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[发明专利]一种规模化固态绿色荧光碳纳米点及其制备方法-CN202110137189.9在审
发明人：娄庆;魏建勇;单崇新 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种规模化固态绿色荧光碳纳米点的制备方法，属于荧光碳纳米点材料技术领域。包括以下步骤：将碳源和分散剂均匀分散于水溶剂中，加入无机晶体，混合均匀后，于100～200℃进行微波反应3～30min，即得所述碳纳米点；所述无机晶体为氢氧化钾或柠檬酸钾。本发明通过氢氧化钾或柠檬酸钾等无机晶体的引入，成功抑制了碳点本身固态下荧光猝灭的问题，实现了原位限域生长固态发光碳纳米点，该碳点在固态下的绿色荧光，其荧光效率最高可达75.9％。
一种规模化固态绿色荧光纳米及其制备方法

[发明专利]固态成像装置-CN200610058934.6有效
发明人：高木贺子;森裕之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和1/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同
固态成像装置

[发明专利]晶界修饰改性的复合固态电解质及其制备方法、固态电池-CN202211542767.8在审
发明人：孙学良;杨晓飞;刘丙学;王建涛;杨容 -专利权人：国联汽车动力电池研究院有限责任公司;西安大略大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明属于固体电池技术领域，具体涉及一种晶界修饰改性的复合固态电解质及其制备方法、固态电池。所述复合固态电解质包含晶体型硫化物电解质，所述晶体型硫化物电解质的晶粒间具有晶界，所述晶粒间的晶界填充有聚合物固态电解质；其中，所述聚合物固态电解质的离子电导率大于1×10‑6固态电解质可大幅度提升硫化物电解质抑制锂枝晶的能力，延长硫化物固态锂金属电池的循环寿命，同时，可降低硫化物固态电池的自放电效应，提升电池的库伦效率。
修饰改性复合固态电解质及其制备方法电池

[发明专利]固态成像器件和电子设备-CN201680006416.1有效
发明人：古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够抑制光电转换部的光电转换特性的劣化的固态成像元件和电子设备。该固态成像元件设置有像素，所述像素包括：光电转换部，其形成在半导体基板外部；电荷保持部，其用于保持在光电转换部中生成的信号电荷；复位晶体管，其用于复位电荷保持部的电位；电容量切换晶体管，其与电荷保持部连接，并用于切换电荷保持部的电容量；以及附加电容量元件，其与电容量切换晶体管连接。例如，本技术能够应用至固态成像元件。
固态成像器件电子设备

[发明专利]二次谐波振荡器及激光应用装置-CN96190002.4无效
发明人：牧尾谕;宫井刚;古川保典;佐藤正纯 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 1996-02-08 - 公布日： 1999-11-03 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：一种二次谐波振荡器，包括一个作为激发光源的半导体激光器和一个共振器，该共振器具有一由激光发源激发的固态激光晶体、一个用于控制自固态激光晶体产生的一次振荡波波长的控制元件和一个用于转换作为基波的一次振荡波的波长成为作为二次振荡波的二次谐波的波长的非线性光学晶体，其中，共振器的各元件从激发光输入测起安排的顺序为第一激光器反射镜、固态激光晶体、波长控制元件、非线性光学晶体及第二激光器反射镜。
二次谐波振荡器激光应用装置

[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备-CN201280059556.7有效
发明人：安茂博章 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及一种固态成像装置、固态成像装置制造方法和电子设备，能够提供可以防止由于放大晶体管的小型化而产生RTS噪声并因此可以实现小型化和高集成化的固态成像装置。固态成像装置(1-1)包括：作为光电转换部的光电二极管(PD)；从所述光电二极管(PD)读出电荷的传输栅极(TG)；通过所述传输栅极(TG)的操作读出所述光电二极管(PD)的电荷的浮动扩散部(FD)；和与所述浮动扩散部(FD)连接的放大晶体管(Tr3)。更具体地，所述放大晶体管(Tr3)是全耗尽型的。这种放大晶体管包括在垂直于例如通过处理半导体层(11)的表面层形成的凸条(33)的方向上延伸的放大器栅极(AG)(栅电极)。
固态成像装置制造方法电子设备

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法-CN201980031496.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成
固态摄像元件及其制造方法

[发明专利]固态成像器件-CN200710084725.3无效
发明人：加纳孝俊;内田干也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种降低所产生的噪声并容易使用的固态成像器件以及制造这种固态成像器件的方法。在包括固态成像器件1的多个MOS晶体管中，使用引入了P型杂质的多晶硅来形成像素5中所包括的N型MOS晶体管109a和109b的栅极108a和108b中的至少一个。在这种情况下，同时进行将P型杂质引入到N型MOS晶体管109a或109b的栅极108a或108b中以及将P型杂质引入到P型MOS晶体管109c的栅极108c中。
固态成像器件

[发明专利]一种高稳定性的全固态激光器-CN201510492390.3在审
发明人：卢华东;靳丕铦;苏静;彭堃墀 -专利权人：山西大学
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01S3/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性的全固态激光器，包括全固态激光器、λ/2波片、偏振分光器、光电探测器、PID控制器及温度控制器。在全固态激光器谐振腔内插入非线性倍频晶体，全固态激光器的输出光束依次通过λ/2波片和偏振分光器；偏振分光器的反射光进入光电探测器，光电探测器的输出端连接PID控制器，PID控制器的输出端连接温度控制器的温度设定端，通过温度控制器控制全固态激光腔内非线性倍频晶体的工作温度；所述偏振分光器的透射光作为系统输出光。本发明一种高稳定的全固态激光器，通过控制非线性倍频晶体的工作温度改变激光腔内非线性损耗的大小，补偿激光器功率的波动，获得高稳定性的激光输出。
一种稳定性固态激光器

[发明专利]固态摄像设备-CN201610083928.X有效
发明人：小林昌弘;大贯裕介;小泉彻 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态摄像设备。所述固态摄像设备能够抑制在执行全局电子快门操作时可能会出现的图像质量的劣化。以靠近光电转换单元的方式来设置像素晶体管的栅极驱动线中的第一传输晶体管的栅极驱动线。
固态摄像设备

[发明专利]一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法-CN202211550378.X在审
发明人：邓文;潘一华;武丽敏;武文霞;芦宇辰;徐守磊;熊定康;黄宇阳 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了单晶制备生产技术领域的一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤一：称取原材料；步骤二：陶瓷料棒的制备；步骤三：晶体生长；步骤四：晶体加工；步骤五：白光固态光源封装；本发明为了解决生长高质量高熔点稀土掺杂氧化锆单晶体的问题，本发明采用光学浮区法生长高质量稀土掺杂氧化锆单晶体，通过上转换发光获得蓝光、绿光和红光发射，调整掺杂稀土的含量，可产生复合白光；制备了封装有波长为980nm的红外发光二极管和抛光后的晶体片的白光固态光源，通过调整二极管的发光频率实现亮度的调节，从而实现不同晶体之间的切换实现冷白光、暖白光、纯白光发射之间的转换。
一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法

[发明专利]温度相关性降低的蓝色LD泵浦的掺杂镨的固态激光装置-CN200880006448.7无效
发明人： U·韦克曼;J·本戈奇阿佩兹特古亚;P·J·-P·卡米;J·-L·道兰;R·蒙科格 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;卡昂大学;法国国家科学研究中心
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态激光装置，该固态激光装置带有在两个谐振腔端镜(3，5)之间的固态增益介质以及布置成对所述固态增益介质进行光学泵浦的基于GaN的泵浦激光器(1)。固态增益介质是掺杂Pr3+的晶体或多晶基质材料(4)，该基质材料具有立方晶体结构和≤600cm-1的最高声子能量并且提供≥5.5eV的带隙。所提出的固态激光器能够被设计成在若干可见波长发射且所发射的功率表现出对基于GaN的泵浦激光器(1)的温度的相关性降低。
温度相关性降低蓝色 ld 掺杂固态激光装置

[发明专利]一种种子注入式ArF准分子激光装置-CN200910089797.6无效
发明人：许祖彦;薄勇;彭钦军;王志敏;许家林;高宏伟 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01S3/225 文献下载
摘要：本发明提供一种种子注入式ArF准分子激光装置，包括全固态种子激光器，ArF准分子激光器，所述全固态种子激光器包括全固态激光器、非线性光学晶体变频器和KBe2BO3F2晶体倍频器，所述全固态激光器用于产生基频激光，所述非线性光学晶体变频器用于接收所述基频激光将其变频至波长为386.8nm，所述KBe2BO3F2晶体倍频器用于接收所述386.8nm的激光并将其倍频成为波长193.4nm的种子激光，所述全固态种子激光器将所述种子激光注入到所述
一种种子注入 arf 准分子激光装置

[发明专利]固态成像装置以及照相机系统-CN200480033272.6无效
发明人：野本哲夫;牧野荣治;马渕圭司;春田勉;龟田慎二郎 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-09-16 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：提供了一种固态成像装置，所述固态成像装置在不要求经由复位晶体管对浮动节点电容充电的情况下，能够使未被选择的行的噪声变小；能够在明亮的场景中抑制垂直条的出现，能够防止漏极线路的驱动器尺寸的增加；以及能够确保高速操作还提供了和一种使用所述固态成像装置作为成像装置的照相机系统。MOS类型固态成像装置包括以矩阵排列的单元像素(10)，并且每个单元像素具有：光电二极管(11)；传送晶体管(12)，用于将所述光电二极管(11)的信号传送到浮动节点(N11)；放大器晶体管(13)，用于将所述浮动节点(N11)的信号输出到垂直信号线(22)；以及复位晶体管(14)，用于复位所述浮动节点(N11)。所述复位晶体管(14)具有由以下三个值控制的栅极电压：电源电位(例如3伏)、地电位(0V)、以及负电源电位(例如－1V)的三个值来控制所述复位晶体管14的栅极电压。
固态成像装置以及照相机系统

[发明专利]一种固态上转换荧光探针及其制备方法与应用-CN201710429175.8有效
发明人：徐赛;陈宝玖;高跃峰;李香萍;张金苏 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态上转换荧光探针及其制备方法与应用。固态上转换荧光探针的制备方法包括以下步骤：a.制备蛋白石光子晶体；b.制备上转换纳米粒子；c.上转换纳米粒子功能化修饰；d.上转换纳米粒子与蛋白石光子晶体复合，制成固态上转换荧光探针。本发明还公开了上述方法制备的固态上转换荧光探针及使用该探针检测肿瘤标记物的方法。本发明利用光子晶体效应对发光的调控，增强上转换发光强度，提高检测的灵敏度，降低检测下限；本发明提供的荧光探针是基于近红外光源激发的，所以能够很好地克服背景荧光干扰；本发明提供的荧光探针是固态探针，能够避免液态荧光探针中溶液浓度及分散性等因素对检测造成的干扰
一种固态转换荧光探针及其制备方法应用