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[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]一种钙钛矿-硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法-CN202010797706.0有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法，涉及叠层太阳能电池技术领域，以使硅异质结底电池pn结与介孔型无机空穴传输层共存。该钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池的制作方法包括：提供硅异质结底电池；在硅异质结底电池上形成隧穿复合层；加热硅异质结底电池，同时利用喷涂工艺将无机空穴传输纳米颗粒悬浮液喷涂在隧穿复合层上，溶剂挥发，形成介孔型无机空穴传输层；在介孔型无机空穴传输层上形成钙钛矿光吸收层、电子传输层和透明导电层。本发明提供的制作方法用于制作叠层太阳能电池。
一种钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法

[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统-CN202010762388.4在审
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统，其中，钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低，在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层，可减少硅异质结的使用，降低硅片衬底的浪费，充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势，同时双面叠层，也可以充分利用了太阳光
钙钛矿硅异质结双面太阳能电池及其制备方法太阳能系统

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本发明的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本实用新型的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010903144.3在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种太阳能异质结电池-CN201721807103.4有效
发明人：董刚强;陆海川;郁操 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池包括叠层ITO，所述叠层ITO设置在所述太阳能异质结电池的两面，并且包括第一不掺水ITO层、掺水ITO透明导电层和第二不掺水ITO层。本申请提供的太阳能异质结电池的光学性能优良，且电池中的各层接触良好，电池导通顺畅。
异质结电池太阳能掺水叠层电池光学性能导通申请

[发明专利]一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池-CN201611167903.4在审
发明人：王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。本发明通过将硅纳米线阵列引入叠层电池，使电池兼具纳米线阵列的陷光优势和叠层电池的较高的开路电压和短路电流。
一种基于纳米薄膜晶体硅叠层太阳能电池

[实用新型]一种太阳能异质结电池-CN201721805314.4有效
发明人：董刚强 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池包括第一叠层ITO和第二叠层ITO，所述第一叠层ITO和所述第二叠层ITO分别设置在所述太阳能异质结电池的两面，所述第一叠层ITO包括第一不掺水ITO层、第一掺水ITO透明导电层和第三不掺水ITO层，所述第二叠层ITO包括第二不掺水ITO层、第二掺水ITO透明导电层和第四不掺水ITO层。本申请提供的太阳能异质结电池有效解决了掺水ITO透明导电层与掺杂非晶硅和丝网印刷银栅极接触不良的问题，从而能够展现出优异的光电性能。
掺水叠层异质结电池太阳能掺杂非晶硅光电性能接触不良丝网印刷有效解决银栅极申请

[实用新型]硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜-CN201922326551.8有效
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。
硅异质结太阳电池透明导电氧化物薄膜

[发明专利]一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池-CN201711345397.8在审
发明人：周欢萍;邱智文;徐梓淇;周宁;李能旭;陈怡华;赵冠超;李厉伟;孟原;郭铁 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池的制作方法。叠层太阳能电池与单结太阳能相比，可以更好利用太阳光谱中短波的光子，取得更高效率。所述的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池包括宽带隙的顶部钙钛矿太阳能电池和窄带隙的硅电池，自上而下依次包括减反层、透明顶电极、保护层、钙钛矿吸收层、电子传输层、中间层、Si异质结电池、金属电极。本发明采用在低温下制备了隧道结和钙钛矿吸收层。通过简单的、低成本的溶液法制备的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池效率最终能达到22.22％，处于国内领先水平。
钙钛矿叠层太阳能电池硅异质结电极吸收层电子传输层溶液法制备太阳能电池异质结电池金属电极太阳光谱保护层低成本顶电极高效率硅电池减反层宽带隙隧道结窄带隙中间层光子单结制备太阳能透明制作

[发明专利]一种太阳能异质结电池及其制备方法-CN201711397698.5在审
发明人：董刚强;陆海川;郁操 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一叠层ITO、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层掺杂层、第二叠层ITO和第二电极，其中，所述第一叠层ITO包括第一掺水ITO透明导电层，所述第二叠层ITO包括第二掺水ITO透明导电层。本申请还提供了一种太阳能异质结电池的制备方法。本申请提供的太阳能异质结电池的光学性能优良，且电池中的各层接触良好，电池导通顺畅。
异质结电池太阳能叠层本征非晶硅掺杂层钝化层掺水制备电池从上至下单晶硅片第二电极第一电极非晶硅层光学性能非晶硅导通申请

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202021878779.4有效
发明人：张美荣;姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层该异质结太阳能电池可以降低掺杂层对光的寄生吸收，提升异质结太阳能电池性能。
异质结太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法-CN201711453544.3有效
发明人：张晓丹;朱世杰;黄伟;侯福华;石标;李跃龙;魏长春;丁毅;任慧志;黄茜;侯国付;陈新亮;王广才;许盛之;徐文涛;赵颖 -专利权人：南开大学;天合光能股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面，利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极，再使用平均透过率在89％以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装，最大程度地保证了密封性，使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
叠层太阳电池硅异质结钙钛矿封装聚对苯二甲酸乙二醇酯最大程度地超薄玻璃透明AB胶透明电极金电极密封性透过率掩膜板再使用正表面制备保证

[发明专利]一种薄膜/异质结叠层太阳电池及其制造方法-CN201310137759.X无效
发明人：张群芳 -专利权人：常州合特光电有限公司
申请日： 2013-04-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜\异质结叠层太阳电池及其制造方法，其特征在于：它采用双结叠层电池结构，底电池为硅异质结电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片衬底作为基区，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜作为发射区；硅薄膜电池沉积在硅异质结电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层，然后在硅薄膜电池p型层上沉积透明导电薄膜，并在其上设置前电极。本发明采用薄膜\异质结的叠层电池结构，由于硅薄膜材料禁带宽度较大，硅薄膜顶电池吸收高能量的短波光，透过顶电池的光被硅异质结底电池吸收，并可调整硅异质结厚度，以获得与顶电池匹配的电流密度。
一种薄膜异质结叠层太阳电池及其制造方法

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