[发明专利]多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法有效

专利信息
申请号: 201810970278.X 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN110858502B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 林榆瑄;林昱佑;李峰旻;王超鸿;曾柏皓;许凯捷 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种多重状态存储器元件包括:第一存储器单元、第二存储器单元、第一控制单元以及第二控制单元。第二存储器单元具有与第一存储器单元实质相同的存储单元结构,并与第一存储器单元串接。第一控制单元与第一存储器单元串联或并联。第二控制单元,具有与第一控制单元相同的特征值以及相同连接结构,用以与第二存储器单元电性连接。当第一存储器单元经由第一控制单元接收第一信号和第二信号时,第一存储器单元分别产生第一状态值和第二状态值;其中特征值介于第一状态值第二状态值之间。
搜索关键词: 多重 状态 存储器 元件 及其 存储 调整 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810970278.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top