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[发明专利]提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法-CN202111399235.9在审
发明人：昂开渠;唐在峰;许进 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，包括：步骤一、提供一件式结构的第一聚焦环；步骤二、在刻蚀腔中采用刻蚀膜层的刻蚀工艺对第一聚焦环进行劳损测试并得到第一聚焦环的受损范围；步骤三、根据受损范围设置二件式结构的第二聚焦环第二聚焦环由第一集中环和第二外侧保护环组成，第一集中环的材料和第一聚焦环的材料相同；第一集中环的外侧边缘位于第二外侧保护环的内外侧边缘之间，第一集中环的外侧边缘的直径延伸到至少将受损范围完全包覆；步骤四、采用设置有第二聚焦环的刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺本发明能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，还能满足刻蚀速率稳定性的要求。
提高刻蚀速率稳定性方法

[发明专利]高稳定性ITO玻璃刻蚀系统-CN201410829636.7有效
发明人：施利君;徐鸽 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高稳定性ITO玻璃刻蚀系统，它包括相连接的刻蚀组件和水洗组件，所述刻蚀组件和所述水洗组件安装有多个分离式传动组件，所述分离式传动组件包括安装在所述刻蚀组件或所述水洗组件外的第一磁力轮、安装在所述刻蚀组件或所述水洗组件内且与所述第一磁力轮相对应的第二磁力轮从而可以将第一磁力轮设置在系统内部而第二磁力轮设置在系统外部，避免了磨损而产生颗粒物，从根本上杜绝了颗粒物对工艺槽内环境的污染；而且有利于提高整个系统运行的稳定性，提高使用寿命生产效率。
稳定性 ito 玻璃刻蚀系统

[实用新型]高稳定性ITO玻璃刻蚀系统-CN201420846640.X有效
发明人：施利君;徐鸽 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高稳定性ITO玻璃刻蚀系统，它包括相连接的刻蚀组件和水洗组件，所述刻蚀组件和所述水洗组件安装有多个分离式传动组件，所述分离式传动组件包括安装在所述刻蚀组件或所述水洗组件外的第一磁力轮、安装在所述刻蚀组件或所述水洗组件内且与所述第一磁力轮相对应的第二磁力轮、端部与所述第二磁力轮相连接的滚轴以及安装在所述滚轴上且间隔设置的滚轮以及用于带动所述第一磁力轮转动的传动机构。从而可以将第一磁力轮设置在系统内部而第二磁力轮设置在系统外部，避免了磨损而产生颗粒物，从根本上杜绝了颗粒物对工艺槽内环境的污染；而且有利于提高整个系统运行的稳定性，提高使用寿命生产效率。
稳定性 ito 玻璃刻蚀系统

[发明专利]改善刻蚀腔体维护后刻蚀稳定性的方法-CN202211331520.1在审
发明人：冯奇艳;张关健;许进 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种改善刻蚀腔体维护后刻蚀稳定性的方法，提供非生产性硅片和刻蚀机台，非生产性硅片上形成有氧化膜，利用维修前的刻蚀机台以及维修后的刻蚀机台分别刻蚀氧化膜获取其刻蚀速率；获取ΔDepth/ΔER的斜率值，以及根据非生产性硅片两者的沟槽氧化膜的刻蚀参数速率变化获取ΔER，以及ΔDepth/ΔER的斜率值；根据ΔER以及ΔDepth/ΔER的斜率值获取ΔDepth；根据沟槽氧化膜刻蚀速率获取ΔDepth对应的刻蚀速率补偿参数；利用刻蚀速率补偿参数调整生产性硅片的菜单。本发明能够实现可以预防因腔体定期例行维护腔体环境改变导致深度不稳定易造成偏离产品管控线而报废的目的。
改善刻蚀维护稳定性方法

[发明专利]提高通孔刻蚀稳定性的方法-CN201010168890.9有效
发明人：张海洋;韩宝东;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高通孔刻蚀稳定性的方法，包括：获取已完成刻蚀工艺的通孔的第一通孔孔径值；将所述第一通孔孔径值与目标尺寸比较，得到偏差；对所述偏差进行判断，若所述偏差小于1纳米，进行后续通孔刻蚀；若所述偏差在1～2纳米之间，在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤或者减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量；若所述偏差在2～5纳米之间，在进行后续通孔预刻蚀步骤之前进行清洗刻蚀腔体步骤和减小预刻蚀步骤的刻蚀气体的流量所述方法不需要对刻蚀腔体进行人为保养维护，改善通孔刻蚀的稳定性，实现通孔刻蚀与钝化层刻蚀在同一刻蚀腔体进行。
提高刻蚀稳定性方法

[发明专利]改善栅极刻蚀形貌稳定性的方法和刻蚀设备-CN202011023983.2有效
发明人：吕亚冰;吴智勇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善栅极刻蚀形貌稳定性的方法和刻蚀设备，包括提供衬底，在衬底上依次形成栅极材料层和硬掩模层；以第一工艺参数进行BT刻蚀，并进行OCD测量获得第一测量角度；进行ME刻蚀，其中根据第一测量角度调整ME刻蚀的工艺参数，并在ME刻蚀后进行OCD测量获得第二测量角度；进行SL刻蚀形成栅极，其中根据第二测量角度调整SL刻蚀的工艺参数，并在SL刻蚀后进行OCD测量获得第三测量角度；然后将上述每个测试步骤的工艺参数和测量角度反馈至下一栅极刻蚀本发明在栅极刻蚀工艺的每个步骤之后进行OCD测量，并根据OCD测量的角度调整下一刻蚀步骤的工艺参数，提高了栅极刻蚀形貌的稳定性。
改善栅极刻蚀形貌稳定性方法设备

[发明专利]监测金属刻蚀工艺腔稳定性的方法-CN202310107686.3在审
发明人：陈芹;张栋琪;蒋志伟;祝建;余鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监测金属刻蚀工艺腔稳定性的方法，提供刻蚀机台，持续获取刻蚀机台刻蚀金属层时的光强信号；根据光强信号获取斜率信号；选取参考时间段，判断参考时间段中的斜率信号的值是否位于预设范围内；若是，则刻蚀机台继续工作；若否，则停止刻蚀机台并检查。本发明通过对金属层的光强信号进行数据处理获取斜率信号，根据斜率信号是否超过预设范围来判断工艺腔的稳定性，实现对工艺腔稳定性的实时有效监测。
监测金属刻蚀工艺稳定性方法

[发明专利]一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法-CN201710187517.X有效
发明人：聂钰节;昂开渠;唐在峰;任昱;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法，包括：在刻蚀腔体内壁上更换涂层部件；对更换的涂层部件的涂层进行微粗糙化处理；对刻蚀腔体内壁的涂层部件进行无晶圆自动干法蚀刻清洗工艺，在此过程中，涂层部件的涂层表面吸附硅氧化合物且达到饱和状态本发明改善了更换新部件带来的刻蚀腔体环境的漂移，提高刻蚀腔体环境的稳定性，从而改善刻蚀工艺关键尺寸的稳定性，提高晶圆的电学性能和产品的良率，减少报废率。
一种刻蚀环境稳定性优化方法

[发明专利]提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性及锗硅外延层形成的方法-CN201910670141.7有效
发明人：夏军 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性的方法和锗硅外延层的形成方法，涉及半导体芯片制造技术，通过在干法刻蚀/湿法清洗/湿法刻蚀的三道工序之间引入等待时间的概念，由于干法刻蚀后的残留物里有卤族元素的残留，这些副产物会影响后续清洗过程中的氧化层密度与厚度，导致湿法刻蚀工艺无法正常进行，在三道工序之间给予足够的等待时间，环境中的水气可以帮助卤化物气化，修复表面，环境中的自然氧气可以帮助形成饱和致密的氧化层，以此提高湿法刻蚀的稳定性，因此本发明在不提高工艺成本及复杂度的基础上提高了西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性。
提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性外延形成方法

[发明专利]一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法-CN201110183468.5有效
发明人：李阳柏;张传民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法。本发明一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法，通过添加辅助槽及与多个工艺槽连接形成循环，从而各工艺槽中刻蚀溶液趋于相同，刻蚀速率也趋于相同，且由于参与循环的刻蚀溶液体积变大，SiO2含量变化也相对减小，因而刻蚀选择比也相对稳定；而取消换酸设置，改为每隔一段时间或是每生产一定量的硅片后，排掉少量的刻蚀溶液，从辅助槽中补充刻蚀溶液，从而解决新刻蚀溶液中SiO2含量相对偏高时，当对氮化硅进行刻蚀，会对氧化膜造成较大的损伤的问题
一种提高刻蚀速率选择稳定性管道系统方法

[发明专利]一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法-CN202110452245.8在审
发明人：鲁晨泓;尹淞;刘江华;张建 -专利权人：芯越微电子材料（嘉兴）有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种银复合膜层刻蚀剂及其制备方法，包括磷酸、硝酸、醋酸以及缓冲剂；以重量百分比为计，磷酸为30‑60％、硝酸为2‑20％、醋酸为12‑40％、缓冲剂为0.01‑10％和去离子水5‑50％。本发明可以将金属银及其氧化物转化为可溶于水的盐，反应稳定性性高、对同一衬底上的金属银及其氧化的刻蚀速率基本一致、刻蚀速率可控性高、对小颗粒银残留问题得到根本改善、反应稳定性性高，避免沉淀附着影响刻蚀效率及表面平整度；在使用过程中无特殊限制，可采用侵泡式、喷淋式或侵泡喷淋组合式；可实现复合膜层一步刻蚀、刻蚀稳定性高、改善银盐附着现象明显。
一种复合刻蚀及其制备方法

[发明专利]一种博世工艺刻蚀硅基片的方法-CN201511026761.5有效
发明人：王洪青;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种博世工艺中刻蚀硅基片的方法，针对沉积步骤和刻蚀步骤分别采用两组气体的切换交替进入工艺腔，在不需要调整MFC的响应速度的前提下，就可以使沉积步骤和刻蚀步骤相应的工艺时间步长缩短，也即是本发明利用了MFC的响应时间延迟来巧妙的缩短工艺时间步长，使得MFC的响应时间延迟不仅不会影响工艺稳定性反而确保MFC稳定性和可控性，提高了工艺稳定性，减小了scallop缺陷的产生。
一种工艺刻蚀硅基片方法

[发明专利]一种基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件制备方法-CN202310739467.7在审
发明人：郭雪峰;高庆华;郭洁;张毓哲;贾传成 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：本发明涉及单分子电子器件的制备技术领域，提供一种基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件制备方法，采用二氧化碳、氧气、水蒸气、空气等氧化性气体的刻蚀手段，与溶液氧化方法相比，排除了氧化剂、溶剂等杂质的引入，提高了单分子器件的洁净程度在刻蚀的同时将化学活性高的电极边缘同步氧化，使之能与具有氧化还原效应的三联吡啶‑金属配合物通过酰胺键共价连接，使得基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件的结构和稳定性有大幅度的提升，展现了良好的测试稳定性和循环稳定性
一种基于全气相氧化刻蚀分子器件制备方法

[发明专利]一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备-CN202110507244.9在审
发明人：李相龙;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
一种刻蚀清洁系统方法半导体设备

[发明专利]一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法-CN201810212254.8有效
发明人：张梓晗;吕鹏;陶豹;张运奇;聂彪 -专利权人：合肥微晶材料科技有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺的方法，其是选用含有紫外吸收剂的透明基底层，同时在银纳米线导电层上设置光固化树脂层，在光固化树脂层上设置抗氧化保护层，从而使银纳米线导电膜适用于刻蚀工艺。采用本发明的方法，经过刻蚀工艺后银纳米线透明导电膜在UV光照射下500h内不发生颜色变化，且常温通电稳定性、UV光照弯曲电阻稳定性、高温高湿环境电阻稳定性、耐溶剂性擦拭性皆明显提升。
一种纳米导电适用于刻蚀工艺方法

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