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[实用新型]半导体器件-CN201520769614.6有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;Z·豪森;刘春利;J·麦克唐纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：具有相对的第一和第二主表面的半导体衬底；邻近第一主表面的异质结构，包括沟道层和势垒层；第一电极，靠近沟道层的第一部分；第二电极，靠近沟道层的第二部分且与第一电极间隔开；第三电极，在第二主表面上；第一控制电极，在第一与第二电极之间并且配置成控制其之间的第一电流通道；沟槽电极，延伸穿过异质结构进入半导体衬底；及箝位器件，在半导体衬底中且电耦接到沟槽电极和第三电极。本公开一个实施例解决的一个问题是提供半导体器件以提高异质结功率器件的耐用性。根据本公开一个实施例的一个用途是提供了改善的半导体器件，其是成本有效的、对生产集成是高效的并且不影响器件性能。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202020144512.6有效
发明人： A·阿里戈尼;G·格拉齐奥斯;A·桑纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片，引线框架，包括芯片安装部分，其中半导体芯片被安装到芯片安装部分，并且至少一个引线被布置为面向芯片安装部分，至少一个引线位于第一平面中，并且芯片安装部分位于第二平面通过本公开的实施例，可以促进减少半导体器件中的专用电源引脚的数目，同时还促进引线框架设计标准化。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811583769.5在审
发明人：假屋崎修一;白井航;片山晋二;土屋惠太 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，实现了半导体器件的性能的改进。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一电路和在其上安装半导体芯片的布线基板。布线基板包括传输被输入到半导体芯片的输入信号的导线(输入信号导线)、传输从半导体芯片输出的输出信号的导线(输出信号导线)、以及被供应有参考电位的第一导体平面。在布线基板的厚度方向上，每个输入信号导线被插入在第二导体平面与第三导体平面之间，第二导体平面和第三导体平面中的每个被供应有参考电位。
半导体芯片导体平面半导体器件导线横截面布线基板输出信号信号导线参考电位导线延伸方向传输正交电路输出改进

[实用新型]半导体器件-CN201020253565.8有效
发明人：范爱民 -专利权人：西安能讯微电子有限公司
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。根据本实用新型的一个方面的半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的n型掺杂层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的与上述n型掺杂层分离的栅极。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200910127940.6有效
发明人：永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积，本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层，其中，第一扩散层具有第二导电型，并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端；第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置，并且被连接至电源或地；扩散电阻层具有第二导电型，并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近；该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端，同时与第一扩散层并行地设置，并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200710300486.0有效
发明人：黑川义元;池田隆之;远藤正己;傳保洋树;河江大辅;井上卓之;上妻宗広 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：在具有由无线信号检测出物理位置的功能的半导体器件中，当采用从电池供给电源电压的有源型时，因为定期交换电池、电池的物理形状、质量的限制，而使半导体器件的物理形状、质量等被限制。在半导体器件中安装电源电路和A/D转换电路，该电源电路具有由无线信号生成电源电压的功能；该A/D转换电路具有通过对由无线信号生成的电压进行A/D转换来检测出无线信号的强度的功能。这样，可以提供不需要交换电池且物理形状及质量的限制少，并且具有检测出物理位置的功能的半导体器件。此外，通过使用形成在塑料衬底上的薄膜晶体管来形成半导体器件，可以以廉价提供在物理形状上具有灵活性并且具有检测出物理位置的功能的重量轻的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510102793.2在审
发明人：张昌洙;徐东秀;牟圭铉;朴在勋;宋寅赫 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电型主体层；第二导电型电场限制环，设置在第一导电型主体层的上部中；电阻层，设置在第二导电型电场限制环之下；第二导电型阳极层，设置在第一导电型主体层的上部上由于电阻层设置在第二导电型电场限制环之下，可有优势地影响半导体器件的击穿电压并提高半导体器件的耐用性。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710770379.8有效
发明人：朴洛圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：半导体器件可以包括被配置为提供第一电压的第一焊盘。半导体器件可以包括第二焊盘。半导体器件可以包括：连接电路，其被配置为基于连接信号而将第一焊盘耦接至第二焊盘，或者基于连接信号而将第二焊盘与第一焊盘电分离。半导体器件可以包括：检测电路，其被配置为基于测试模式信号和从第二焊盘接收的第二电压来产生缺陷检测信号。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201120332912.0有效
发明人：雷晗 -专利权人：西安民展微电子有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：一晶体管，包括漂移区；一高压电阻，设置在所述漂移区的上方，高压电阻的两端分别与晶体管的漏极和栅极连接。将高压电阻与晶体管集成在一起，使得高压电阻不占用半导体器件的额外面积，在总体上减小了整个半导体器件的面积，从而降低了半导体器件的成本。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN202020690639.8有效
发明人：冯荣杰 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710048806.1在审
发明人：神野健;后藤洋太郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。半导体器件包括像素，像素包括在其中形成传输晶体管和光电二极管的第一有源区域和用于提供接地电势的第二有源区域。在第二有源区域中的p型半导体区域上方设置用于提供接地电势的插塞。在用于第一有源区域中形成的传输晶体管的漏极区域的n型半导体区域中引入吸附元素。然而，在第二有源区域中的p型半导体区域中没有引入吸附元素。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610710277.2有效
发明人：坂田和之;别井隆文 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。提供一种可靠性增强的半导体器件。该半导体器件具有：布线衬底，包括与半导体芯片的电源电位供应部电连接的第一端子、将电源电位供应部与第一端子耦合的第一布线、与半导体芯片的参考电位供应部电连接的第二端子以及将参考电位供应部与第二端子耦合的第二布线第一端子和第二端子被布置为与半导体芯片相比更接近布线衬底的外围。第二布线沿着第一布线延伸。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201180010260.1有效
发明人：松崎隆德;加藤清;井上广树;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G11C11/405 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种具有新结构的半导体器件，该半导体器件甚至在没有供电时也能够保持已存储数据，并且具有无限数量的写入周期。半导体器件使用能够充分降低晶体管的断态电流的材料来形成，例如作为宽能隙半导体的氧化物半导体材料。能够充分降低晶体管的断态电流的半导体材料的使用允许将数据保持长时间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610334977.6有效
发明人：辛岛崇;今村由美;今关洋辅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。本发明的目的是提高具有成像功能的半导体器件的可靠性。半导体器件包括具有腔体和端子(TE1)的封装、具有成像单元并布置在腔体中的半导体芯片，以及通过其密封腔体并具有半透明性的盖材料。此外，半导体器件包括具有通孔和端子(TE2)并布置为将端子(TE1)电耦合至端子(TE2)的安装板、插入通孔中并联接至封装的热传输构件，以及联接至热传输构件的热沉。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110797193.8在审
发明人：叶昶麟 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：电子元件；散热片，通过热界面材料连接电子元件；结合件，同时接触电子元件、热界面材料及散热片。本发明的目的在于提供一种半导体器件，以优化半导体器件的性能。
半导体器件