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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法-CN201610322028.6在审
发明人：三宅裕树;永冈达司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在所述半导体装置中，SiC基板的表面被热氧化膜覆盖，在该热氧化膜上形成有开口，在露出于该开口中的SiC基板的表面上形成有肖特基电极，并且漏泄电流较大。在SiC基板内形成半导体结构，在该SiC基板的表面上形成热氧化膜，对该热氧化膜的一部分进行蚀刻从而形成到达SiC基板的表面的开口，向该开口填充成为肖特基电极的材料。在从半导体结构的完成起至热氧化膜的形成为止的期间内，不经过在SiC基板的表面上形成牺牲热氧化膜的过程。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]半导体空调枕头-CN201510904515.9在审
发明人：高洁;淡博 -专利权人：哈尔滨市三和佳美科技发展有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： A47G9/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体空调枕头，半导体换热面(1)与控制器(2)相连，温度传感器(8)安装在半导体换热面(1)上，温度传感器(8)与控制器(2)相连，轴流风扇(5)装配在右通风口(4)的一侧，轴流风扇(5)与控制器(2)相连，控制开关(9)安装在空调枕头的左侧，控制开关(9)与控制器(2)相连，电源插头(7)与控制器(2)相连，右通风口(4)设置于空调枕头右侧，左通风口(6)设置于空调枕头左侧，半导体换热面
半导体空调枕头

[发明专利]半导体空气制水机-CN201711000770.6在审
发明人：谢钦;汪长江;赵贝 -专利权人：合肥天鹅制冷科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： E03B3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体空气制水机，包括有半导体制冷散热部分、水处理部分和控制部分，半导体制冷散热部分包括有半导体制冷片、冷端散热器、热端散热器、壳体、空气过滤网和风机，水处理部分包括有水净化过滤器和水箱
半导体空气制水机

[发明专利]一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法-CN201610500518.0在审
发明人：杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构及方法，该超高压横向双扩散金属氧化物半导体结构包括漏极，漏极包括手指区域和直道区域，手指区域内的金属层的第一场板的第一长度，与直道区域内的金属层的第二场板的第二长度不同本发明的实施例能弱化超高压横向双扩散金属氧化物半导体漏极手指区域的尖端放电以及电场集中效应，提升超高压横向双扩散金属氧化物半导体的可靠性。
一种超高压横向扩散金属氧化物半导体结构方法

[发明专利]发光组件-CN201610089098.1在审
发明人：郭祐祯;兰彦廷;黄靖恩;赖腾宪;康凯舜 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层。第一电极设置于第一半导体层上。导电层设置于第二半导体层上，且导电层包括一第一导电区域以及一第二导电区域，其中第一导电区域的电阻小于第二导电区域的电阻。
发光组件

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN201610340811.5在审
发明人：徐洪远 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开一种阵列基板的制备方法，通过在一基板上形成栅电极；在栅电极和基板上沉积栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层及钝化层，通过一道光罩制程对半导体层、源漏金属层及钝化层进行图案化处理以形成半导体图案、源漏极图案及接触孔图案通过这种方式，本发明利用一道光罩制程形成半导体图案、源漏极图案及接触孔图案，使得阵列基板的制程缩减到三道光罩，从而降低制程成本、减小作业时间，提高生产效率。
一种阵列及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201711105355.7在审
发明人：飞冈孝明;海老原美香 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种纵型霍尔元件，提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度，且减小偏置电压，该纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在第1导电型的半导体衬底上，浓度分布恒定；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层上，浓度比半导体层高；多个电极，在杂质扩散层的表面在一条直线上设置，由浓度比杂质扩散层高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在杂质扩散层的表面，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离
导电型电极杂质扩散层半导体层霍尔元件浓度比衬底纵型半导体浓度分布恒定半导体装置电极分离方向流动偏置电压杂质扩散杂质区域灵敏度扩散层减小平行

[发明专利]一种超高压的石墨烯电池-CN201810050453.3在审
发明人：王永秋 -专利权人：黑龙江聚拢华玺智能科技有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压的石墨烯电池，其特征在于，由正极极片、多层半导体及负极极片层压后构成，所述正极极片呈U形，所述正极极片具有至少三片，且三片正极极片互相套设在一起，位于内部的正极极片U形开口最小，外部的正极极片U形开口最大，所述负极极片具有两片，其呈方形，且大方形的负极极片套在小方形的负极极片的外面，贴在所述半导体的后部；多层半导体2具有上下叠加的两层；所述正极极片、多层半导体及负极极片的厚度比值为1:5:2
正极极片负极极片半导体多层超高压石墨烯电池上下叠加大方形小方形层压两层套在外部

[发明专利]一种小孔径垂直腔半导体激光器结构-CN201711227103.1在审
发明人：崔碧峰;王阳;房天啸;郝帅;程瑾 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种小孔径垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种小孔径的垂直腔半导体激光器结构，包括衬底上的N面电极、N型DBR、有源区、P型DBR、SiO2层、ZnO透明电极和P面电极，实现了小出光孔径。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径的问题。
半导体激光器垂直腔出光孔径小孔径透明电极半导体光电子学氧化物限制节能环保新型光源可携带亚波长衬底源区

[发明专利]三维整合的散热增益型半导体组件及其制作方法-CN201710066338.0在审
发明人：林文强;王家忠 -专利权人：钰桥半导体股份有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的三维整合半导体组件包含有通过接合线相互电性耦接的面朝面半导体次组件及散热座。该面朝面半导体次组件包括顶部及底部装置，其分别组接于第一路由电路的相反两侧上，而该散热座包括金属板及位于金属板上的第二路由电路。该面朝面半导体次组件设置于散热座中第二路由电路的贯穿开口中，且接合线提供第一及第二路由电路间的电性连接，以将面朝面地组装于次组件中的装置互连至散热座的端子垫。
路由电路次组件散热座半导体半导体组件接合线金属板整合三维底部装置电性连接电性耦接相反两侧端子垫增益型散热互连组接开口组装贯穿制作

[发明专利]单片集成半导体结构-CN201711439435.6在审
发明人： B·库纳特 -专利权人：纳斯普Ⅲ/Ⅴ有限责任公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及单片集成半导体结构。具体地，本发明涉及一种包含下列层结构的单片集成半导体结构：A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAlyGazNtPv的层，C)具有组成BxAly‑GazInuPvSbw的松弛层，D)任选地具有组成BxAlyGazInuPvSbwNt的用于阻断失配位错的层，E)任选地具有组成BxAlyGazInuPvSbwNtAsr的用于异质偏移的层，和F)任意的优选第III/V族的半导体材料或几种不同的任意半导体材料的组合
单片集成半导体结构半导体材料化学计量第III族元素第V族元素失配位错层结构掺杂的松弛层未掺杂载体层偏移异质优选

[发明专利]晶体管阵列面板-CN201710286440.1在审
发明人：丁有光;赵炫珉;裵水斌;崔新逸;金湘甲 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该面板包括基板；位于基板上的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；位于半导体层上的中间绝缘层；以及位于中间绝缘层上的上导电层，其中半导体层包括第一接触孔，中间绝缘层包括第二接触孔，第二接触孔以与第一接触孔重叠的关系被放置，并且上导电层在第一接触孔中与半导体层的侧表面接触。
晶体管阵列面板

[发明专利]形成堆叠式封装结构的方法-CN201710594258.2在审
发明人：徐宏欣;王启安 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：对第一半导体封装体的模封复合物进行激光钻孔，以在模封复合物内形成多个贯穿孔。导电层形成于模封复合物上，以使模封复合物被导电物质所覆盖，且使上述的多个贯穿孔被导电物质所填充。第二半导体封装体堆叠在第一半导体封装体上，以使第二半导体封装体的多个金属凸块与填充于多个贯穿孔内的导电物质接触。本发明可减少堆叠式封装结构的厚度。
形成堆叠封装结构方法

[发明专利]一种图形化衬底及其制作方法-CN201711244968.9在审
发明人：周圣军;胡红坡;高艺霖 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明通过在沟槽内沉积生长抑制层，可以确保半导体材料尽量少地沉积到沟槽内，多在生长平台顶部成核并横向生长，在生长平台顶部设置成核层可更有利于半导体材料的选择性形核生长，由此带来的好处是进一步减少了半导体材料在沟槽内的沉积，防止沟槽被阻塞，从而有利于化学剥离时剥离液流入沟槽内，利于半导体材料的化学剥离。
一种图形衬底及其制作方法

[发明专利]芯片制作方法-CN201610335269.4在审
发明人：胡川 -专利权人：胡川
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及提供一种芯片制作方法，包括将半导体板平贴于载体上，用第一粘贴介质将所述半导体板粘贴于所述载体上，将所述半导体板分割成至少两片芯片；用提取装置的提取面贴靠其中一个所述芯片，消除或消弱对应的所述芯片上的第一粘贴介质的粘性，解除或削弱对应的所述芯片与所述载体之间的粘贴关系，所述提取装置通过所述提取面将半导体板提取；其中，所述芯片平贴于所述提取面上，所述芯片落入所述提取面的范围内。
芯片制作方法

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