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[发明专利]一种列管式磺化尾气的连续化处理系统及其处理方法-CN202310929318.7在审
发明人：焦提留;邵瑾;陈伟鑫;娄君明;章勇锋 -专利权人：中轻化工绍兴有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种列管式磺化尾气的连续化处理系统及其处理方法，属于化工领域，本发明处理的过程是：列管式磺化尾气先进入旋风分离器分离尾气中的醇醚硫酸酯酸雾，分离出的酸雾进入产品生产的中和工序，分离后的尾气进入静电除雾器除去残余酸雾，最后尾气进入碱洗系统除去尾气中的酸雾、SO2和SO3后达到排放标准外排，碱洗系统产生的碱洗液进入生物降解系统除去碱洗液中的有机物，使碱洗液达到排放标准后排放。本发明的系统具有处理效果好、尾气中污染物残留少、处理条件温和、处理成本低等优势，处理过程中产生的酸雾得到了有效回用，环保节能；本方法可用于3.8吨/时以上列管式连续磺化的尾气处理，工业效率高且市场价值大。
一种列管磺化尾气连续处理系统及其方法

[发明专利]IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路-CN202310560064.6在审
发明人：邵亚利;解尧明;沈美根;刘芳;付振;赵扬;李东镁;梁英宗;邵瑾;孟庆萌;常泽洲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
igbt 控制装置方法芯片电路

[发明专利]AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法-CN202211090728.9在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;刘芳;付振;段宝兴;李秀伟;李腾浩;钟明琛;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
algan gan 垂直型超结半超结绝缘半导体场效应制作方法

[发明专利]码流检测方法、装置和计算机设备-CN202310202290.7在审
发明人：黄世泉;王群;邵瑾;陈瑞阳 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04N19/89 文献下载
摘要：本申请涉及一种码流检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述码流检测方法包括：接收待检测码流及对应的图像参数；根据待检测码流帧图像对应的图像参数及待检测码流的像素片对应的图像参数，确定待检测码流的故障类型；当故障类型为第一预设故障类型时，对待检测码流进行错误码流处理，通过该种设置，能够有效控制故障信息传递、降低出错码流对显示装置最终显示的图像造成的影响，提升图像画面稳定性。
检测方法装置计算机设备

[发明专利]并行编解码方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310293798.2在审
发明人：朱传传;燕世林;邵瑾;纪琮 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04N19/436 文献下载
摘要：本申请涉及一种并行编解码方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取与编解码核对应的同步节点，基于待编解码帧向所述同步节点发送帧同步检测请求；获取与所述帧同步检测请求对应的帧同步结果；基于所述帧同步结果，确定所述待编解码帧的编解码方式，并基于所述编解码方式对所述待编解码帧进行编解码。采用本方法能够运用多个编解码核并行编解码同一路视频的不同帧，从而提高帧率。
并行解码方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法-CN202310203775.8在审
发明人：陈燕宁;邵瑾;付振;胡忠强;王帅鹏;钟明琛;杜剑;李阳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安交通大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法，属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置；三个磁敏感单元包括基于霍尔(Hall)效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻(AMR)效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术，可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点，为AMR/Hall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
结构三维磁场传感器及其制备方法

[发明专利]视频编码方法、视频编码系统及视频编码器-CN202310215594.7在审
发明人：朱传传;邵瑾 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H04N19/503 文献下载
摘要：本发明公开了一种视频编码方法、视频编码系统及视频编码器，该视频编码方法包括使用设置于视频编码器中的两个运动估计模块对视频码流中的P帧进行双前向帧间预测；使用设置于视频编码器中的两个运动估计模块对视频码流中的B帧分别进行前向帧间预测、后向帧间预测和双向帧间预测。该视频编码系统包括第一帧间预测控制模块和第二帧间预测控制模块。该视频编码器包括硬件驱动、硬件编码器、内存和视频编码系统。本发明的技术方案能够复用相同的运动估计模块，充分利用硬件资源来提高编码效率，且能够适用于所有视频编码标准。
视频编码方法系统编码器

[发明专利]运动估计方法、装置、计算机设备和硬件编码器-CN202310200462.7在审
发明人：朱传传;梅奥;朱聪;邵瑾;王伟 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H04N19/533 文献下载
摘要：本申请涉及一种运动估计方法、装置、计算机设备和硬件编码器。在待编码帧对应的参考帧中确定两个搜索中心点；以整数像素为单位确定第一边长，根据两个搜索中心点和第一边长确定第一搜索区域，根据第一搜索区域中的每一个整数像素确定与待编码块对应的多个第一匹配块；绝对误差和最小的两个第一匹配块的左上顶点像素作为两个新的搜索中心点；以1/4像素为单位确定第二边长，根据两个新的搜索中心点和第二边长确定第二搜索区域，根据第二搜索区域中的每一个分数像素确定与待编码块对应的多个第二匹配块；第一匹配块和第二匹配块中取绝对误差和最小的目标匹配块。采用本方法能够增加分数像素运动估计搜索的匹配点的数量，从而提高了编码效率。
运动估计方法装置计算机设备硬件编码器

[发明专利]CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质-CN202211039166.5有效
发明人：赵东艳;梁英宗;陈燕宁;邵瑾;张东嵘;鹿祥宾;付振;刘芳 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
cmos 器件寿命预测方法装置电子设备介质

[发明专利]一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202211100004.8在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;付振;段宝兴;刘芳;张鹏;胡毅;吴峰霞;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。
一种 algan gan 垂直电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]数据编码处理方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310159482.4在审
发明人：朱传传;梅奥;邵瑾 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04N19/139 文献下载
摘要：本申请涉及一种数据编码处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：确定待编码块的目标预测单元，确定与各目标预测单元分别对应的初始运动矢量；初始运动矢量为待编码块的相邻块的运动矢量；基于各个初始运动矢量的分布位置的优先级顺序，对各目标预测单元的各初始运动矢量进行筛选，得到各目标预测单元分别对应的中间运动矢量；对各目标预测单元的中间运动矢量进行去重处理，得到待编码块的编码运动矢量；计算各编码运动矢量的预测编码代价值，并根据预测编码代价值，从各目标预测单元中确定出优选预测单元；基于优选预测单元对所述待编码块进行编码处理。采用本方法能够提高编码效率。
数据编码处理方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]像素补偿数据编码方法、解码方法、装置和计算机设备-CN202310079590.0在审
发明人：梅奧;朱传传;邵瑾 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04N19/182 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素补偿数据编码方法、像素补偿数据解码方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：针对多个灰阶中的任一灰阶，获取所针对的灰阶的原始像素补偿数据；对所述原始像素补偿数据进行预测，获得在所针对的灰阶上，所述原始像素补偿数据对应的多个初始残差块；对所述多个初始残差块分别进行分割处理，得到多个残差变换块；若基于所述多个残差变换块确定满足预设冗余条件，则基于所述多个残差变换块进行三维离散余弦变换，获得对应的压缩结果；对所述压缩结果进行编码处理，得到编码结果。采用本方法能够改善压缩效果。
像素补偿数据编码方法解码装置计算机设备

[发明专利]一种硅控整流器、芯片及电路-CN202111622482.0有效
发明人：赵东艳;陈燕宁;王于波;邵瑾;付振;王文赫;甄岩;李腾浩;董广智;李嘉睿;王树龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
一种整流器芯片电路

[发明专利]导热绝缘复合材料及其制备方法-CN202011349297.4有效
发明人：赵东艳;王于波;邵瑾;李秀伟;甄岩;于秋生;彭业凌;黄海潮;赵扬;董广智;王文赫;朱艳吉;申小松;汪怀远 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;天津大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
导热绝缘复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法-CN202211209170.1在审
发明人：赵东艳;潘成;王于波;邵瑾;付振;陈燕宁;潘彪;张鹏;庞振江;王文赫 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;北京航空航天大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、存算芯片、集成电路产品及操作方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：N个MTJ单元，任一MTJ单元包括至少两个MTJ；控制单元，用于对所述N个MTJ单元执行写入操作和读取操作；所述控制单元用于选通地控制所述写入操作的电流，将被运算比特序列写入至M个MTJ单元中的MTJ，M为运算比特序列的比特数；所述控制单元用于基于所述运算比特序列，选通地控制运算操作的电流，注入所述M个MTJ单元中的MTJ，以及用于控制流出所述M个MTJ单元的电流，注入或流出电流的控制持续时间为锁定值与单位时间的乘积值；所述控制单元用于基于所述M个MTJ单元的流出电流的读出值，确定运算结果。本发明可用于提供具有运算能力的磁存储器和芯片。
半导体器件芯片集成电路产品操作方法

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