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[发明专利]基于反铁磁材料的突触器件及其调控方法-CN202010065473.5在审
发明人：蔡佳林;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁材料的突触器件及其调控方法。突触器件包括：衬底；反铁磁功能层，设置于所述衬底上；突触前电极，设置于所述反铁磁功能层上，用于接入第一脉冲电流，以使反铁磁功能层的磁矩从初始方向翻转至垂直方向，以增大反铁磁功能层的电阻，其中初始方向与所述垂直方向相互垂直；突触后电极，设置于反铁磁功能层上，用于接入第二脉冲电流，以使反铁磁功能层的磁矩从所述垂直方向翻转至所述初始方向，以减小反铁磁功能层的电阻。
基于反铁磁材料突触器件及其调控方法

[发明专利]磁性隧道结单元及其制备方法、磁性隧道结器件和磁性随机存取存储器-CN202210079241.4在审
发明人：张云森;李辉辉 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁性隧道结单元及其制备方法、磁性隧道结器件和磁性随机存取存储器，所述磁性隧道结器件的磁性隧道结单元包括依次层叠设置的自由层、隧穿势垒层、参考层和合成反铁磁层，所述合成反铁磁层包括至少三层合成反铁磁亚层，相邻两个合成反铁磁亚层的磁化矢量相反，并且相邻两个合成反铁磁亚层通过钌反铁磁耦合层耦合在一起，所述钌反铁磁耦合层的厚度为0.75nm‑0.89nm，对应RKKY第二震荡峰。本申请的磁性隧道结单元或器件不但可以解决磁性随机存取存储器在写过程中的回跳问题，还可以避免参考层和合成反铁磁层产生的漏磁场对自由层的影响。
磁性隧道单元及其制备方法器件随机存取存储器

[发明专利]一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法-CN202211390203.7在审
发明人：黄琳;宋成;周永健;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺
一种基于反铁磁垂直结构赫兹发射器件及其制备方法

[发明专利]具有补偿元件的STRAM-CN200980147066.0有效
发明人： Y·郑;D·季米特洛夫;D·王;田伟;王小斌;X·娄 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：自旋转移矩存储单元包括合成反铁磁基准元件、合成反铁磁补偿元件、合成反铁磁基准元件和合成反铁磁补偿元件之间的自由磁性层、以及将自由磁性层和合成反铁磁基准元件分隔开的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。
具有补偿元件 stram

[发明专利]一种无源低功耗的微波检测方法-CN202010220940.7在审
发明人：张敏昊;宋凤麒;曹路;张同庆 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：一种无源低功耗的微波检测方法，检测用反铁磁拓扑绝缘体层包括反铁磁拓扑绝缘体层、设置在本征的反铁磁拓扑绝缘体层上的一对分离的电极层；所述反铁磁拓扑绝缘体层为反铁磁材料的薄膜、纳米片或纳米线；所述反铁磁拓扑绝缘体层为拓扑绝缘体材料的薄膜、纳米片或纳米线；结合其反铁磁原子层+拓扑表面态两者特性，在微波能量下，反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流，拓扑表面态具有将自旋流在表面上自发产生定向的电荷流；通过电极检测表面态中的这一定向的电荷流由于多层反铁磁拓扑绝缘体层，微波检测灵敏度可成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性，降低了微波检测功耗。
一种无源功耗微波检测方法

[发明专利]一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用-CN202210502344.7有效
发明人：张昆;陈磊;李博;张悦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用，所述梯度合成反铁磁包括：衬底、第一梯度层、反铁磁耦合层、第二梯度层；所述反铁磁耦合层位于所述第一梯度层与所述第二梯度层之间；通过所述反铁磁耦合层对所述第一梯度层与所述第二梯度层反铁磁耦合自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁的热稳定性有极大提高，且翻转电流密度相比传统磁隧道结显著降低，能够实现超高密度、超低功耗信息存储。
一种自旋轨道驱动梯度合成反铁磁及其存储器应用

[发明专利]磁性随机存储器-CN202011059916.6有效
发明人：赵巍胜;朱道乾;郭宗夏;曹凯华;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器，所述磁性随机存储器包括：反铁磁层；磁隧道结，设于所述反铁磁层上，包括与所述反铁磁层对应设置的铁磁层；其中，所述磁隧道结的铁磁层具备面内磁各向异性，所述反铁磁层与所述铁磁层间通过退火工艺形成交换偏置场所述交换偏置场的方向通过自旋轨道矩改变，从而改变所述铁磁层磁矩的方向，实现数据写入。本发明可提高i‑MTJ的热稳定性，减小i‑MTJ的横向尺寸，从而提高磁存储器的存储密度。
磁性随机存储器

[发明专利]一种磁性结构和自旋转移矩-磁随机存储器及其写入方法-CN202011586913.8在审
发明人：闵泰;周雪;郭志新;李桃 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁自由层的磁性结构及自旋转移矩‑磁随机存储器(STT‑MRAM)，涉及磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用领域。磁性结构包括：一个能产生稳定极化电场和电荷转移效应的铁电层和一个电场调控的基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结。其中人工反铁磁自由层可在铁电极化电场辅助调控下实现反铁磁耦合与铁磁耦合的转变，降低了写入电流密度，节约能耗。
一种磁性结构自旋转移随机存储器及其写入方法

[发明专利]具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法-CN200610056824.6无效
发明人：倪经;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法，该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺，制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层，或者在缓冲层设置反铁磁层再设置铁磁层和一保护层。该钉扎体系引入L1₀有序相反铁磁(Cr_1－xMn_x)_0.5+δPt_0.5－δ(0.3≤x≤0.6该材料相对于已有的反铁磁材料(比如FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等)制成的铁磁/反铁磁体系，具有非常好的热稳定性，大的交换偏置场以及优越的抗腐蚀性，加之成分范围广，是另一种非常理想的反铁磁钉扎材料
具有反铁磁多层材料及其制备方法

[发明专利]人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器-CN202110381200.6在审
发明人：魏晋武;于国强;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
人工反铁磁多层膜结构包括随机存储器

[发明专利]基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置-CN201810738861.8有效
发明人：闵泰;周雪;张林;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置，装置涉及到一种可以作为自由磁性层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置作为自由磁性层可以通过电场调控，实现反铁磁态到铁磁态的转变，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的自由磁性层，其靠近磁性隧道结势垒层的铁磁层在电场与电流的共同作用下进行翻转，从而实现数据的写入所述基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
基于人工反铁磁自由隧道器件磁性随机存储装置

[发明专利]一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器-CN202011291706.X在审
发明人：贾兴涛;王海伦;王世卓;王蕾;余伟阳;蔡小琳 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器，以及使用自旋轨道矩进行数据擦写的自旋轨道矩‑反铁磁磁性随机存储器，其包含磁性固定层，缓冲层，绝缘层，重金属缓冲层，反铁磁自由层和非磁性重金属层，其中反铁磁自由层可以通过在非磁性重金属层和重金属缓冲层中施加两个独立的横向电流来调控其反铁磁序。所述装置的特点是在重金属缓冲层中施加的电流固定不变，仅需改变施加在非磁性重金属层上的电流就可以实现上述磁结构的磁性固定层的磁序和反铁磁自由层的反铁磁序在两个不同夹角之间的相互转变。
一种反铁磁结构基于随机存储器

[发明专利]一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜-CN201910718854.6在审
发明人：康洁;翁凯伦;王志强;窦爱玉;胡先意 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了
反铁磁结构自旋阀薄膜合成反铁磁钉扎层非磁性隔离层两层复合自由层交换偏置场磁电阻率三层结构层厚度覆盖层厚度比缓冲层电子学衬底薄膜优化

[发明专利]磁存储器-CN202010057668.5在审
发明人：赵巍胜;熊丹荣;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。
磁存储器

[实用新型]一种磁电储存器存储单元的装配结构-CN202221776685.5有效
发明人：王晨宇;李瑞昭;徐兴亮 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁电储存器存储单元的装配结构，从上至下包括第一铁磁层(1)、绝缘层(2)、第二铁磁层(3)、铁电‑反铁磁层(4)、底电极层(5)和衬底层(6)，铁电‑反铁磁层(4)与底电极层(5)均为十字结构，铁电‑反铁磁层(4)的十字臂与底电极层(5)的十字臂相紧贴；所述的铁电‑反铁磁层(4)的十字臂上设有扣合主板(7)，扣合主板(7)的两侧设有固定支脚(8)。本实用新型能够将铁电‑反铁磁层和底电极层快速且牢固地组装在一起，提高了安装和拆卸的快捷性。
一种磁电储存器存储单元装配结构