专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于倍频技术的全固态脉冲器的控制系统-CN201310162533.5在审
  • 沈永行;姜培培;许洋 - 许洋
  • 2013-05-07 - 2014-11-12 - H01S3/109
  • 本发明公开了一种基于红宝石激光倍频技术的全固态脉冲紫外激光器,其特征在于它由激光输入镜、红宝石晶体、一个或多个绿色发光二极管阵列、Q开关、激光倍频晶体和激光输出镜组成。激光输入镜、红宝石晶体、Q开关、激光倍频晶体和激光输出镜在空间上顺次排列,一个或多个绿色发光二极管阵列放置在红宝石晶体的侧面,其发光方向对准红宝石晶体的侧表面。本发明主要用以解决低重频全固态脉冲紫外激光器结构复杂、成本高、长期稳定性低的问题,获得一种结构紧凑、成本较低、具有很好长期稳定性的新型全固态脉冲紫外激光器,可望在各类质谱仪中代替传统的氮气激光器。
  • 一种基于倍频技术固态脉冲控制系统
  • [发明专利]一种全固态锁模激光双光梳产生装置-CN202211248000.4在审
  • 刘辉;靳昊澍;白晋涛 - 西北大学
  • 2022-10-12 - 2022-12-27 - H01S3/094
  • 本发明提出了一种全固态锁模激光双光梳产生装置,包括泵浦源,涉及光频技术领域,包括透镜组(1)、二向色镜(2)、增益晶体(3)、第一双折射晶体(4)、第二双折射晶体(5)和半导体可饱和吸收镜(6),所述泵浦源产生泵浦光穿过所述透镜组(1)以汇聚光斑,并穿过所述二向色镜(2)与所述增益晶体(3)连接,所述增益晶体(3)的前后两侧分别通过光连接所述第一双折射晶体(4)和所述第二双折射晶体(5),所述第二双折射晶体(5)与所述半导体可饱和吸收镜(6)连接;本发明利用双折射晶体将泵浦光分为偏振相互正交的两束偏振光直接对增益介质进行泵浦,实现结构紧凑、重频差可大范围调谐高度互相干的全固态锁模激光双光梳。
  • 一种固态激光双光梳产生装置
  • [发明专利]一种突触晶体管及其制备方法-CN202110195176.7有效
  • 李俊;伏文辉;张志林;张建华 - 上海大学
  • 2021-02-19 - 2022-08-16 - H01L29/786
  • 本发明涉及晶体管技术领域,提供了一种突触晶体管及其制备方法。本发明提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层;所述有源层上设置有源电极和漏电极;所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本发明通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维,提升了突触晶体管的质子迁移率,进而提升了突触晶体管的突触特性。本发明中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性,可以为质子的迁移提供通道,将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层,有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示,本发明提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升,并且具有优异的低通、高通滤波性能,突触特性明显。
  • 一种突触晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法-CN201910225445.2有效
  • 谢伟广;余冰;罗志;卢月恒;赖浩杰;陈科球 - 暨南大学
  • 2019-03-25 - 2022-02-11 - H01L29/786
  • 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法,采用固态电解质作衬底,在固态电解质衬底上放置掩膜板,预留一器件沟道;然后沉积一层绝缘薄膜;然后取下掩膜板,沉积三氧化钨薄膜;然后重新放置掩膜板,蒸镀源、漏电极;最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极,形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管,Au作源、漏电极,器件采用真空热蒸镀方法制备,工艺简单,同时将固态电解质作为栅介质,由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性,当栅电极远离沟道区域时,仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用,降低了器件制作过程中的对准要求,得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
  • 一种基于氧化钨场效应晶体管及其制备方法
  • [发明专利]固态摄像装置、其制造方法和电子设备-CN201980009321.9有效
  • 水田恭平 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2019-01-18 - 2023-06-16 - H04N25/67
  • 本技术涉及能够应对像素小型化的固态摄像装置、其制造方法和电子设备。所述固态摄像装置通过将第一半导体基板的作为形成有布线层的表面的前表面和第二半导体基板的形成有布线层的表面的相对侧的后表面结合而构成。第一半导体基板设有:用于对入射光进行光电转换的光电二极管,和用于传输光电二极管的电荷的传输晶体管。第二半导体基板设有电荷电压保持部,电荷电压保持部保持通过所述传输晶体管传输的电荷或者与电荷对应的电压。所述固态摄像装置设有贯通电极,贯通电极贯穿所述第二半导体基板,并将从所述传输晶体管传输来的电压或电荷传输到电荷电压保持部。本技术例如可以应用于固态摄像装置等。
  • 固态摄像装置制造方法电子设备
  • [发明专利]固态成像器件和电子设备-CN201610740546.X在审
  • 山口哲司 - 索尼公司
  • 2012-09-28 - 2016-11-23 - H01L27/146
  • 本发明涉及固态成像器件和电子设备。本发明的固态成像器件和电子设备具有优良的色彩分离和高灵敏度。所述固态成像器件包括:半导体层11,其表面侧成为电路形成面;两层以上的光电转换单元PD1和PD2,它们堆叠并形成在所述半导体层11中;和纵向晶体管Tr1,其中,栅极电极21形成为从所述半导体层11的表面所述两层上的光电转换单元中的一层光电转换单元PD1形成为跨越所述纵向晶体管Tr1的栅极电极21的被嵌入到所述半导体层内的部分21A,并且连接到由所述纵向晶体管Tr1形成的沟道。
  • 固态成像器件电子设备

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