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[发明专利]存储装置、半导体装置、电子构件以及电子装置-CN201880006056.4有效
发明人：前田修平;长塚修平;大贯达也;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：减少具有备份功能的存储单元的面积。存储装置包括单元阵列、用来驱动单元阵列的行电路及列电路。单元阵列包括第一电源线、第二电源线、字线、位线对、存储单元及备份电路。单元阵列设置在能够进行电源门控的电源定域中。在单元阵列的电源门控序列中，存储单元的数据备份在备份电路中。备份电路层叠在存储单元的形成区域上。备份电路与存储单元之间设置有多个布线层。第一电源线、第二电源线、字线及位线对设置在彼此不同的布线层中。
存储装置半导体电子构件以及

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180058948.0在审
发明人：池田隆之;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06G7/14 文献下载
摘要：提供一种运算性能高的半导体装置。本发明的一个方式是一种利用跨导线性原理的半导体装置，该半导体装置包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的第一至第十晶体管及第一电容。第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子电连接，第三晶体管的第一端子通过第一电容与第二晶体管的第二端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第二端子与第四及第七晶体管的第一端子及第五及第八晶体管的栅极电连接。第七晶体管的栅极与第五及第六晶体管的第一端子电连接，第十晶体管的栅极与第八及第九晶体管的第一端子电连接。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202080090207.6在审
发明人：大贯达也;上妻宗广;青木健;松嵜隆德;冈本佑树;太田将志;长塚修平;国武宽司;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括加速器。加速器包括第一存储电路、第二存储电路及运算电路。第一存储电路包括第一晶体管。第二存储电路包括第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管都包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。运算电路包括第三晶体管。第三晶体管包括在沟道形成区域中含有硅的半导体层。第一晶体管及第二晶体管设置在不同的层中。包括第一晶体管的层设置在包括第三晶体管的层上。包括第二晶体管的层设置在包括第一晶体管的层上。第一存储电路具有与第二存储电路不同的数据保持特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080075473.1在审
发明人：山崎舜平;长塚修平;川田琢也;方堂凉太 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的晶体管、晶体管上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及开口区域，开口区域包括第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第四绝缘体，第三绝缘体包括到达第二绝缘体的开口，第四绝缘体在开口内与第二绝缘体的顶面接触。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202080065554.3在审
发明人：太田将志;安藤善范;长塚修平;越田树;大下智;方堂凉太;津田一树;铃木阳夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。
半导体装置制造方法

[发明专利]存储单元及存储装置-CN202080058886.9在审
发明人： 长塚修平;大贯达也;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供一种占有面积较小的存储装置。在包括读出用晶体管、写入用晶体管及电容器的存储单元中，在读出用晶体管的上方设置写入用晶体管。另外，也可以在写入用晶体管的上方设置读出用晶体管。另外，作为写入用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。作为读出用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。将多个存储单元配置为矩阵状。
存储单元装置

[发明专利]半导体装置-CN202080025962.6在审
发明人：斋藤圣矢;八窪裕人;大贯达也;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层。第一晶体管层及第二晶体管层设置在硅衬底上。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管层包括其栅极与第一局部位线电连接的第二晶体管及与第二晶体管电连接的第一校正电路。第一校正电路与第一全局位线电连接。第一校正电路具有使第二晶体管的栅极保持对应于第二晶体管的阈值电压的电压的功能。
半导体装置

[发明专利]存储装置-CN201980089912.1在审
发明人： 长塚修平;大贯达也;加藤清;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种新颖的存储装置。在驱动电路层上层叠N个(N是2以上的自然数)包括配置为矩阵状的多个存储单元的存储层。存储单元包括两个晶体管以及一个电容器。将氧化物半导体用于构成晶体管的半导体。存储单元与写入字线、选择线、电容线、写入位线及读出位线电连接。通过将写入位线及读出位线延伸在层叠方向上，缩短存储单元与驱动电路层之间的信号传输距离。
存储装置

[发明专利]半导体装置-CN201980016069.4在审
发明人：山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司;塚本阳子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。
半导体装置

[发明专利]半导体材料及半导体装置-CN201980008397.X在审
发明人：国武宽司;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供一种抑制导致特性变动、元件劣化或绝缘破坏的带电现象的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，其中，第四晶体管包括第一导电体、第二导电体、第三导电体及氧化物半导体，第一导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第二导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，第三导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接，并且，第四导电体通过第一晶体管与半导体衬底电连接。
半导体材料半导体装置

[发明专利]存储装置、半导体装置及电子设备-CN201980010121.5在审
发明人：山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。
存储装置半导体电子设备

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201880011285.5在审
发明人：山崎舜平;远藤佑太;笹川慎也;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种适合于微型化及高集成化的半导体装置。本发明的一个实施方式包括：含有相邻的第一区域和第二区域、其间设置有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。
绝缘体第二区域导电体氧化物第一区域侧面半导体装置微型化高集成化

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201880024885.5在审
发明人：山崎舜平;松林大介;加藤清;栃林克明;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种能够实现高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器以及第二电容器。第一晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体、第一导电体及第三绝缘体接触的第四绝缘体、以及与第四绝缘体接触的第五绝缘体。第二晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第七绝缘体、与第六绝缘体、第二导电体及第七绝缘体接触的第八绝缘体、以及与第八绝缘体接触的第九绝缘体，第一电容器包括氧化物、氧化物上的第十绝缘体、以及第十绝缘体上的第三导电体。第二电容器包括氧化物、氧化物上的第十一绝缘体、以及第十一绝缘体上的第四导电体。
绝缘体导电体氧化物晶体管半导体装置第一电容器电容器高集成化

[发明专利]存储装置及其工作方法、半导体装置、电子构件以及电子设备-CN201780052545.9在审
发明人：石津贵彦;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G11C11/405 文献下载
摘要：存储装置包括存储单元、复制单元、读出电路、写入字线、读出字线、伪读出字线、写入位线、读出位线、参考位线、源极线、第一布线。存储单元电连接于写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、源极线。读出电路输出基于对参考位线的电位与读出位线的电位进行比较的结果的电位。复制单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管在该位线与源极线之间串联电连接。第一晶体管的栅极及第二晶体管的栅极分别与伪读出字线及第一布线电连接。
晶体管读出字线电位读出位线源极线参考位线存储单元存储装置读出电路复制单元写入位线写入字线电连接布线半导体装置串联电连接电子构件电子设备位线输出

[发明专利]半导体装置及其驱动方法-CN201610326025.X有效
发明人：井上广树;加藤清;松崎隆德;长塚修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G11C11/405 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其驱动方法。提供一种具有非易失性存储单元的半导体装置，该非易失性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容元件。通过使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源电极(或漏电极)、电容元件的一方电极、读出用晶体管的栅电极彼此电连接的节点，然后，通过使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p沟道型晶体管，而将读出电位设定为正的电位。
半导体装置及其驱动方法

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