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[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN201210529769.3有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN200880128225.8有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[实用新型]一种模拟功率器件击穿电压的电路模型-CN202222911187.3有效
发明人：方镇东;诸舜杰;钟添宾 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种模拟功率器件击穿电压的电路模型，包括：三端受控器件，第一电压源，第二电压源，双端分压器件和电流源；所述三端受控器件用于模拟目标器件的击穿电流随工作电压变化的特性；第一电压源用于模拟目标器件的击穿电压数值；第二电压源用于采集流过目标器件的实际电流值；双端分压器件用于辅助模拟目标器件击穿电流随工作电压变化的特性，电流源用于模拟目标器件的击穿电压随温度变化的特性，通过本申请实施例能够准确发现器件在应用中出现过压的设计缺陷问题
一种模拟功率器件击穿电压电路模型

[发明专利]一种电压传输电路及相关电路结构-CN201810695495.2有效
发明人：郑世程;付丽银;刘飞;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件；防击穿保护器件的输入端接入输入电压，防击穿保护器件的输出端连接主传输MOS管的第一端，主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及主传输MOS管的第二端外接负载，其中，防击穿保护器件用于将输入电压钳位预设电压后输出至主传输MOS管的第一端，预设电压小于输入电压。在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命
一种电压传输电路相关结构

[发明专利]器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质-CN202210944521.7有效
发明人：赵东艳;付振;梁英宗;王于波;陈燕宁;张东嵘;成睿琦;王凯;杨剑;杜艳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心（计量中心）;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质，所述器件击穿电压确定方法包括：获取器件在不同条件下的多条击穿电压特性曲线；获取所述多条击穿电压特性曲线对应的时间序列数据Y；基于普雷斯科特HP滤波法对所述时间序列数据Y进行滤波，得到所述时间序列数据Y中的周期项C；基于匹配算法确定所述周期项C的特征点；基于所述特征点确定所述器件击穿电压的置信区间。采用本公开实施例的技术方案，能够解决现有技术中人工提取击穿电压参数时效率低、误差大的技术问题，实现了器件击穿电压的自动提取，提取效率高、精度高。
器件击穿电压确定方法装置芯片电子设备介质

[发明专利]沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置-CN201110029707.1有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置，所述方法包括：确定本批次沟槽式MOS器件的软击穿点和硬击穿点的栅极电压和/或栅极漏电流；对本批次待监控的沟槽式MOS器件的栅极施加检测电压并检测其栅极漏电流，所述检测电压的电压值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极电压之间，或对各沟槽式MOS器件的栅极施加检测电流并检测其栅极电压，所述检测电流的电流值介于所述软击穿点和硬击穿点的栅极漏电流之间。本发明能够改善工艺监控效果，准确的检测出器件的工艺漂移问题。
沟槽 mos 器件工艺监控方法装置

[发明专利]确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质-CN202011455709.2有效
发明人：赵东艳;王于波;邵瑾;陈燕宁;张海峰;张鹏;刘芳;杨红;陈睿;王文武;都安彦;李恋恋 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。
确定器件故障测试方法装置存储介质

[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法-CN201510033372.9有效
发明人：段文婷;刘冬华;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，将N阱104移向沟道侧，使鸟嘴位于N阱上，保证器件有较高的开态击穿电压，并在N阱下方加打一道P型注入区，使漂移区的耗尽区面积增加，关态击穿电压升高，从而能在保证器件的开态击穿电压的同时，保证器件有足够高的关态击穿电压。P型注入区长度可调节，关态击穿电压随P型注入区长度增加而增加。本发明还公开了该种隔离型NLDMOS器件的制造方法。
隔离 nldmos 器件及其制造方法

[发明专利]OTP单元和存储器-CN202011401609.1在审
发明人：何世坤;周伟华;熊保玉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C17/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种OTP单元和存储器，该OTP单元包括硬击穿组件、数据读取单元和开关单元，其中，硬击穿组件包括至少两个硬击穿器件，硬击穿组件在短路状态时的输出电压与硬击穿组件在非短路状态时的输出电压不同，短路状态为所有的硬击穿器件均短路的状态，非短路状态为除短路状态外的其他状态，硬击穿器件为具有硬击穿特性的器件；数据读取单元与硬击穿组件电连接，数据读取单元用于将硬击穿组件的输出电压转换为数字信号并输出；开关单元包括至少两个开关器件，开关单元与硬击穿组件和数据读取单元分别电连接，开关器件的数量与硬击穿器件的数量相同且一一对应电连接。
otp 单元存储器

[发明专利]一种具有雪崩耐量的GaN器件及制作方法-CN202211047053.X有效
发明人：李茂林;施雯;银发友 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及GaN器件领域。提供了一种具有雪崩耐量的GaN器件及制作方法，通过在漏极的外侧形成一个P‑GaN帽层，从而在GaN器件内部集成一个p‑i‑n结，当器件关断，感性负载使漏极电压升高，漏‑源极上的高压超过p‑i‑n结的击穿电压时，p‑i‑n结就会在主器件被击穿前，优先发生雪崩击穿，继而快速泄放高压能量。漏极上的高压能量通过雪崩击穿泄放后，漏极电压降低，重新回到正常的关态电压。高压能量在主器件被击穿前就在p‑i‑n结回路泄放完毕，避免了主器件发生不可恢复的硬击穿所导致的主器件损坏。并且由于p‑i‑n结的雪崩击穿是可恢复的且非破坏性的，所以p‑i‑n结对主器件的保护作用是可重复的。p‑i‑n结可优先发生雪崩击穿，也避免了GaN器件提供更高的电压裕量，降低了生产成本。
一种具有雪崩 gan 器件制作方法

[发明专利]近自然击穿器件-CN200780029171.5有效
发明人：盖伊·西尔弗;吴俊龙 -专利权人：盖伊·西尔弗;吴俊龙
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：近自然击穿器件，包括半导体区，其中该半导体区是强制或非强制近自然击穿区，其在横过器件施加大小小于或等于非自然击穿(例如齐纳击穿和雪崩击穿)的击穿电压的预定电压时完全耗尽。
自然击穿器件

[发明专利]子模块被动击穿保护器件的保护电压计算方法-CN202010586094.0在审
发明人：赵建宁;任成林;胡雨龙;周竞宇;朱铭炼;谢晔源;欧阳有鹏;段军;彭玉培;甘运良;付诗禧;郝德娜 -专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司;南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种子模块被动击穿保护器件的保护电压计算方法，当子模块旁路开关拒动时，换流器需通过并联在子模块交流端口的被动击穿保护器件过压实现击穿，形成短路通流状态，实现模块化多电平换流器不停运。本发明联合子模块运行工况下的最高电压值、子模块功率器件击穿电压之和子模块旁路开关合闸期间内桥臂峰值电流充电电压增量，得到子模块被动击穿保护器件的保护电压范围计算方法，指导子模块被动击穿保护器件的保护电压取值
模块被动击穿保护器件电压计算方法

[发明专利]用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI-CN201310173217.8有效
发明人：林隆世;杨富雄;黄坤铭;林明毅;褚伯韬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件下方的部分，从而导致功率器件的击穿电压改进以及功率器件在反向偏置条件下的均匀静电势，其中确定击穿电压。也公开了其他方法和结构。公开了用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI。
用于击穿电压改进功率器件部分 soi

[发明专利]检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置-CN201010154824.6有效
发明人：简维廷;赵永;韩坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置，其中，所述方法包括：基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程，确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系；利用斜坡电压测试，测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn；利用韦伯分布对所述斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn进行拟合；基于所述拟合结果，确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压；利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系，将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。本发明可以快速的进行半导体器件介质层可靠性评估。
检测半导体器件介质可靠性方法装置

[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管-CN201910723648.4在审
发明人：吴昊;张梓豪;陈欣璐;黄兴 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有低正向导通电压、高反向击穿电压的SiC结势垒肖特基二极管。在传统JBS器件中的漂移区中增加有源区注入，能够有效分散反向击穿时的电场分布，增加反向耐压，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，使器件达到更高的击穿电压。
碳化硅结势垒肖特基二极管结势垒肖特基二极管反向击穿电压正向导通电压正向导通特性电场分布反向击穿反向耐压击穿电压有效分散漂移区源区

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