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[发明专利]固态成像装置及其制造方法、以及摄像装置-CN201010121823.1有效
发明人：馆下八州志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态成像装置及其制造方法，以及一种摄像装置，该固态成像装置包括：光电转换部，通过入射光的光电转换而获得信号电荷；像素晶体管部，输出光电转换部生成的信号电荷；外围电路部，设置在包括光电转换部和像素晶体管部的像素部的外围，并具有NMOS晶体管和PMOS晶体管；第一应力衬垫膜，具有压缩应力，设置在PMOS晶体管上；以及第二应力衬垫膜，具有拉伸应力，设置在NMOS晶体管上。在上述固态成像装置中，光电转换部、像素晶体管部，以及外围电路部设置在半导体基板中和/或半导体基板上。
固态成像装置及其制造方法以及摄像

[发明专利]固态成像装置和成像系统-CN201010597252.9有效
发明人：沖田彰;箕轮雅章 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像装置和成像系统。根据本发明的固态成像装置的特征在于，向复位MOS晶体管的栅极施加的复位栅极电压VresH比与放大MOS晶体管和复位MOS晶体管的漏极连接的电源的电源电压SVDD低。
固态成像装置系统

[发明专利]晶体PI3激酶抑制剂-CN201380013851.3有效
发明人： R.L.M.布勒克斯;W.F.M.菲利尔斯;P.H.J.尼斯特;A.H.科普曼斯;F.M.C.范侯特;C.利斯 -专利权人：瑞斯比维特有限公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明特别提供固态晶体水合物形式和固态晶体无水形式的6‑(2‑((4‑氨基‑3‑(3‑羟苯基)‑1H‑吡唑并[3,4‑d]嘧啶‑1‑基)甲基)‑3‑(2‑氯苄基)‑4‑氧代‑3,4‑二氢喹唑啉‑5‑基)本发明还提供用于吸入的包含所述固态晶体形式的干粉药物组合物。
晶体 pi3 激酶抑制剂

[发明专利]固态成像器件及其制造方法-CN201810430515.3在审
发明人：神野健;高桥史年;后藤洋太郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及固态成像器件及其制造方法。为了提高固态成像器件的性能，固态成像器件具有包括光电转换单元和传输晶体管的像素，并且氟被引入到像素中包括的传输晶体管的栅极电极和漏极区域(延伸区域和n⁺型半导体区域)。
固态成像器件传输晶体管像素光电转换单元半导体区域漏极区域延伸区域栅极电极制造引入申请

[发明专利]全固态场效应晶体管及应用其的生物传感器和检测方法-CN201910881688.1在审
发明人：王程;叶巍翔;贾原 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种全固态生物传感器，包括全固态场效应晶体管和待测目标物的特异性识别体，其中，所述全固态场效应晶体管包括：基底；栅极，设置于所述基底上；第一固态电介质层，覆盖于所述栅极上；敏感单元，设置于所述第一固态电介质层上，且与所述栅极相对设置；源极和漏极，设置于所述第一固态电介质层上，且分别与所述敏感单元的两端连接；第二固态电介质层，覆盖于所述敏感单元上；和金属浮栅层，设置于所述第二固态电介质层上，且与所述敏感单元相对设置本申请还提供一种全固态场效应晶体管及其应用，以及一种使用所述全固态生物传感器的检测方法。
固态电介质全固态敏感单元场效应晶体管生物传感器特异性识别金属浮栅相对设置基底待测目标覆盖漏极源极检测申请应用

[发明专利]固态成像设备、固态成像设备的驱动方法和成像系统-CN201710888017.9有效
发明人：高堂寿士;岩仓靖;板野哲也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的驱动方法和成像系统。一种固态成像设备包括：第一检测像素和第二检测像素，第一检测像素和第二检测像素中的每一个包含传送晶体管和经由第一节点连接到传送晶体管的放大晶体管；供给预定电压的电压供给单元；和连接于电压供给单元与第二节点之间的连接开关，第一检测像素的传送晶体管和第二检测像素的传送晶体管在第二节点处连接。
固态成像设备驱动方法系统

[发明专利]固态成像设备、固态成像设备的驱动方法和成像系统-CN202010487392.4有效
发明人：高堂寿士;岩仓靖;板野哲也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的驱动方法和成像系统。一种固态成像设备包括：第一检测像素和第二检测像素，第一检测像素和第二检测像素中的每一个包含传送晶体管和经由第一节点连接到传送晶体管的放大晶体管；供给预定电压的电压供给单元；和连接于电压供给单元与第二节点之间的连接开关，第一检测像素的传送晶体管和第二检测像素的传送晶体管在第二节点处连接。
固态成像设备驱动方法系统

[发明专利]双包层全固态光子晶体增益光纤及其制备方法-CN201410014813.6有效
发明人：王飞龙;陈丹平;李文涛;胡丽丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：一种双包层全固态光子晶体增益光纤及其制备方法，该双包层全固态光子晶体增益光纤，包括纤芯、内包层和外包层，其特点在于纤芯的折射率比内包层的背底材料的折射率低。本发明光纤在保持全固态光子晶体光纤特性的同时，可实现光纤的单模(M²<1.1)大模场(模场直径>50μm)激光输出。
包层固态光子晶体增益光纤及其制备方法

[发明专利]一种全固态塑性晶体柔性电解质薄膜及其制备方法-CN201910815268.3有效
发明人：谢惠东;李明亚;王晓强;朱琳;曲袖杰;吴智升 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C08L29/14 文献下载
摘要：本发明的一种全固态塑性晶体柔性电解质薄膜及其制备方法，属于固态电解质制备领域，所述电解质薄膜中包含的物质主要为：高分子化合物、增塑剂、有机塑性晶体基质、锂盐、添加剂、助剂等。制备时相应采用浇铸法或挤出法即可获得相应全固态塑性晶体柔性电解质薄膜。本发明的制备方法具有制备工艺简单、所制得全固态塑性晶体柔性电解质薄膜电导率高、耐太阳辐射、抗老化、超低收缩率、透过性好等优点，在电致变色、太阳能电池、柔性显示屏等领域具有很好的应用前景。
一种固态塑性晶体柔性电解质薄膜及其制备方法

[发明专利]固态成像设备、其驱动方法及固态成像系统-CN201210139537.7有效
发明人：山崎和男 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：公开了固态成像设备、其驱动方法及固态成像系统。一种固态成像设备配置成使得有效像素和参考像素分别连接到第一和第二信号线。所述固态成像设备包括配置成对从有效像素中所包括的第一放大晶体管输出的信号和从参考像素中所包括的第二放大晶体管输出的信号执行差分处理的差分信号输出单元。所述差分信号输出单元是与所述第一和第二放大晶体管分开设置的。
固态成像设备驱动方法系统

[实用新型]大功率全固态激光器-CN201520484109.7有效
发明人：邱凯达 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光器技术领域，具体涉及一种大功率全固态激光器。本实用新型的一种大功率全固态激光器，包括光学平台、后腔镜、声光Q开关、LD泵浦组件、激光晶体、谐波反射镜、KTP倍频晶体和输出耦合镜，所述后腔镜、声光Q开关、LD泵浦组件、激光晶体、谐波反射镜、KTP倍频晶体和输出耦合镜呈直线从左到右依次设置；所述谐波反射镜的膜层设置于所述激光晶体的右端面，所述输出耦合镜的膜层设置于KTP倍频晶体的右端面。本实用新型应用于提高全固态激光器的输出功率。
大功率固态激光器

[发明专利]一种液相法生长碳化硅晶体的装置及长晶炉-CN202310485666.X在审
发明人：林育仪 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种液相法生长碳化硅晶体的装置及长晶炉，涉及碳化硅制造技术领域。长晶炉包括加热坩埚及液相法生长碳化硅晶体的装置，长晶石墨坩埚位于加热坩埚内。液相法生长碳化硅晶体的装置包括长晶石墨坩埚及固态掺杂件。长晶石墨坩埚具有用于放置助溶剂的容纳腔室，固态掺杂件位于容纳腔室内，固态掺杂件的材料包括氮化物。通过固态掺杂件的氮化物为形成N型碳化硅提供氮元素，在高温环境下，氮元素溶解在助溶剂溶液中，可以通过扩散与对流等方式输送到晶体生长界面，实现N型碳化硅晶体生长。相较于通过氮气掺杂，固态氮溶解于助溶剂后，氮元素能够相对均匀的在熔体中分布，从而提高N型碳化硅的生长质量。
一种液相法生长碳化硅晶体装置长晶炉

[发明专利]固态电解质膜片及锂离子电池-CN201310346919.1有效
发明人：黄世霖;胡春华 -专利权人：宁德时代新能源科技有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态电解质膜片及锂离子电池。所述固态电解质膜片含有固态电解质晶体颗粒以及粘结剂，固态电解质晶体通式为(LimZn)MP2X12，固态电解质晶体属于三斜晶系和P1空间群；Z为高价金属元素，其化合价大于1价且小于等于3价，高价金属元素In、Sr、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Ba、Os、Ir、Pt、Hg中的至少一种；M为Ge、Si、Sn、Al、P中的至少一种；X为O、S、Se中的至少一种；m为8～11的有理数；n为0～2的有理数；在固态电解质膜片中，80%以上的(LimZn)MP2X12晶体颗粒的晶轴c轴方向与固态电解质膜片平面夹角α1为-15°≤α1≤15°。所述锂离子电池包括前述固态电解质膜片。从而有效提高锂离子的传导速率、有效地改善倍率性能和循环性能。
固态电解质膜片锂离子电池

[发明专利]一种固态光源的制备方法和固态光源-CN201710183218.9有效
发明人：李海旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态光源的制备方法和固态光源。所述显示面板的基板包括正反两面，在基板正面设置有薄膜晶体管，在基板反面直接制作的固态光源。通过本发明实施例提供的显示面板，基板正面设置有薄膜晶体管，基板反面直接制作固态光源，无需进行背光源和阵列基板的贴合，显示面板更轻薄。并且显示面板背面的固态光源不含有汞介质，显示面板更环保。
一种显示面板固态光源制备方法

[发明专利]一种全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法-CN202211505443.7在审
发明人：任和;杨志勇;王虎;祁思胜;张龙 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C03B37/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法，包括制备基底硫系玻璃复合套管、制备填充硫系玻璃棒、制备基底硫系玻璃束缚套管、制备硫系玻璃复合细棒、制备基底硫系玻璃细棒、组装光子晶体光纤预制棒和拉制光子晶体光纤本发明全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤的制备方法可显著减少纤芯/包层界面上的缺陷，降低光纤的传输损耗。本发明可制备最大芯径～120μm的柔性全固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤，光纤的最低传输损耗1dB/m。
一种固态大模场硫系玻璃光子晶体光纤制备方法