端口直接往可读写单片机输入程序，喷冲装置的扩展性好，同时采用全封闭灌封变压器与晶体管式固态继电器组合，电子元器件防水防油的效果佳，并且喷冲装置更灵敏、能耗更低，寿命更长，对环境的适应性更强
可编程装置

[发明专利]体晶体管和SOI晶体管的共同集成-CN201810904155.6在审
发明人： J·J·法戈;P·波伊文;F·亚瑙德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及体晶体管和SOI晶体管的共同集成。一种电子集成电路芯片包括布置在固态衬底的内部和顶部上的第一晶体管、布置在绝缘体上的具有第一厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第二晶体管以及布置在绝缘体上的具有第二厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第三晶体管固态衬底在半导体材料层的下方延伸，并且通过绝缘体与那些层绝缘。
晶体管绝缘体半导体材料层衬底电子集成电路层绝缘厚度比芯片延伸

[发明专利]半导体器件-CN201080050573.5有效
发明人：小山润;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电荷存储部分的电势被保持不变，所以可改进动态范围。
半导体器件

[发明专利]铝合金半固态胚料连续加热压铸成型方法及其装置-CN201811421485.6在审
发明人：黄毅锋 -专利权人：金雅豪精密金属科技(东莞)有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B22D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金半固态胚料连续加热压铸成型方法，其包括如下步骤：S1，通过旋转锻造法对铝合金材料进行锻造，锻造出组织晶体发生球变的棒状实心的铝合金条；S2，根据压铸件的大小，将锻造后铝合金条定量切割成等长的铝合金棒料；S3，将切割好的铝合金棒料置于振动盘机内，通过直线送料器进行自动排序；S4，将铝合金棒料依次送入热处理隧道炉内进行加热，令铝合金棒料内部的球状晶体发生二次球变，形成球状晶体与液相组织共存的半固态胚料；S5，通过溜槽依次将半固态胚料送入压铸模具的压射料筒中进行半固态胚料的压铸。本发明提供的方法可获得均匀、无缺陷的铝合金半固态胚料，达到铝合金薄壁件对铝合金半固态胚料的要求。
半固态胚料铝合金棒料铝合金锻造连续加热铝合金条球状晶体压铸成型切割送入铝合金薄壁件铝合金材料直线送料器热处理压铸模具自动排序实心的隧道炉压铸件振动盘棒状次球等长料筒溜槽压射压铸加热

[发明专利]晶体管串联高速高压固态开关-CN201010005346.2无效
发明人：周军;李运海 -专利权人：合肥容恩电子科技有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速高压固态开关，采用多只晶体管串联和并联当主开关，包括静态和动态均压网络、互感器式脉冲变压器、晶体管栅极驱动电路、控制电路和主开关管。在开启脉冲时刻让晶体管栅极电压充到10V以上，在关断脉冲时刻，让晶体管栅极电压放到1V以下。通过控制TTL电平脉宽信号就可以达到控制高压固态开关开启时间的目的，使高压固态开关可以工作在脉冲状态，也可以工作在连续开启状态。
晶体管串联高速高压固态开关

[发明专利]全固态连续波可调谐黄橙色相干光源-CN200810052816.3无效
发明人：丁欣;王睿;张衡;姚建铨;温午麒;王鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G02F2/02 文献下载
摘要：本发明属于非线性频率变换技术领域，涉及激光光源，尤其涉及一种全固态可调谐连续波可调谐黄橙光波段相干光源。为提供一种全固态连续波可调谐黄橙色相干光源，本发明采用的技术方案是，包括：利用LD半导体激光器端面连续泵浦产生连续激光的掺钕钒酸钇Nd:YVO₄晶体，利用Nd:YVO₄晶体产生的激光对其进行泵浦的参量振荡晶体周期极化铌酸锂PPLN和OPO全反分束镜BS，对泵浦光和信号光进行和频获得黄橙色相干光的偏硼酸钡BBO晶体，前述器件全部是全固态器件。
固态连续调谐橙色相干光源

[发明专利]固态成像器件和电子设备-CN202011129993.4在审
发明人：古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够抑制光电转换部的光电转换特性的劣化的固态成像元件和电子设备。该固态成像元件设置有像素，所述像素包括：光电转换部，其形成在半导体基板外部；电荷保持部，其用于保持在光电转换部中生成的信号电荷并且直接连接至所述光电转换单元；复位晶体管，其用于复位电荷保持部的电位；电容量切换晶体管，其与电荷保持部连接，并用于切换电荷保持部的电容量；以及附加电容量元件，其与电容量切换晶体管连接。例如，本技术能够应用至固态成像元件。
固态成像器件电子设备

[发明专利]滤光膜、滤光膜的制备方法以及电控变色智能窗-CN201811481723.2在审
发明人：罗丹;李勇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G02F1/137 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种滤光膜、滤光膜的制备方法以及电控变色智能窗、一种滤光膜，该滤光膜包括：第一导电透明基板；形成在所述第一导电透明基板上的第一取向层；形成在所述第一取向层上的固态聚合物液晶，所述固态聚合物液晶为一维光子晶体，所述固态聚合物液晶用于反射第一预选波长范围的光。本发明实施例的技术方案，该滤光膜包含固态聚合物液晶，固态聚合物液晶为一维光子晶体，其内部有的折射率周期性的发生变化，用于反射第一预选波长范围的光。
滤光膜固态聚合物液晶导电透明基板一维光子晶体电控变色预选波长取向层智能窗反射制备折射率周期性

[发明专利]固态成像装置-CN201010209520.5有效
发明人：酒井诚一郎;有岛优 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像装置，该固态成像装置包括：像素区域，所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元，所述单位单元包含多个转换部件、放大来自多个转换部件的信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管；和设置在像素区域内的阱接触区。阱接触区中的每一个与复位晶体管的漏极区相邻，并且，复位晶体管的漏极区具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。
固态成像装置

[发明专利]一种高功率中红外级联全固态激光器-CN201410462218.9在审
发明人：张帅一;王霞;赵秋玲;吕浩 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01S3/23 文献下载
摘要：本发明属于全固态固体激光设备技术领域，涉及一种高功率中红外级联全固态激光器，晶体冷却上热沉和晶体冷却下热沉之间嵌入式安装有掺钬氟化物激光晶体，晶体冷却上热沉和晶体冷却下热沉中间通冷却水冷却；掺钬氟化物激光晶体的前端平行放置有前腔镜
一种功率红外级联固态激光器

[发明专利]固态成像元件、成像装置和用于控制固态成像元件的方法-CN201980076627.6在审
发明人：朱弘博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明使得检测地址事件的固态成像元件进一步捕获图像。该固态成像元件设置有光电转换元件、电荷存储单元、传送晶体管、检测单元和连接晶体管。光电转换元件通过光电转换产生电荷。传送晶体管将电荷从光电转换元件传送到电荷存储单元。检测单元检测对应电荷的量的光电流的变化量是否超过预定阈值。连接晶体管连接电荷存储单元和检测单元，并传递光电流。
固态成像元件装置用于控制方法