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[发明专利]固态成像装置-CN202180052140.1在审
发明人：伊藤干记;大谷奈津子;小室雄太郎;冈田明;青谷悠平;山口裕一;榊飞翔;阿部真澄;金安航大;野口悠太;高桥和晖;山田博文;山科纮平;高桥良辅;斋藤祥基;菊地裕介;饭田幸人;小幡健一;伊藤隆一;植村悠纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本公开提供一种能够防止在像素之间产生感度差的固态成像装置。本公开的固态成像装置包括：第一像素；和位于第一像素的第一方向上的第二像素，其中第一和第二像素中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管，和第二像素内的第一和第二晶体管相对于第一像素内的第一和第二晶体管在第一方向上周期性地配置
固态成像装置

[发明专利]具有气隙间隔体的晶体管-CN201580081756.6有效
发明人：李呈光;J·朴;E-S·刘;E·S·卡西迪-康福特;W·M·哈菲兹;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：可以将微电子晶体管制造为具有气隙间隔体，所述气隙间隔体被形成为栅极侧壁间隔体，以使得所述气隙间隔体位于微电子晶体管的栅极电极与微电子晶体管的源极接触部和/或漏极接触部之间。由于气态物质的介电常数显著低于固态或半固态电介质材料的介电常数，因而气隙间隔体可以在栅极电极与源极接触部和/或漏极接触部之间产生最低的电容耦合，这样可以降低微电子晶体管的电路延迟。
有气间隔晶体管

[发明专利]固态成像装置和成像设备-CN201110133801.1有效
发明人：后藤崇 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态成像装置，所述固态成像装置包括光电转换层和MOS晶体管电路。光电转换层形成在半导体基板上。MOS晶体管电路读出与在光电转换层中产生并接着被收集的电荷相对应的信号并形成在半导体基板中，所述电荷具有给定极性。MOS晶体管电路包括电荷积聚部分、复位晶体管和输出晶体管。复位晶体管将电荷积聚部分的电位复位到复位电位。输出晶体管输出与电荷积聚部分的电位相对应的信号。复位晶体管和输出晶体管具有带电体，所述带电体的极性与给定极性相反。在MOS晶体管电路中，满足以下公式(1)：GND＜Vs≤GND+ΔV2+(Vdd/5)…(1)。
固态成像装置设备

[发明专利]半导体装置-CN201410669328.2在审
发明人：小山润;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10^-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电荷存储部分的电势被保持不变，所以可改进动态范围
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410531317.8在审
发明人：小山润;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，具体提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10^-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电荷存储部分的电势被保持不变，所以可改进动态范围
半导体装置

[发明专利]固态成像器件和电子装置-CN201510174067.1有效
发明人：城户英男;山本敦彦;山田明大 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括第一像素，包括第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。
固态成像器件电子装置

[发明专利]固态成像器件和电子装置-CN201510174068.6有效
发明人：城户英男;山本敦彦;山田明大 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括：第一像素，包括：第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括：第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管以该顺序在第一行中相互相邻，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。
固态成像器件电子装置

[发明专利]一种535nm全固态倍频激光器-CN201310053191.3无效
发明人：张行愚;武振国;王青圃;张远耕;从振华;刘兆军;陈晓寒;王聪;王伟涛;李静;张怀金 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：一种535nm全固态倍频激光器，属于固态激光技术领域。包括泵浦源、耦合透镜和耦合腔等，耦合腔内放置激光晶体、调Q器件、倍频晶体，由温度控制系统使上述晶体和器件保持温度恒定，其特征在于使用Nd:KLu(WO4)2晶体的4F3/2-4I11/2激光跃迁产生1070nm激光，然后经过倍频晶体倍频得到535nm激光。输入镜M1、腔镜M2、输出镜M3、激光晶体、倍频晶体端面分别镀有对相应波长的光透过率或者反折射大于95%的介质膜。
一种 535 nm 固态倍频激光器

[实用新型]一种535 nm 全固态倍频激光器-CN201320076865.7有效
发明人：张行愚;武振国;王青圃;张远耕;从振华;刘兆军;陈晓寒;王聪;王伟涛;李静;张怀金 -专利权人：山东大学
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：一种535nm全固态倍频激光器，属固态激光技术领域。包括泵浦源、耦合透镜和耦合腔等，耦合腔内放置激光晶体、调Q器件、倍频晶体，由温度控制系统使上述晶体和器件保持温度恒定，其特征在于使用Nd:KLu(WO4)2晶体的4F3/2-4I11/2激光跃迁产生1070nm激光，然后经过倍频晶体倍频得到535nm激光。输入镜M1、腔镜M2、输出镜M3、激光晶体、倍频晶体端面分别镀有对相应波长的光透过率或者反折射大于95%的介质膜。
一种 535 nm 固态倍频激光器

[发明专利]近晶态液晶多稳态电子纸显示器的像素电路-CN201210402731.X有效
发明人：于秀兰;张海英;彭春华 -专利权人：杭州玖欣物联科技有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G09F9/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种近晶态液晶电子纸显示器的有源像素电路，其中对对M x N 点阵的液晶，使用i 表示行、使用j 表示列，第ij 像素的电路包括晶体管Tij、缓存电容Cij固态升压变压器PTij和像素CPij；输入信号包括栅控制电压VGi、源端驱动电压VSj和中间电压Vmidij；其中，第i 行全部晶体管的栅极和栅控制电压VGi相连，第j列全部晶体管的源极和源端驱动电压VSj相连，缓存电容Cij的一端和晶体管Tij的漏端以及固态升压变压器PTij的初级一个输入端子相连，缓存电容Cij的另一端和一个中间电压Vmidij信号以及固态升压变压器PTij的初级另一个输入端子相连，固态升压变压器PTij的次级高压输出端和近晶态液晶电子纸显示器像素
晶态液晶稳态电子显示器像素电路

[实用新型]一种双电源切换装置-CN201922153827.7有效
发明人：张友涛;张亮亮;吕海岩;宁超;岳云龙;王学 -专利权人：兰西哈三联制药有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：一种双电源切换装置它包含中央处理器、直流电源、电源指示、晶体管驱动、固态继电器A、电压比较器、远程控制模块、电压采样模块、固态继电器B，中央处理器与直流电源电性连接，电源指示与中央处理器电性连接，晶体管驱动与中央处理器电性连接，固态继电器A与晶体管驱动电性连接，电压比较器与远程控制模块信号连接，电压采样模块与电压比较器电性连接，固态继电器B与晶体管驱动电性连接。
一种双电源切换装置

[发明专利]固态图像传感器、其制造方法和电子设备-CN201480007166.4有效
发明人：山川真弥 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及一种对在制造过程中的未对准具有容忍性并且光电转换的转换效率高的固态图像传感器、可以实现固态图像传感器的制造方法和电子设备。所述固态图像传感器包括在半导体基板中埋入形成的光电转换单元；保持由所述光电转换单元生成的电荷的杂质区域；和将所述电荷传输到所述杂质区域的传输晶体管。所述传输晶体管的栅电极从其上形成所述杂质区域的半导体基板的表面在朝向所述半导体基板中的光电转换单元的深度方向上形成。所述传输晶体管的通道部从所述深度方向观看在所述杂质区域的方向之外的两个以上方向上被所述栅电极包围。本技术例如可以适用于背面照射型固态图像拾取元件等。
固态图像传感器制造方法电子设备

[发明专利]互补电流场效应晶体管装置及放大器-CN201580083441.5有效
发明人： R·C·朔贝尔;S·M·朔贝尔 -专利权人：电路种子有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口，亦即低阻端口和栅控端口，而常规固态装置具有一个控制端口，亦即栅控端口。这种新颖固态装置提供优于所述常规装置的各种改良。
互补电流场效应晶体管装置放大器

[发明专利]一种宽温度范围固态电解质及其应用-CN202110309359.7有效
发明人：李斯剑;耿振;刘利霞;王雷丹阳;苏青;廖文俊 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温度范围固态电解质，按质量百分比计，包括生物质5～50％、有机离子塑性晶体30～70％和锂盐5～60％。本发明还提供了包括上述固态电解质的锂二次电池及其制备方法。本发明通过在有机离子塑型晶体‑锂盐电解质体系中引入寒天，在实现宽工作温度范围的基础上，确保固态电解质具有较高的安全性，能够通过锂电池安全测试的针刺试验及加热试验。
一种温度范围固态电解质及其应用

[发明专利]一种多色发光晶体及其制备方法和应用-CN202010078754.4有效
发明人：陈玉哲;吴亚航;吴骊珠;佟振合 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C07D307/88 文献下载
摘要：本发明公开一种多色发光晶体，形成该晶体的化合物是一类杂原子取代的类刚性二苯乙烯化合物，具有较大的S2与S1激发态之间的能隙，形成的晶体中存在分子内和分子间的氢键，在室温下，能够实现S2和S1激发态的多色发光，其S2晶体结构可通过“抑制”Kasha规则来实现高级激发态的多色发光，不仅为抑制固态Kasha规则提供了简单的模型，而且为设计其他单组分多发射光的固态有机材料开辟了新途径。此外，该晶体制备方法简单，在柔性显示器、固态照明和有机激光器等领域中具有巨大的应用潜力。
一种多色发光晶体及其制备方法应用