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[发明专利]固态摄像装置和电子设备-CN201880019824.X有效
发明人：安茂博章;江尻洋一;本庄亮子 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够抑制读取噪声的固态摄像装置和电子设备。根据本发明的第一方面的固态摄像装置包括：光电转换部，其响应于入射光而产生并保持电荷；传输部，其包括V‑NW晶体管(垂直纳米线晶体管)并传输在所述光电转换部中保持的所述电荷；和累积部，其包括布线层并且累积由所述传输部传输的所述电荷，所述布线层连接到包括所述V‑NW晶体管的所述传输部的漏极。
固态摄像装置电子设备

[实用新型]一种全固态激光器-CN200820123511.2有效
发明人：刘谊元;张瑛;亓岩;严伟;毕勇;贾中达 -专利权人：北京中视中科光电技术有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全固态激光器，包括谐振腔，其特征在于所述谐振腔包括用作激光晶体的掺钕钒酸钆晶体，所述掺钕钒酸钆晶体中钕的掺杂浓度至少为0.5atm％。本实用新型首次用全固态激光器实现了960nm激光的输出，该激光属于红外波段，应用前景广阔，例如，红外激光用于材料微加工、用于监测工业加工环境安全；红外激光还可应用于激光焊接，可以制造出超过原材料硬度的焊接缝
一种固态激光器

[实用新型]电子集成电路芯片-CN201821280672.2有效
发明人： J·J·法戈;P·波伊文;F·亚瑙德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种电子集成电路芯片包括布置在固态衬底的内部和顶部上的第一晶体管、布置在绝缘体上的具有第一厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第二晶体管以及布置在绝缘体上的具有第二厚度的半导体材料层的内部和顶部上的第三晶体管固态衬底在半导体材料层的下方延伸，并且通过绝缘体与那些层绝缘。
绝缘体半导体材料层电子集成电路晶体管芯片衬底层绝缘厚度比延伸

[发明专利]一种高真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置-CN201610844450.8在审
发明人：吴洁;张凤赐;孙萍 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：一种高真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置，涉及一种机械装置，主要由减速机，传动丝杠，方螺母，连接座，水冷机架，移动提拉杆和连接法兰等部分所组成。通过连接法兰将其安装在高真空单晶体生长炉上。这套水冷机械移动装置的输出件的下端，深入高真空单晶体生长炉内，将需要热处理的铜试件夹持在这个移动提拉杆的下端头上。按热处理工艺要求控制水冷机械移动装置中移动提拉杆的移动速度，就可实现铜试件从高温的固态相缓慢而均匀的相变到低温固态相，从而获得低温固态相的金属单晶铜。本发明可有效解决高真空单晶体生长炉试件在炉内的移动和热处理状态控制难题。
一种真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置

[发明专利]陶瓷电解质及制作方法、全固态锂金属电池及制备方法-CN202211464515.8在审
发明人：贺艳兵;彪捷;马家宾;陈立坤;米金硕;杨科;王翠翠;蒋克林;吕伟;康飞宇 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明提供了陶瓷电解质及制作方法、全固态锂金属电池及制备方法，陶瓷电解质的制作方法包括以下步骤：将锂源晶体、石榴石型固态电解质、低熔点离子晶体、氧化铝分散在溶剂中，球磨至颗粒细化并均匀分散，得到分散液。去除所述分散液中的溶剂，得到均匀混合的复合粉末；处理所述复合粉末使其粒径均匀，并将得到的粒径均匀的复合粉末冷压成片体；在容器中放入所述片体及石榴石型固态电解质与锂源晶体混合的粉末，使所述粉末把所述片体包埋本发明能够使锂镧锆氧在烧结过程中引入低熔点锂离子晶体，使其在高温下填充片体晶界，抑制晶界碳酸锂的生成，大幅提升石榴石型电解质抑制锂枝晶能力。
陶瓷电解质制作方法固态金属电池制备方法

[发明专利]用于飞行器的功率开关-CN201110095569.7有效
发明人： A·施普利;M·斯蒂芬斯;P·莫比;A·布赖恩特 -专利权人：通用电气航空系统有限公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：根据第一方面，本发明提供了一种用于飞行器功率分配系统中的故障保护的集成式固态功率开关(200，300)。集成式固态功率开关(200，300)由半导体材料(250，350)形成，该半导体材料提供了场效应晶体管(FET)沟道和双极晶体管沟道，其中，场效应晶体管沟道在正常装置操作期间可操作以提供工作电流流动通路(242，342)，而双极晶体管沟道在装置过载状态期间可操作以提供过载电流流动通路(240，340)。还描述了一种用于制造此种集成式固态功率开关的方法(400)。本发明的各种实施例提供了用于飞行器系统的自动过载电流保护，而无需使用庞大的开关或大型的冷却设备。
用于飞行器功率开关

[实用新型]一种高真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置-CN201621074301.X有效
发明人：吴洁;张凤赐;孙萍 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：一种高真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置，涉及一种机械装置，主要由减速机，传动丝杠，方螺母，连接座，水冷机架，移动提拉杆和连接法兰等部分所组成。通过连接法兰将其安装在高真空单晶体生长炉上。这套水冷机械移动装置的输出件的下端，深入高真空单晶体生长炉内，将需要热处理的铜试件夹持在这个移动提拉杆的下端头上。按热处理工艺要求控制水冷机械移动装置中移动提拉杆的移动速度，就可实现铜试件从高温的固态相缓慢而均匀的相变到低温固态相，从而获得低温固态相的金属单晶铜。本实用新型可有效解决高真空单晶体生长炉试件在炉内的移动和热处理状态控制难题。
一种真空单晶体生长炉试件水冷机械移动装置

[发明专利]一种发射波长228nm全固态激光装置-CN202010444819.2在审
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射波长228nm全固态激光装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO晶体；平凹镜A；BBO晶体808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，再通过BBO倍频晶体产生228nm激光；228nm激光通过平凹镜B反射，再依次通过BBO倍频晶体和平凹镜A，最后通过228nm滤光片发射228nm全固态激光。
一种发射波长 228 nm 固态激光装置

[实用新型]一种发射波长228nm全固态激光装置-CN202020880181.2有效
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射波长228nm全固态激光装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO晶体；平凹镜A；BBO晶体808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，再通过BBO倍频晶体产生228nm激光；228nm激光通过平凹镜B反射，再依次通过BBO倍频晶体和平凹镜A，最后通过228nm滤光片发射228nm全固态激光。
一种发射波长 228 nm 固态激光装置

[发明专利]活细菌生物材料多阶段式真空干燥制备方法-CN201110125008.7有效
发明人：吕亦晨;欧阳健;马伟 -专利权人：海口维瑅瑷生物研究院
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C12N1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种活细菌生物材料多阶段式真空干燥制备方法，步骤A，将加有保护液的活细菌悬液，在-10℃至20℃的温度，低于100Pa真空度下，进行动态控温下的真空干燥，将活细菌悬液的水分在4-6小时内降低至12％以下，活细菌悬液转变为固态的晶体薄片状的固态干燥物；步骤B，将所述晶体薄片状的固态干燥物压碎，在10-25℃，真空度小于10Pa下，真空干燥2-4小时，将固态干燥物水分降至10％以下；步骤C，将水分降至10％以下的固态干燥物研磨为粉末，然后在5-25℃，真空度小于10Pa下，进行4-6小时的真空干燥，将固态干燥物中的水分降至5％以下，制备得到活细菌生物材料。
细菌生物材料阶段真空干燥制备方法

[发明专利]固态成像装置和用于固态成像装置的驱动方法-CN201110166961.6有效
发明人：箕轮雅章;沖田彰 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像装置和用于固态成像装置的驱动方法。放大型固态成像装置在读出垂直输出线的信号时向复位晶体管的栅极供应VRESL1的电压，而在将蓄积在光电二极管中的信号电荷转移到FD时供应比VRESL1大的VRESL2的电压，使得，经由设置在复位晶体管的栅极与
固态成像装置用于驱动方法

[发明专利]固态成像器件及成像装置-CN201580012575.8有效
发明人：阿部高志;嶋村延幸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及可以提供图像质量在更高的像素信号读取速度下不发生恶化的固态成像元件的固态成像元件和固态成像装置。在具有多个像素的二维阵列的像素阵列模块中，每个像素包括光电转换元件、用于从所述光电转换元件读取信号的多个晶体管以及用于驱动所述晶体管的布线，针对像素的每个二维布置的行设置有多条像素输出线，且所述像素的所述像素输出线被布置成划分到多个布线层中
固态成像器件装置

[发明专利]用于全固态超快激光器的主功率放大装置-CN201710068847.7在审
发明人：贾建鸿 -专利权人：北京宏强富瑞技术有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于全固态超快激光器的主功率放大装置，其包括有漫反射腔，所述漫反射腔内设有氙灯和NdCeYAG晶体，所述NdCeYAG晶体的外部套设有玻璃套管，所述氙灯连接延时电路，所述延时电路还连接种子光源本发明能够有效的实现高峰值功率的输出，解决超快激光功率低、能量弱等问题的用于全固态超快激光器的主功率放大装置。
用于固态激光器功率放大装置

[发明专利]用于增加固态照明灯具的调光范围的方法和装置-CN201180014418.2有效
发明人： M·戴塔;G·坎普贝尔;M·雷宾纳 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种用于控制由处于低调光水平的固态照明负载输出的光水平的设备，包括与固态照明负载并联连接的泄放电路。该泄放电路包括串联连接的电阻器和晶体管，该晶体管被配置为当由调光器设置的调光水平低于预定第一阈值时根据数字控制信号的占空比而接通或断开，从而随着该调光水平降低而减小该泄放电路的有效阻抗。
用于增加固态照明灯具调光范围方法装置

[发明专利]一种固态电解质的脱水提纯方法和应用-CN202210332916.1在审
发明人：李瑞杰;陈少杰;黄海强;曹晓菊;周宇楠 -专利权人：蜂巢能源科技(无锡)有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C01F17/36 文献下载
摘要：本发明涉及固态电池技术领域，具体涉及一种固态电解质的脱水提纯方法和应用。本发明提供的脱水提纯方法，包括如下步骤：将待处理固态电解质与脱水添加剂进行接触，然后进行加热，得到所述脱水提纯后的固态电解质；所述脱水添加剂至少满足如下条件：脱水添加剂物质与固态电解质的结合能力优于水与固体电解质的结合能力；脱水添加剂与固体电解质结合后的物质的分解温度低于固体电解质的晶体结构塌陷温度；脱水添加剂物质的沸点低于固体电解质的晶体结构塌陷温度。
一种固态电解质脱水提纯方法应用

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