专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高功率全固态皮秒激光器-CN201310149055.4有效
  • 全鸿雁;郑宣成 - 温州市德罗斯激光科技有限公司;全鸿雁
  • 2013-04-25 - 2013-08-21 - H01S3/08
  • 本发明公开了一种高功率全固态皮秒激光器,包括半导体激光泵浦源、激光晶体和谐振腔,激光晶体设置在谐振腔内,谐振腔包括激光输出镜、热补偿负透镜、第一平凹反射镜、第二平凹反射镜和锁模装置;半导体激光泵浦源发出的泵浦光经光束整形装置准直聚焦后进入谐振腔;热补偿负透镜的凸面曲率半径与激光晶体的等效热透镜焦距的两倍相当且置于尽量靠近激光晶体的位置,热补偿负透镜的法线方向与泵浦光具有小夹角,激光输出镜设置在热补偿负透镜的反射光路上。本发明采用热补偿负透镜对激光晶体的热透镜效应进行补偿,提高了全固态皮秒激光器的输出功率和光束质量,也提高了全固态皮秒激光器的热稳定性,实现了高功率全固态皮秒激光器的稳定运行。
  • 功率固态激光器
  • [实用新型]高功率全固态皮秒激光器-CN201320218055.0有效
  • 全鸿雁;郑宣成 - 温州市德罗斯激光科技有限公司;全鸿雁
  • 2013-04-25 - 2013-10-30 - H01S3/08
  • 本实用新型公开了一种高功率全固态皮秒激光器,包括半导体激光泵浦源、激光晶体和谐振腔,激光晶体设置在谐振腔内,谐振腔包括激光输出镜、热补偿负透镜、第一平凹反射镜、第二平凹反射镜和锁模装置;半导体激光泵浦源发出的泵浦光经光束整形装置准直聚焦后进入谐振腔;热补偿负透镜的凸面曲率半径与激光晶体的等效热透镜焦距的两倍相当且置于尽量靠近激光晶体的位置,热补偿负透镜的法线方向与泵浦光具有小夹角,激光输出镜设置在热补偿负透镜的反射光路上。本实用新型采用热补偿负透镜对激光晶体的热透镜效应进行补偿,提高了全固态皮秒激光器的输出功率和光束质量,也提高了全固态皮秒激光器的热稳定性,实现了高功率全固态皮秒激光器的稳定运行。
  • 功率固态激光器
  • [发明专利]固体成像器件的制造方法-CN02802479.6无效
  • 下薗孝之;滝泽津夫 - 索尼公司
  • 2002-05-22 - 2003-12-31 - H01L27/148
  • 本发明公开了一种制造固态成像器件的方法,以通过有效地实现对在形成一晶体生长层以形成固态成像元件期间混入的污染杂质的吸杂能力,来减少由暗电流产生的白点。该方法包括步骤:通过向一衬底引入一种与构成该衬底的第一元素同类的第二元素,形成一掩埋式吸杂层;通过在所述衬底的表面上生长该第一元素的物质,形成一晶体生长层;以及,在比通过向所述衬底的背表面引入第三元素的物质形成一外在吸杂层的温度更低的温度下,在晶体生长层内部和其上形成固态成像元件,或在比通过在含有盐酸的气体的气氛下氧化以在晶体生长层的一表面上形成一外在吸杂层的温度更低的温度下,在晶体生长层内部和其上形成固态成像元件。
  • 固体成像器件制造方法
  • [发明专利]一种基于声子晶体的全固态声表面波陀螺-CN202310599739.8在审
  • 葛飞;赵立业;李云昊 - 东南大学
  • 2023-05-25 - 2023-08-15 - G01C19/5698
  • 本发明涉及惯性测量器件,具体是一种基于声子晶体的全固态声表面波陀螺;本发明利用声表面波激发声子晶体中的回音廊模态,回音廊模态在角速度的作用下产生进动,进动会影响输出表面波的性质,通过检测输出弹性波的特征即可实现角速度的测量,解决了现有全固态表面波陀螺由于角速度直接调制表面波本身而导致的陀螺效应微弱问题。本发明基于声子晶体的全固态声表面波陀螺,包括信号发生器、表面波激励传输模块、声子晶体敏感结构、表面波测振仪、数据采集与处理模块。本发明适用于角速度测量。
  • 一种基于晶体固态表面波陀螺
  • [发明专利]固态装置-CN201910936750.2在审
  • R·C·朔贝尔;S·M·朔贝尔 - 电路种子有限责任公司
  • 2015-07-29 - 2020-03-27 - H03K19/094
  • 本发明涉及一种固态装置,其是新颖及发明性复合装置结构,从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法,以用于设计模拟CMOS电路。确切地说,本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置,所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口,亦即低阻端口和栅控端口,而常规固态装置具有一个控制端口,亦即栅控端口。这种新颖固态装置提供优于所述常规装置的各种改良。
  • 固态装置
  • [发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN200810110368.8有效
  • 糸长总一郎 - 索尼株式会社
  • 2008-06-04 - 2008-12-10 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种固态成像装置及其制作方法。该固态成像装置包括光电转换单元、晶体管和隔离光电转换单元和晶体管的元件隔离区。光电转换单元和晶体管构成像素。元件隔离区由导电类型与晶体管的源极区和漏极区的导电类型相反的半导体区形成。晶体管的栅电极的部分朝向元件隔离区侧突出超出晶体管的有源区。具有与晶体管的栅电极的栅极绝缘膜的厚度基本相同厚度的绝缘膜,形成在元件隔离区上从元件隔离区的位于晶体管的栅电极之下的部分到与位于晶体管的栅电极之下的部分连续的部分。
  • 固态成像装置及其制造方法

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