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[发明专利]成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置-CN201780070351.1有效
发明人：氏家康晴;室山雅和;坂东雅史;村田昌树;汲田英之;境川佐知子;平田晋太郎;熊谷裕也;加藤裕 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K39/32 文献下载
摘要：提供了一种成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。进一步地，提供了一种电子装置，所述电子装置包括成像器件，所述成像器件包括：上电极；下电极；光电转换层，其设置在所述上电极和所述下电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述上电极和所述下电极之间。
成像元件堆叠装置电子

[发明专利]光检测元件和光检测装置-CN202310512225.4在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。
检测元件装置

[发明专利]光电转换元件、光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体-CN202180081142.3在审
发明人：村田贤一;定荣正大;平田晋太郎;高桥新吾;大庭义行;小岛尚;汤川富之;财前义史;杉山知広;冈本正喜;増永拓也;川原雄基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
光电转换元件检测装置系统电子设备移动

[发明专利]光电转换元件和固态成像装置-CN201780072926.3有效
发明人：长谷川雄大;坂东雅史;平田晋太郎;茂木英昭;八木岩;氏家康晴;根岸佑树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置和包括成像装置的电子设备，其中，所述成像装置包括：第一电极；第二电极；光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并包括第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料，其中，所述第二有机半导体材料包括亚酞菁材料，并且其中，所述第二有机半导体材料具有范围为‑6eV至‑6.7eV的最高占据分子轨道能级。
光电转换元件固态成像装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN202310099447.8在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态摄像元件和固态摄像装置。其中，固态摄像元件可包括：下电极；上电极，其与所述下电极相对；光电转换层，其设置在所述下电极与所述上电极之间，并包括第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在所述上电极与所述光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度范围在0体积％以上且小于0.05体积％。
固态摄像元件装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN201780042242.9有效
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K65/00 文献下载
摘要：[技术方案]根据本发明的实施例的第一固态摄像元件设置有：下电极；上电极，其与下电极相对设置；光电转换层，其设置在下电极与上电极之间，并含有第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在上电极与光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度在0体积％以上且0.05体积％以下。
固态摄像元件装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180023417.8在审
发明人：定荣正大;平田晋太郎;汤川富之;铃木凉介;中野博史;林利彦;高口辽太郎;八木岩;村田贤一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：根据本技术实施方案的摄像元件包括：第一电极；第二电极；第三电极；光电转换层；和半导体层。所述第一电极和所述第二电极并排布置着。所述第三电极被布置成与所述第一电极及所述第二电极相对。所述光电转换层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述第三电极之间。所述半导体层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述光电转换层之间。所述半导体层具有从所述光电转换层侧起依次层叠着的第一层和第二层。所述第二层的在导带最下端处的能级比所述第一层的在导带最下端处的能级浅。
摄像元件装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180012673.7在审
发明人：中野博史;平田晋太郎;室山雅和;山崎雄介;森胁俊贵;饭野阳一郎;栗岛一徳;村上洋介 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的摄像元件包括：平行布置的第一电极和第二电极；第三电极，与第一电极和第二电极相对布置；光电转换层，包含有机材料，设置在第一电极、第二电极二者与第三电极之间；和半导体层，包括第一层和第二层，第一层和第二层从第一电极侧和第二电极侧起依次层叠在第一电极、第二电极二者与光电转换层之间。第一层的C5s的值大于第二层的C5s的值，C5s的值表示5s轨道对导带底部的贡献率。第二层的EVO或EVN的值大于第一层的EVO或EVN的值，EVO表示氧缺陷生成能量，EVN表示氮缺陷生成能量。
摄像元件装置

[发明专利]固态成像器件和电子装置-CN202080075661.4在审
发明人：兼田有希央;富樫秀晃;古闲史彦;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎;河合信宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
固态成像器件电子装置

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的制造方法-CN202080071698.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
固态成像装置制造方法

[发明专利]层叠型摄像装置和摄像模块-CN202111476157.8在审
发明人：氏家康晴;村田昌树;熊谷裕也;茂木英昭;平田晋太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及层叠型摄像装置和摄像模块。层叠型摄像装置包括：布置在基板上方的第一图像传感器，所述第一图像传感器对第一颜色有灵敏度，并且至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层和载流子阻挡层；以及布置在所述基板中的第二图像传感器，所述第二图像传感器对与所述第一颜色不同的第二颜色有灵敏度。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
层叠摄像装置模块

[发明专利]光电转换元件、成像元件、多层成像元件以及成像装置-CN201680035454.X有效
发明人：村田昌树;氏家康晴;平田晋太郎;熊谷裕也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一种图像拾取元件或光电转换元件中，至少一个阳极21、载流子阻挡层22、有机光电转换层23和阴极25按顺序层叠，且载流子阻挡层22包括具有以下结构式(1)的材料和构成有机光电转换层23的有机半导体材料的一部分。
光电转换元件成像多层以及装置

[发明专利]光电转换元件、光检测器、光检测系统、电子设备和移动体-CN202080035134.0在审
发明人：富樫秀晃;山口哲司;河合信宏;关口浩司;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎;长谷川雄大;永岛义人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
光电转换元件检测器检测系统电子设备移动

[发明专利]图像传感器、层叠型摄像装置和摄像模块-CN201680023181.7有效
发明人：氏家康晴;村田昌树;熊谷裕也;茂木英昭;平田晋太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器，其至少包括第一电极、第二电极、有机光电转换层以及载流子阻挡层。所述载流子阻挡层由具有结构式(1)的材料形成，并且厚度为5×10‑9m～1.5×10‑7m。所述结构式(1)如下：
图像传感器层叠摄像装置模块

[发明专利]光检测器件及其驱动方法以及电子装置-CN202110747459.8在审
发明人：富樫秀晃;古闲史彦;山口哲司;平田晋太郎;渡部泰一郎;安藤良洋 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了光检测器件及其驱动方法以及电子装置。光检测器件包括：布置在基板中的第一光电转换区域；和布置在基板上方且位于基板的光入射侧的光电转换单元，光电转换单元包括：第一电极；层叠层结构，包括第一电极上方的多个层，其中，层叠层结构的第一层是氧化物半导体层，并且层叠层结构的第二层是光电转换层；位于层叠层结构上方的第二电极；第三电极，与第一电极被布置在相同的层；以及绝缘材料，位于第三电极与层叠层结构之间，其中，绝缘材料的一部分位于第一电极与第三电极之间，其中，层叠层结构的第二层布置在层叠层结构的第一层与第二电极之间，并且其中，在平面图中，第一光电转换区域的至少一部分与光电转换单元重叠。
检测器件及其驱动方法以及电子装置

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