专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双波长端面泵浦的掺钕的钒酸钇晶体固态激光器-CN201110137541.5有效
  • 丁欣;殷苏嘉;盛泉;李雪;史春鹏;李斌;温午麒;姚建铨 - 天津大学
  • 2011-05-26 - 2011-11-16 - H01S3/0941
  • 本发明公开了一种双波长端面泵浦的掺钕的钒酸钇晶体固态激光器,涉及全固态激光技术领域,第一二极管激光器发出的第一泵浦光经第一激光传能光纤和第一耦合透镜组传输到合束平面镜;第二二极管激光器发出的第二泵浦光经第二激光传能光纤和第二耦合透镜组传输到合束平面镜;第一泵浦光和第二泵浦光在合束平面镜处合束,获取合束后泵浦光;经谐振腔反射镜聚焦于激光增益介质晶体内部;激光增益介质晶体吸收合束后的泵浦光,当激光增益介质晶体吸收的合束后的泵浦光达到阈值时,激光增益介质晶体产生受激辐射并在谐振腔内形成激光振荡,获取1064nm激光并通过激光输出镜输出;很好平衡输出功率和热效应,使固态激光器输出及运转达到最佳效果。
  • 一种波长端面钒酸钇晶体固态激光器
  • [发明专利]二维原子晶体及其生长方法-CN202111529080.6在审
  • 张兴旺;王高凯;陈镜壬;尹志岗;吴金良 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-12-14 - 2023-06-16 - C30B29/40
  • 本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法,方法包括:在第一衬底上生长固态源薄膜;将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中,其中,固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间;在保护气体气氛下,将加热炉加热至反应温度,保持反应温度时间T后,降至室温,以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便,直接在介质衬底上生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一,结晶质量极高。生长过程清洁环保,对生产设备的要求低,成本低廉,便于工业化推广。
  • 二维原子晶体及其生长方法
  • [发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备-CN201010124361.9有效
  • 田浦忠行 - 索尼公司
  • 2010-02-26 - 2010-09-08 - H01L27/146
  • 本发明提供了固态成像装置及其制造方法以及电子设备。固态成像装置包括:光电检测器,其形成在衬底上,并被配置为通过光电转换来产生信号电荷;浮动扩散部,其被配置为接收由光电检测器产生的信号电荷;多个MOS晶体管,其包括将信号电荷转移到浮动扩散部的转移晶体管和输出与浮动扩散部的电位相对应的像素信号的放大晶体管;多层布线层,其形成在高于衬底的层中,并且包括经由接触部分与MOS晶体管连接的多个布线层;以及遮光膜,其由布置在高于衬底并低于多层布线层的层中的底布线层构成。
  • 固态成像装置及其制造方法以及电子设备
  • [发明专利]固态图象传感器-CN99105889.5无效
  • 中柴康隆 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 1999-03-30 - 2004-03-24 - H01L27/14
  • 一种固态图象传感器,包括:半导体层,具有第2电导率,光电转换部分,把光转换成电荷,控制晶体管,控制所述的光电转换部分的工作,源跟随晶体管,输出由所述的电荷产生的电压,其特征是,所述的光电转换部分包括:具有第1电导率的第1区,延伸到所述的控制晶体管的栅极,与源跟随晶体管的栅极电连接,具有第1电导率第2区,形成在所述的第1区的附近。所述的固态图象传感器减少光电转换部分的寄生电容,因此增加了光电转换部分的效率和灵敏度。
  • 固态图象传感器

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