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[发明专利]液晶盒减薄方法以及液晶盒减薄设备-CN200910129575.2有效
发明人：毛联波;简廷宪;邱郁雯;钟德镇;向贤明;张少楠 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种液晶盒减薄方法及液晶盒减薄设备。所述液晶盒减薄方法包括：提供包括第一基板和第二基板的液晶盒；分别获取第一基板的减薄厚度和第二基板的减薄厚度；对液晶盒进行减薄，其中根据第一基板的减薄厚度和第二基板的减薄厚度分别控制第一基板的减薄条件和第二基板的减薄条件所述液晶盒减薄方法精确的控制第一基板和第二基板的减薄厚度，达到精确减薄之目的。
液晶盒减薄方法以及设备

[发明专利]芯片厚度减薄的方法-CN201510046630.7有效
发明人：时新越;李彦庆;叶武阳;张海宇 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：芯片厚度减薄的方法，涉及微电子芯片生产制造领域，解决现有芯片减薄方法存在碎片率高且不易量产的问题，采用DFG821型号的减薄机对芯片进行减薄，所述减薄机的Z2单元使用2000目磨轮，将芯片减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H‑60μm，第二刀切割后芯片厚度为H‑90μm，然后对第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；对减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；本发明方法同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可通过粘贴衬片方式腐蚀实现。
芯片厚度方法

[发明专利]一种轧制力模式平整机厚度减薄值的确定方法及装置-CN202211026918.4在审
发明人：杨业;王秋娜;董立杰;许克好;王凤美;刘志;李旭东;蒋自武 -专利权人：首钢股份公司迁安钢铁公司;北京首钢股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B21B37/16 文献下载
摘要：本发明涉及轧钢生成技术领域，尤其涉及一种轧制力模式平整机厚度减薄值的确定方法，该方法包括：在带钢形成酸洗板的过程中，获取带钢通过热轧机组后的实际厚度、所述带钢通过酸洗工序后的成品厚度、所述带钢在所述酸洗工序中的目标酸洗厚度减薄值和所述带钢在拉矫机组中的拉矫厚度减薄值；根据所述实际厚度、所述拉矫厚度减薄值、所述目标酸洗厚度减薄值和所述成品厚度，得到所述带钢在平整机组中的平整厚度减薄值。该方法高效确定出酸洗板在轧制力模式平整工序中的厚度减薄值，提高酸洗板在平整工序中的厚度减薄值的精度，使酸洗板达到高精度厚度质量控制水平，满足高端酸洗板的应用要求。
一种轧制模式平整厚度减薄值确定方法装置

[发明专利]一种大尺寸晶圆片减薄工艺-CN202110015809.1有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄工艺，包括：执行对晶圆片的厚度进行单面减薄；减薄时，用于减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放接触，以设定减薄后厚度目标值分阶段地对晶圆片逐层进行减薄，并实时采用测厚针与晶圆片表面连续接触以监测晶圆片减薄后的厚度值；当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2‑5μm时，测厚针远离晶圆片直至减薄结束；同时，在设定转速情况下磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈，再向远离晶圆片一侧移动一定距离，停止旋转；再在同一设定转速条件下，以进给速度二向靠近晶圆片一侧的方向移动，并以进给速度二对晶圆片厚度进行减薄，直至减薄结束。本发明晶圆片平坦度在1μm内，破片率降低0.009％，单面减薄时间提高17％。
一种尺寸晶圆片减薄工艺

[发明专利]IGBT晶圆的减薄方法-CN202010618537.X有效
发明人：郁新举;叶斐;朱伟杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT晶圆的减薄方法，包括：在集成有IGBT器件的晶圆的正面贴附第一薄膜；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第一目标厚度；去除第一薄膜，在晶圆的正面贴附第二薄膜；对第二薄膜进行减薄；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第二目标厚度；去除第二薄膜。本申请通过在对IGBT晶圆进行制造的过程中，在对晶圆的背面研磨至所需求的厚度之前，依次对晶圆的背面和贴附在晶圆正面的薄膜进行减薄，从而降低了在晶圆研磨过程中晶圆的厚度和薄膜的厚度对减薄工艺的影响，从而提高了减薄后的晶圆的厚度的一致性
igbt 方法

[发明专利]晶圆的减薄方法-CN200910197079.0有效
发明人：黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄的半导体晶圆；对所述晶圆表面进行研磨减薄，直至停止厚度；对所述晶圆表面进行喷雾腐蚀减薄，直至预定减薄厚度。本发明采取分步减薄的方式，先使用机械研磨进行初步减薄至停止厚度；再采用喷雾腐蚀进一步减薄至预定减薄厚度，使得晶圆在减薄过程中，避免因机械研磨所产生的应力损坏晶圆，减少晶圆边缘的断裂现象，并改善晶圆表面平整度
方法

[发明专利]一种半导体芯片的减薄方法-CN200810123541.8有效
发明人：章文;丁荣峥;吴刚 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片的减薄方法，具体地说是半导体芯片等器件厚度的减薄工艺，属于集成电路制造技术领域。特征是将半导体器件有图形的面朝下行列拼排；需减薄正面粘附在保护膜上，形成一个正方形或长方形；在正方形或长方形外围放置面积、厚度与半导体器件面积、厚度相当的片状物，再围成一个正方形或长方形，使减薄时中间半导体器件受力均匀；再设置减薄厚度，采用磨削法开始减薄；减薄结束后，已减薄芯片后处理；最后交出满足工艺要求芯片。本发明不需改变现有的减薄设备、工装夹具等；减薄后芯片厚度一致与圆片减薄厚度一致性相当，成品率高；芯片级尺寸减薄后芯片边缘无缺损、无裂纹。
一种半导体芯片方法

[发明专利]介质层的减薄方法-CN200910196935.0有效
发明人：罗飞;邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种介质层的减薄方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；采用化学机械抛光工艺减薄介质层的第一厚度；采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的第二厚度，所述减薄第二厚度后的介质层均一性高于所述减薄第一厚度后的介质层本发明能够进一步减薄介质层的厚度，提高利用本发明制造的CMOS图像传感器的敏感度。
介质方法

[发明专利]背光模组和显示装置-CN202011576834.9有效
发明人：黄阿海 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明公开了一种背光模组和显示装置：背光模组包括框体，框体包括相邻的功能区域和第一区域，第一区域包括至少一个减薄区域，减薄区域的厚度小于功能区域的厚度；第一区域还包括第一过渡区域，第一过渡区位于减薄区域和功能区域之间；第一过渡区与减薄区域连接的一端的厚度与减薄区域的厚度相等，第一过渡区与功能区域连接的一端的厚度与功能区域的厚度相等，且沿减薄区域指向功能区域的方向上，第一过渡区至少包括第一厚度区和第二厚度区，第二厚度区位于第一厚度区靠近功能区域的一侧，第一厚度区的厚度小于第二厚度区的厚度。本发明设置第一减薄区可以通过局部减薄，可以减少重量，降低成本。
背光模组显示装置

[发明专利]一种晶圆的减薄处理方法、装置、设备及介质-CN202310186917.4在审
发明人：陈为生 -专利权人：赛美特科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆的减薄处理方法、装置、设备及介质，其中，该方法包括：获取待处理晶圆的厚度、与待处理晶圆对应的第一目标厚度值以及第一减薄处理补偿量；根据待处理晶圆的厚度、与待处理晶圆对应的第一目标厚度值以及第一减薄处理补偿量，生成第一机台文件；控制所述减薄机器根据所述第一机台文件对待处理晶圆进行减薄处理，得到目标晶圆；对目标晶圆的厚度进行测量，并根据目标晶圆的厚度和第一目标厚度值对第一减薄处理补偿量进行更新。本申请通过实时对待处理晶圆厚度的检测和第一减薄处理补偿量的更新，达到实时对补偿量进行更新，提升晶圆减薄的精确度的效果。
一种处理方法装置设备介质

[发明专利]一种用于单芯片减薄的工装及方法-CN201910907612.1有效
发明人：冯小成;荆林晓;李峰;李洪剑;井立鹏 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
一种用于芯片工装方法

[发明专利]锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统-CN202210794462.X在审
发明人：米南阳;宁提;李忠贺;赵德晨;陈止戈;崔建维 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种锑化铟晶片正面减薄厚度的测量方法及测量系统，测量方法包括：获取减薄工艺前的锑化铟晶片的第一质量和厚度；获取减薄工艺后的锑化铟晶片的第二质量；根据第一质量、第二质量、厚度及预先确定的正面减薄速率系数计算锑化铟晶片的正面减薄厚度本发明根据减薄过程中锑化铟正面减薄速率系数不变，通过测量腐蚀掉的总质量和减薄前锑化铟材料的厚度，确定正面减薄厚度。上述方法无需高精度的价格高昂的仪器，同时无需使用光刻胶保护晶片背面，避免了减薄完成后去除光刻胶不彻底导致的污染问题，确保工艺过程中晶片表面的洁净度，测量方法成本低、方法简便，可以准确监控减薄过程中锑化铟晶片正面厚度的变化
锑化铟晶片正面薄厚测量方法测量系统

[发明专利]一种评估管道减薄速率的方法-CN201911263225.5在审
发明人：刘泽坤;刘忠;孔晨光;孙永亮;张帅;刘向兵;段德洪 -专利权人：岭澳核电有限公司;苏州热工研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种评估管道减薄速率的方法，用于对作为评估对象的管道或管段的减薄速率进行评估，评估管道减薄速率的方法为：首先将评估对象划分为若干分析单元，再分别计算各分析单元的减薄速率，最后将计算出的各分析单元的减薄速率的最大值作为评估对象的减薄速率计算分析单元的减薄速率的方法为：检测获得分析单元各处的多个厚度值，取分析单元的名义厚度和检测到的最大厚度中的较大者作为原始厚度，则分析单元的减薄速率为原始厚度和检测到的最小厚度的差值与间隔时间的比值。本发明能够较为准确地计算管道减薄速率，避免了传统计算过程中出现的较大计算误差，为管道寿命预测提供科学的依据和方法。
一种评估管道速率方法

[发明专利]一种GIS气室厚度减薄缺陷涡流检测的应力因素补偿方法-CN202310138977.9在审
发明人：李朋宇;王高洁;闫帅;曲鸿春;国伟辉;田振宁;荆林远;张奥;李强 -专利权人：国网安徽省电力有限公司亳州供电公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01N27/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种GIS气室厚度减薄缺陷涡流检测的应力因素补偿方法，通过建立GIS气室减薄缺陷的应力补偿模型，实现对受应力变化影响的GIS气室减薄缺陷的定量检测，本方案还通过构建GIS气室减薄缺陷厚度数据集、应力变化影响的x和y方向应变数据集，来训练人工神经网络模型，获得应力因素补偿模型f，并实现GIS气室厚度减薄缺陷的精确预测，使得GIS气室厚度减薄缺陷检测中可以有效抑制应力变化对检测结果的影响，提高GIS气室厚度减薄缺陷的检测精度。
一种 gis 厚度缺陷涡流检测应力因素补偿方法

[实用新型]一种拉链及密封拉链袋-CN202221805640.6有效
发明人：杨重钦 -专利权人：烟台白马包装有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B65D33/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种拉链及密封拉链袋，属于密封袋技术领域，所述拉链包括两个单链，所述单链包括密封端和开启端，所述密封端处设有厚度减薄带，所述厚度减薄带的厚度与所述密封端的厚度比值为0.15‑0.2:1。本实用新型的在单链的密封端处设置厚度减薄带，减少了厚度减薄带处的单链上下部分的刚性连接，当分芯体的两侧对厚度减薄带处产生向两侧撑开的力时，会导致厚度减薄带上方部位向两侧撑开，而厚度减薄带下方部位的受力大大减少
一种拉链密封

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