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[发明专利]半导体管芯和包括其的半导体器件-CN201910121505.6有效
发明人：禹昇汉;柳济民;吴凛;吴文熙;李范锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供了半导体管芯和包括其的半导体器件。该半导体管芯可以包括：第一延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第一延迟电路包括串联连接的第一延迟级；第二延迟电路，形成在基板上并配置为延迟测试信号，第二延迟电路包括串联连接的第二延迟级；至少一个穿通硅通路，连接到第一延迟级的输出端子中的至少一个输出端子，所述至少一个穿通硅通路贯穿基板；以及负载确定装置，配置为将从第一延迟级中的一个输出的第一延迟信号与从第二延迟级中的一个输出的第二延迟信号相比较，并且确定所述至少一个穿通硅通路的负载。
半导体管芯包括半导体器件

[发明专利]硫族化物材料以及包括其的电子设备-CN201910688949.8有效
发明人：李禹太;郑光先;金泰勋;潘尚炫;李范锡;黄旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：提供一种硫族化物材料和电子设备。该硫族化物材料包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。该电子设备可以包括半导体存储器件，所述半导体存储器件包括第一存储单元，所述第一存储单元包括第一开关元件，其中所述第一开关元件可以包括硫族化物材料，其包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。
硫族化物材料以及包括电子设备

[发明专利]有机发光像素及包括有机发光像素的有机发光显示装置-CN202010434634.3有效
发明人：宋河珍;朴兴洙;李范锡;李相雨;表相佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10K50/155 文献下载
摘要：公开了有机发光像素及有机发光显示装置，有机发光像素包括用于发射具有第一波长的第n阶谐振模的光的第一有机发光二极管，n为至少为1的自然数；用于发射具有第二波长的第n阶谐振模的光的第二有机发光二极管，第二波长比第一波长短；以及用于发射具有第三波长的第m阶谐振模的光的第三有机发光二极管，第三波长比第一波长和第二波长短，并且m为大于n的自然数。
有机发光像素包括显示装置

[发明专利]电子装置及其控制方法-CN202180069620.9在审
发明人： 李范锡;韩孝姃;萨蒂什·因杜蒂;穆赫德·阿巴斯·扎伊迪;尼基勒·库马尔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F40/30 文献下载
摘要：提供了一种电子装置。该电子装置包括扬声器、存储至少一个指令的存储器、以及与存储器电连接的处理器。处理器被配置为通过执行该指令以：将第一文本输入到第一神经网络模型中，并且获取与第一文本对应的第一翻译文本；将第一翻译文本输入到第二神经网络模型中，并且获取与第一翻译文本对应的第一意译文本；基于第一文本和第一意译文本，识别第一意译文本是否能被输出；根据识别结果，控制扬声器输出第一意译文本，基于在第一文本之后接收到的第二文本，将第一文本和第二文本输入到第一神经网络模型中，并且获取与第一文本和第二文本对应的第二翻译文本；以及将识别结果和第二翻译文本输入到第二神经网络模型中，并且获取与第二翻译文本对应的第二意译文本。
电子装置及其控制方法

[发明专利]半导体器件-CN202210193307.2在审
发明人： 李范锡;李元俊;洪锡满 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：每一个都在第一方向上延伸的第一行线；每一个都在与第一方向交叉的第二方向上延伸的列线；每一个都在第一方向上延伸的第二行线；分别耦接在第一行线和列线之间的多个第一存储单元，该多个第一存储单元中的每一个包括第一可变电阻层以及位于第一可变电阻层与第一行线中的对应的一个第一行线之间的第一介电层；以及分别耦接在第二行线和列线之间的多个第二存储单元，该多个第二存储单元中的每一个包括第二可变电阻层以及位于第二可变电阻层与第二行线中的对应的一个第二行线之间的第二介电层。
半导体器件

[发明专利]发光元件和包括该发光元件的显示装置-CN202111272370.7在审
发明人：李硕宰;金伦材;金政均;金玄求;朴甫熏;朴镇佑;杨正镇;李范锡;李鲜慧;李在津 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及发光元件和包括该发光元件的显示装置。该发光元件可以包括：第一电极，第二电极，面向第一电极；第一空穴传输层，被布置在第一电极上方；第一电子传输层，被布置在第一空穴传输层与第二电极之间；发射不同光的第一发光部分和第二发光部分可以被布置在第一空穴传输层与第一电子传输层之间。第一发光部分可以包括第一蓝色发射层、第二电子传输层、电荷生成层和第二蓝色发射层，并且第一蓝色发射层可以被布置在第一空穴传输层上方。第一电子传输层和第二电子传输层中的至少一个可以被直接布置在第一蓝色发射层和第二蓝色发射层中的至少一个上方。
发光元件包括显示装置

[发明专利]显示装置-CN202111165747.9在审
发明人：李硕宰;金伦材;金政均;金玄求;朴甫燻;朴镇佑;杨正镇;李范锡;李鲜慧;李在津 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种显示装置包括：基板，在基板中限定分别发射分别具有彼此不同的发射波长的第一光和第二光的第一像素区域和第二像素区域；第一电极，在基板上以与第一像素区域和第二像素区域重叠；空穴传输区，在第一电极上以与第一像素区域和第二像素区域重叠；第一有机层和第二有机层，在空穴传输区上以分别与第一像素区域和第二像素区域重叠；电子传输区，在第一有机层和第二有机层上以与第一像素区域和第二像素区域重叠；以及第二电极，在电子传输区上以与第一像素区域和第二像素区域重叠。第一有机层包括发射第一光的第一发射层和在第一发射层之间的第一电荷产生层，并且第二有机层包括发射第二光的单个第二发射层。
显示装置

[发明专利]电子设备及制造电子设备的方法-CN202011203558.1在审
发明人：金明燮;金泰勋;李范锡;李承润;张桓埈;赵炳直;韩智宣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。
电子设备制造方法

[发明专利]硫族化物材料、可变电阻存储器件和电子设备-CN202010711127.X在审
发明人：郑光先;潘尚炫;安俊九;李范锡;李泳昊;李禹太;李钟豪;张桓埈;赵性来;曹艺天;黄旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
硫族化物材料可变电阻存储器件电子设备

[发明专利]电子设备及制造电子设备的方法-CN201911342395.2在审
发明人：李禹太;李范锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种电子设备及制造电子设备的方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一有源层；在所述第一有源层之上形成第一电极材料；对所述第一电极材料和所述第一有源层执行热处理过程；以及在被热处理的第一电极材料上形成第二电极材料。
电子设备制造方法

[发明专利]显示装置-CN202010189303.8在审
发明人：裵珍姬;金敏豪;文景河;李范锡;崔洛成 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：提供一种显示装置。显示装置包括：显示面板，包括具有不同的电压值的多个连接信号布线；柔性电路基板，附着于显示面板的侧面，包括基底膜以及配置在基底膜上的多个引导布线；以及各向异性导电膜，配置在多个连接信号布线与多个引导布线之间。多个连接信号布线之中的相邻的两个连接信号布线之间的电位差在第一电压值以上的情况下，在相邻的两个连接信号布线之间配置具有预定的电压值的至少一个凸点布线。
显示装置

[发明专利]电子设备及操作电子设备中的存储单元的方法-CN201911241650.4在审
发明人：潘尚炫;李范锡;李禹太;金泰勋;张桓埈;崔惠晶 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请提供一种电子设备以及操作电子设备中的存储单元的方法。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：字线；位线；以及存储单元，其耦接到字线和位线并且设置在字线与位线之间，所述存储单元包括可变电阻层，所述可变电阻层不管储存在存储单元中的数据的值如何都保持在非晶态，其中，在复位操作中，通过将比存储单元的阈值电压的0.7倍大而比阈值电压的0.95倍小的亚阈值电压施加到存储单元，存储单元被编程为高电阻非晶态。
电子设备操作中的存储单元方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202010004290.2在审
发明人：金昶和;金宽植;金润庆;朴商秀;李范锡;李泰渊;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]有机发光像素及包括有机发光像素的有机发光显示装置-CN201610397672.X有效
发明人：宋河珍;朴兴洙;李范锡;李相雨;表相佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：公开了有机发光像素及有机发光显示装置，有机发光像素包括用于发射具有第一波长的第n阶谐振模的光的第一有机发光二极管，n为至少为1的自然数；用于发射具有第二波长的第n阶谐振模的光的第二有机发光二极管，第二波长比第一波长短；以及用于发射具有第三波长的第m阶谐振模的光的第三有机发光二极管，第三波长比第一波长和第二波长短，并且m为大于n的自然数。
有机发光像素包括显示装置

[发明专利]电子装置及其控制方法-CN201880068845.0在审
发明人：崔畅桓;李范锡;赵瑞荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：一种用于通过扬声器输出对用户语音的响应且提供包括对用户语音的响应的向导屏幕来对包含询问的用户语音做出响应的装置和方法。
电子装置及其控制方法

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