“半导体级硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1157636个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体级石英坩埚及其制造方法-CN201811298507.4在审
发明人：何玉鹏 -专利权人：宁夏富乐德石英材料有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C03C3/06 文献下载
摘要：一种半导体级石英坩埚及其制造方法，采用了纯度更高、杂质含量更少的高纯石英砂、高效隔离石英砂、高纯人工合成非晶体态石英砂，通过原料准备、装料、料成型准备、料成型、熔制准备、熔制、后处理步骤，在石英坩埚本体表面生成了第一保护层，在第一保护层表面生成了第二保护层、第三保护层，制得了一种半导体级石英坩埚；一种半导体级石英坩埚，包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层，第一保护层相对现有技术的微气泡层更厚，第二保护层降低了微气泡引起的硅液面抖动，第三保护层实现半导体级硅棒在拉晶过程中不析晶，实现石英坩埚生产半导体级硅棒，明显降低了半导体级硅棒的结晶缺陷，降低引晶次数，拉晶过程中不会析晶。
石英坩埚第一保护层半导体级半导体级硅第二保护层保护层石英砂拉晶熔制析晶成型高纯石英砂后处理结晶缺陷微气泡层原料准备装料非晶体硅液面微气泡抖动高纯引晶制造隔离生产

[发明专利]一种微米级半导体传感器及其制备方法-CN201610011175.1在审
发明人：张一茗;王小华;闫广超;宋亚凯;穆广祺;荣命哲;郭煜敬;谭盛武;袁端磊;王礼田;李少华;曹明德;蒋晓旭;高群伟;张文涛;尉镔;张明礼;刘璐;宋述停;吕品雷 -专利权人：平高集团有限公司;国家电网公司;国网山西省电力公司;西安交通大学
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微米级半导体传感器及其制备方法，属于半导体传感器制造技术领域。本发明的微米级半导体传感器的制备方法包括如下步骤：在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；采用刻蚀剂对得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶本发明的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
一种微米半导体传感器及其制备方法

[发明专利]绝缘栅型硅光伏电源组件-CN201110163096.X有效
发明人：郭建国;毛星原 -专利权人：郭建国;毛星原
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种绝缘栅型硅光伏电源组件，包括绝缘栅型硅光伏电池，所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池，在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极，在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜；n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结，透明导电膜为控制栅级；所述p型半导体背面电极为正电极，N型半导体栅型表面电极为负电极；所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源，外加电场电压源正电极连接控制栅级，负电极连接p型半导体背面电极。
绝缘栅型硅光伏电源组件

[发明专利]一种半导体级单晶硅生产工艺-CN201210235754.6有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺，包括以下步骤：一、横向磁场布设：所布设横向磁场的磁场强度为1300高斯±100高斯；二、硅原料及掺杂剂准备；三、装料；四、熔料；五、引肩及放肩；六、转肩：放肩结束后进行转肩时，以3±0.3mm/min的拉速进行转肩；七、等径生长：转肩结束后，以1.6±0.1mm/min的拉速等径生长50±5mm；之后，再按直拉单晶硅的常规等径生长方法，完成需制作半导体级单晶硅的后续等径生长过程本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效保证所生产半导体级单晶硅的质量，所生产的半导体级单晶硅断面电阻率均匀性高且无漩涡等各种微缺陷。
一种半导体单晶硅生产工艺

[发明专利]一种半导体级单晶硅生产工艺-CN201110199182.6有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺，包括以下步骤：一、横向磁场布设：所布设横向磁场的磁场强度为1300高斯±100高斯；二、硅原料及掺杂剂准备；三、装料；四、熔料；五、引肩及放肩；六、转肩：放肩结束后进行转肩时，以3±0.3mm/min的拉速进行转肩；七、等径生长：转肩结束后，以1.6±0.1mm/min的拉速等径生长50±5mm；之后，再按直拉单晶硅的常规等径生长方法，完成需制作半导体级单晶硅的后续等径生长过程本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好，能有效保证所生产半导体级单晶硅的质量，所生产的半导体级单晶硅断面电阻率均匀性高且无漩涡等各种微缺陷。
一种半导体单晶硅生产工艺

[发明专利]检测穿通芯片通孔的缺陷的集成电路-CN201110130233.X有效
发明人：金大石;李锺天;金澈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种在晶片级检测穿通硅通孔是否具有缺陷的集成电路。所述集成电路包括：半导体衬底；穿通硅通孔，被配置为形成在半导体衬底中以从半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，被配置为在测试模式期间将半导体衬底与穿通硅通孔之间流动的电流提供至输出焊盘
检测芯片缺陷集成电路

[发明专利]半导体级硅的等离子体喷涂-CN200880006823.8无效
发明人：拉阿南·Y·柴海威;詹姆斯·E·博伊尔 -专利权人：综合光电股份有限公司
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种设计用来喷涂半导体级硅以形成包括p-n结的半导体结构的等离子体喷涂枪(10)，其包括多个诸如阴极(16)或阳极(20)之类的部件或其它面向等离子体或携有硅粉末的具有至少多个由高纯度硅形成的表面部件。该些半导体杂质可包括在该喷涂硅中。
半导体等离子体喷涂

[发明专利]一种微米级半导体传感器及其制备方法-CN201710102458.1在审
发明人：王小华;吕品雷;杨爱军;褚继峰;王大伟;刘定新;荣命哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
一种微米半导体传感器及其制备方法

[发明专利]硅半导体基板及其制造方法-CN200480003583.8有效
发明人：大见忠弘;山中秀记;出水清史;寺本章伸;须川成利 -专利权人：信越半导体株式会社;大见忠弘
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着<110>方向的原子级的阶梯。
半导体及其制造方法

[实用新型]一种复合层式半导体级石英坩埚-CN201821804914.3有效
发明人：王建军;李常国;李杰;何玉鹏 -专利权人：宁夏富乐德石英材料有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C03C3/06 文献下载
摘要：一种复合层式半导体级石英坩埚，包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层，石英坩埚本体剖面呈U型设置，在石英坩埚本体表面由内至外依次设置了第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层，第一保护层相对现有技术的微气泡层更厚，实现石英坩埚生产半导体级硅棒，本实用新型在石英坩埚本体表面设置有第一保护层和第三保护层，呈双微气泡层设置，减少了第一保护层、第三保护层中微气泡长大破裂的情形，第四保护层阻碍微气泡进入硅液中，解决了石英坩埚本体内部硅液面抖动的难题，第四保护层所含杂质含量极低，实现半导体级硅棒在拉晶过程中不析晶，解决了析晶引起半导体级硅棒结晶缺陷增高的难题。
石英坩埚保护层第一保护层半导体级硅第二保护层半导体级复合层式微气泡层微气泡析晶本实用新型表面设置结晶缺陷依次设置硅液面抖动硅液拉晶增高破裂阻碍生产

[实用新型]排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备-CN202020396540.7有效
发明人：杨军成 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种排气回路、半导体设备和硅深孔刻蚀设备；所述半导体设备或硅深孔刻蚀设备均包括腔室以及排气回路；所述排气回路包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器；前级管路分别连接腔室和真空泵的进口；后级管路分别连接真空泵的出口和废气处理装置；所述过滤器设置在前级管路上，用于过滤半导体制程反应生成物。
排气回路半导体设备硅深孔刻蚀设备

[发明专利]半导体管芯和包括其的半导体器件-CN201910121505.6有效
发明人：禹昇汉;柳济民;吴凛;吴文熙;李范锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连接的第二延迟级；至少一个穿通硅通路，连接到第一延迟级的输出端子中的至少一个输出端子，所述至少一个穿通硅通路贯穿基板；以及负载确定装置，配置为将从第一延迟级中的一个输出的第一延迟信号与从第二延迟级中的一个输出的第二延迟信号相比较，并且确定所述至少一个穿通硅通路的负载
半导体管芯包括半导体器件

[发明专利]一种沟槽型功率半导体芯片制备方法及芯片-CN202310413597.1在审
发明人：吴振兴 -专利权人：北京贝茵凯微电子有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽型功率半导体芯片的制备方法和沟槽型功率半导体芯片。该方法通过将金属层直接与多晶硅连接，除去了表面POLY层，使得芯片表面不产生层与层之间的台阶交叠爬坡，微填充问题彻底解决，可靠性大幅提高；沟槽型功率半导体芯片表面4层结构简化到3层结构，同时改变了多晶硅栅极的形成与互联方式，将原有技术多晶硅沟槽‑‑‑多晶硅总线‑‑‑栅极金属的三级互联的形式，变成多晶硅沟槽‑‑‑栅极金属二级互联的形式，去除了表面多晶硅汇流条，工艺大大简化，使得芯片利用效率大幅提高。
一种沟槽功率半导体芯片制备方法

[发明专利]具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法-CN201911236326.3有效
发明人：张翼;张懋中;庄絜晰;林雨洁 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法，乃在金属氧化物硅半导体场效晶体管结构中，于硅(100)基板上制作百纳米纳米级孔洞，此百纳米纳米级孔洞可随后将硅基板的(111)晶面暴露，而有利于选择性区域成长高质量的三五族材料，利用其宽能隙的特性，三五族材料作为汲极结构可以有效弥补金属氧化物硅半导体场效晶体管在高频应用功率功能的不足，也可解决因组件持续微缩所产生的击穿问题。
具有宽能隙三五族汲极金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构-CN202210118996.0在审
发明人：徐大朋 -专利权人：季优科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构。方法包括步骤：提供半导体基底，内形成有ASIC芯片及多个间隔设置的硅通孔；对半导体基底进行背面减薄；对半导体基底的背面进行刻蚀，以使硅通孔的表面突出于半导体基底的背面；于半导体基底的背面形成绝缘层；对半导体基底背面进行化学机械抛光，露出硅通孔；进行光刻和干法刻蚀，以于半导体基底的背面形成空腔；将形成有MEMS器件的MEMS微加热板和预键合结构进行共晶键合，MEMS器件正对空腔，硅通孔和MEMS微加热板的焊垫键合，绝缘层和MEMS微加热板的绝缘表面键合；于ASIC芯片正面硅通孔的表面形成硅通孔焊球；切割形成单颗MEMS气体传感器芯片。
mems 气体传感器晶圆级三维封装方法结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条