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[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构-CN201911195918.5有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构设置反铁磁耦合层结合单/双铁磁层的双/三亚层的强合成反铁磁层，配合反铁磁耦合层和晶格隔断层，实现强合成反铁磁层到参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
磁性随机存储器隧道结构

[发明专利]一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器-CN201910411823.6有效
发明人：黄志明;李敬波;吴敬;高艳卿;周炜;姚娘娟;江林;马建华;黄敬国 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。
一种基于反铁磁自旋轨道扭矩赫兹探测器

[实用新型]基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器-CN201920711978.7有效
发明人：黄志明;李敬波;吴敬;高艳卿;周炜;姚娘娟;江林;马建华;黄敬国 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁材料层到反铁磁材料层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。
自旋反铁磁材料层太赫兹探测器磁化反铁磁材料轨道探测调谐恒定太赫兹辐射太赫兹信号铁磁材料层锁相机制铁磁材料震荡频率专利利用自激振荡矢量反铁磁宽波段探测器共振制备微波测量响应

[发明专利]磁性隧道结以及神经元非线性响应器件-CN202010262733.8在审
发明人：曾中明;李荣鑫;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结，其包括顶电极和底电极以及隧道结，所述底电极为两端口存在自旋霍尔角的重金属层，所述隧道结包括依次设置在底电极上的磁性自由层、绝缘势垒层、磁性钉扎层、反铁磁耦合间隔层、反铁磁耦合磁性层和反铁磁层；其中，所述磁性自由层、磁性钉扎层和反铁磁耦合磁性层均为面内磁矩且易轴沿着底电极的宽方向，所述磁性钉扎层与所述反铁磁耦合磁性层的磁矩方向相反，所述反铁磁层的反铁磁序的方向为所述反铁磁耦合磁性层的易轴方向
磁性隧道以及神经元非线性响应器件

[发明专利]一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法-CN202111327449.5在审
发明人：颜世申;田玉峰;柏利慧;范轶博;韩翔 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法，由下自上依次包括衬底、面内反铁磁层、面内铁磁层、非磁性层、垂直铁磁层、垂直反铁磁层；所述面内铁磁层和所述垂直铁磁层通过中间的所述非磁性层耦合在一起；面内铁磁层与垂直反铁磁层存在面内方向的交换偏置即面内交换偏置，面内反铁磁层与垂直反铁磁层存在面外方向的交换偏置即面外交换偏置。
一种磁性异质结结构调控实现逻辑存储功能方法

[发明专利]一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法-CN201510428403.0有效
发明人：吴文彬;陈斌斌;徐浩然 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法，本发明提供的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜通过将CaRu0.5Ti0.5O3作为势垒材料，将钙钛矿型过渡金属氧化物作为铁磁材料，使得制备得到的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜不仅能够很好的外延生长，且在零场下能实现铁磁层之间反平行耦合，与目前自旋阀式结构相比，无需底层反铁磁层的钉扎，即可实现两铁磁层之间平行或反平行排列，这对简化隧道结的结构有着重要意义；并且该多层膜中铁磁层的翻转对外场的改变十分敏感，可以通过磁场来灵敏地控制铁磁层之间的磁化构型，有利于其在磁性隧道结中的应用。
一种具有反铁磁层间耦合磁性多层及其制备方法

[发明专利]激光退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法-CN201210309566.3无效
发明人：周广宏;章跃;潘旋;朱雨富;丁红燕 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性的方法，它包括以下步骤：(1)利用PVD方法在衬底上沉积铁磁层和反铁磁层，得铁磁/反铁磁双层膜；(2)利用连续波激光或脉冲激光作为光源本发明方法可应用于基于铁磁/反铁磁双层膜的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等，具有方法简单、效率高的优点。
激光退火提高反铁磁双层交换偏置热稳定性方法

[发明专利]一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件-CN202211464003.1在审
发明人：张帅;应哲;陈宁;宋凤麒 -专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N52/85 文献下载
摘要：一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件，(1)由低维铁磁绝缘体覆盖反铁磁拓扑绝缘体构成异质结；异质结的构型有两种，即铁磁绝缘体完整覆盖反铁磁拓扑绝缘体和铁磁绝缘体半覆盖反铁磁拓扑绝缘体；(2)在异质结上方覆盖一层非磁性的绝缘保护层；(3)在异质结中，能观测到明显的交换偏置效应；(4)通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置的符号；(5)器件所用材料体系为范德瓦尔斯层状材料；通过改变铁磁绝缘体覆盖的范围，能调控交换偏置符号；在磁性材料居里温度和奈尔温度以下，利用低温和磁场进行磁输运测量能测量反常霍尔效应。
一种基于低维反铁磁绝缘体异质结交换偏置可调器件

[发明专利]一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法-CN202111276576.7在审
发明人：盛志高;张振宇;刘财兴 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，涉及磁存储技术领域，本发明包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为本发明的有益效果在于：现有的交换偏置难以调控偏置大小，在已知能够诱导出交换偏置的情况下，也并不能对交换偏置场的大小进行调控，本发明通过调整铁磁层和反铁磁层厚度的相对比例，从而实现并调控交换偏置大小。反铁磁层占比越高，交换偏置场越大。
一种交换偏置大小可调二维瓦尔同质结构及其制备方法

[发明专利]一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法-CN202210375650.9在审
发明人：赵国平;李林霖 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03K19/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法，逻辑门赛道的材料为合成反铁磁材料，其赛道从下到上依次布置重金属层、铁磁层、垫片、铁磁层，赛道左侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的输入端A和输入端B，赛道右侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的检测端C和检测端D。
一种基于合成反铁磁斯格明子逻辑控制方法

[实用新型]一种磁电存储器存储单元结构-CN201720957842.5有效
发明人：薛飞 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连；所述上电极层设置于铁电‑反铁磁材料层上端；所述端电极层设置于铁磁材料层两端。本实用新型通过铁磁材料层和反铁磁材料界面的偏置效应调控铁磁材料层的磁化取向，并制成多铁隧道结(MTJ)，把电极化和磁性的变化转变为高、低电阻的变化，其开关电阻比(RON/OFF
一种磁电存储器存储单元结构

[发明专利]一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置-CN202210381021.7在审
发明人：邢国忠;王紫崴;赵雪峰;王迪;刘龙;林淮;张昊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁隧道结的神经元器件及神经网络装置，其中，基于磁隧道结的神经元器件包括：合成反铁磁结构层，所述合成反铁磁结构的第一侧设置有底电极；势垒层，设置在所述合成反铁磁结构层的第二侧；铁磁自由层，设置在所述势垒层上远离所述底电极的一侧；顶电极，设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧；第一边界反铁磁钉扎层和第二边界反铁磁钉扎层，均设置在所述铁磁自由层上远离所述底电极的一侧，并且分别位于所述顶电极的两侧；本发明的基于磁隧道结的神经元器件可通过调整合成反铁磁结构层更好的控制产生杂散场的强度，实现泄露速度的调节，保证高可靠性的自泄露功能，有利于微缩和集成。
一种基于隧道神经元器件神经网络装置

[发明专利]用于磁电子器件的合成反铁磁结构-CN200380106461.7无效
发明人：加森·艾伦·加奈斯基;布莱德利·N·英格尔;尼古拉斯·D·里佐;约汉·M·斯劳格特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种近似平衡的合成反铁磁(SAF)结构，其能够优良地使用于诸如磁电阻存储单元的磁电子器件(5)中，该结构包括两个铁磁层(45，55)和分隔这两个铁磁层的一个反铁磁耦合层(65)。该SAF自由层(15)具有在该反铁磁耦合层中形成的弱耦合区域，其通过诸如退火、层叠反铁磁耦合层或在铁磁层的一个粗造化表面上形成反铁磁耦合层等处理来形成。
用于磁电器件合成反铁磁结构

[发明专利]一种磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器-CN202011586313.1有效
发明人：闵泰;周雪;郭志新;李桃 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器(STT‑MRAM)。磁多层膜结构包括：自由层，间隔层，人工反铁磁固定层，铁电层。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强，保证固定层中靠近间隔层的磁性层不进行翻转，实现数据的稳定写入。
一种多层膜结构自旋转移随机存储器

[发明专利]一种抑制电磁噪声的薄膜材料-CN200910060817.7无效
发明人：马强;江建军;别少伟;张传坤;田斌;陈谦;王鹏;吴杨 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：本发明在基片上沉积有缓冲层，基片为化学性能稳定且表面平整的材料，在缓冲层上先沉积有铁磁层或反铁磁层，然后交替沉积有反铁磁层和铁磁层，最表面的铁磁层或反铁磁层上沉积有保护层。本发明重复性好，调控方便，在铁磁体系中引入反铁磁层，通过调整铁磁层的厚度可以有效调控多层膜材料的磁导率频谱和软磁性能，并且通过多层叠加的方式，实现宽频带电磁噪声抑制。
一种抑制电磁噪声薄膜材料